郭鑫
- 作品数:10 被引量:0H指数:0
- 供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域:理学文化科学更多>>
- 退火处理对W:Bi_4Ge_3O_(12)和Bi_(12)GeO_(20)晶体发光性能的影响
- 2011年
- 通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致。
- 俞平胜苏良碧唐慧丽郭鑫赵衡煜杨秋红徐军
- 关键词:光致发光退火
- 一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法
- 本发明公开了一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法,为坩埚下降法,其特征在于:所述坩埚为长方体状异形坩埚,包括上部的埚体和下部的籽晶槽,所述籽晶槽与所述埚体由平滑过渡的弧面相连接,且籽晶槽与埚体均呈长方体状,长方体埚体相邻...
- 李红军胡克艳徐军郭鑫苏良碧陈伟超钱小波唐慧丽
- 文献传递
- 电子束辐照诱导Bi:α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究
- 2011年
- 用提拉法技术生长出了Bi:α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi:α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135nm附近、半高宽为52nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi+离子.电子束射线起到了将Bi3+和Bi2+还原至一价态的作用.本文通过对比发现,在不同的辐照剂量处理后的过程中发光中心Bi+离子的产生机理是不相同的,并对其物理化学过程进行了初步的探讨.
- 赵衡煜俞平胜郭鑫苏良碧李欣年方晓明杨秋红徐军
- 关键词:电子束辐照
- 下降法生长6英寸钛宝石晶体的研究
- 掺钛蓝宝石晶体(简称"钛宝石晶体"、化学式为Ti:Al2O3),具有发射带宽宽(约600nm)、发射截面大、热导率高、物化性能优良等优点,是目前应用最为广泛的可调谐激光晶体和产生超快高功率激光运转的最重要工作介质。近年来...
- 李红军徐军杨新波苏良碧唐慧丽郭鑫邹宇琦
- 文献传递
- 一种坩埚下降法单晶生长炉及其应用
- 本发明公开了一种坩埚下降法单晶生长炉,包括设有密闭腔体的炉体、坩埚和垂直移动机构,所述炉体的炉底板以及炉底板内侧的保温层上开有中心孔,中心孔与密闭腔体贯通,所述垂直移动机构穿过中心孔并沿炉体的中心轴上下移动;所述垂直移动...
- 李红军胡克艳徐军郭鑫苏良碧陈伟超钱小波唐慧丽
- 一种生长蓝宝石晶体的方法
- 本发明公开了一种生长蓝宝石晶体的方法,为定向凝固下降法,即,在蓝宝石晶体生长初期,从熔体底部以定向凝固法生长,温场均匀降温,生长固液界面自下而上移动,晶体逐渐生长;在蓝宝石晶体生长中后期,启动下降机构,坩埚以一定速率均匀...
- 李红军胡克艳徐军郭鑫苏良碧陈伟超钱小波唐慧丽
- Cr,Mg:GSGG晶体生长、光谱性能及Cr^(4+)形成机理的研究
- 2012年
- 采用传统提拉法单晶生长技术成功生长出了Cr,Mg:GSGG晶体,并对生长出的晶体样品进行了氧化气氛和还原气氛退火处理.通过对比分析退火处理前后样品吸收光谱的变化,推断出晶体中四面体配位Cr^(4+)离子的形成机理为:晶体生长和高温氧化气氛退火的过程中,四价Cr^(4+)离子首先在八面体格位上形成,然后在热激发作用下与邻近四面体格位上的Ga^(3+)离子发生置换反应,从而形成一定浓度的四面体配位Cr^(4+)离子.实验结果还表明,随着电荷补偿离子Mg^(2+)离子浓度的增大,更有利于提高四面体配位Cr^(4+)离子的浓度.
- 姜大朋苏良碧徐军唐慧丽吴锋郑丽和王庆国郭鑫邹宇琦
- 关键词:退火处理光谱性质
- 一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法
- 本发明公开了一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法,为坩埚下降法,其特征在于:所述坩埚为长方体状异形坩埚,包括上部的埚体和下部的籽晶槽,所述籽晶槽与所述埚体由平滑过渡的弧面相连接,且籽晶槽与埚体均呈长方体状,长方体埚体相邻...
- 李红军胡克艳徐军郭鑫苏良碧陈伟超钱小波唐慧丽
- 一种坩埚下降法单晶生长炉及其应用
- 本发明公开了一种坩埚下降法单晶生长炉,包括设有密闭腔体的炉体、坩埚和垂直移动机构,所述炉体的炉底板以及炉底板内侧的保温层上开有中心孔,中心孔与密闭腔体贯通,所述垂直移动机构穿过中心孔并沿炉体的中心轴上下移动;所述垂直移动...
- 李红军胡克艳徐军郭鑫苏良碧陈伟超钱小波唐慧丽
- 文献传递
- 一种生长蓝宝石晶体的方法
- 本发明公开了一种生长蓝宝石晶体的方法,为定向凝固下降法,即,在蓝宝石晶体生长初期,从熔体底部以定向凝固法生长,温场均匀降温,生长固液界面自下而上移动,晶体逐渐生长;在蓝宝石晶体生长中后期,启动下降机构,坩埚以一定速率均匀...
- 李红军胡克艳徐军郭鑫苏良碧陈伟超钱小波唐慧丽
- 文献传递