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郭瑞

作品数:13 被引量:9H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇氧化钒
  • 4篇氧化钒薄膜
  • 3篇电阻
  • 2篇等离子体共振
  • 2篇电路
  • 2篇电压放大
  • 2篇电压放大电路
  • 2篇电阻温度特性
  • 2篇调谐
  • 2篇远场
  • 2篇远场焦斑
  • 2篇噪声
  • 2篇折射率
  • 2篇折射率传感
  • 2篇折射率传感器
  • 2篇通信
  • 2篇温度特性
  • 2篇温度系数
  • 2篇吸收率
  • 2篇相变

机构

  • 13篇电子科技大学

作者

  • 13篇郭瑞
  • 10篇蒋亚东
  • 10篇顾德恩
  • 7篇王志辉
  • 5篇王涛
  • 5篇袁凯
  • 2篇王洪
  • 2篇李伟
  • 2篇卢斐
  • 2篇程旭
  • 1篇江萍
  • 1篇胡渝
  • 1篇伍振海
  • 1篇杨华军

传媒

  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2006
  • 1篇2005
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光通信中激光发散小角度远场焦斑测量法被引量:7
2006年
根据激光发散角经准直后的微小角度的测量理论,提出了采用远场焦斑和CCD进行快速准确的测量方法,最后实际测出了激光准直后的远场发散角。实验证明:采用该方法可以达到空间光通信的激光发散小角度微弧度量级的要求,并且所带来的误差小于国际标准组织规定的最大值。
郭瑞杨华军胡渝伍振海江萍
关键词:空间光通信
一种红外超材料吸波体
本发明提供了一种红外超材料吸波体,包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元,每个吸波体单元包括基底、位于基底正上方的金属层、位于金属层正上方的介质层和位于介质层正上方的十字圆环结构,十字圆环结构水平贴附于介质层表面,十字圆环结...
顾德恩侯剑章郭瑞王志辉王涛袁凯蒋亚东
文献传递
一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法
本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法,属于薄膜技术领域,具体包括以下步骤:首先清洗基片,吹干后备用;然后,将清洗后的基片放入真空腔室内,以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材,在氧气和氩气...
顾德恩郭瑞侯剑章王志辉孙战红蒋亚东
文献传递
一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法
一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法,本发明的高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料是以稀土元素钇作为掺杂剂制备,包括基片层和掺钇氧化钒薄膜层,掺钇氧化钒薄膜层包括钒、氧、钇三种元素,钇的原子百分比为1%‑8%,钒...
顾德恩孙站红郭瑞王涛蒋亚东王洪卢斐
文献传递
一种氧化钒热敏薄膜噪声测试方法
本发明公开了一种氧化钒薄膜低频微弱噪声测试方法,该方法包括:电源电路适配设计;在测试电路中采用可选择的电流或电压放大电路设计,这个设计区别于的单一的进行电流或者单一的电压放大,本设计可以对两种放大方式进行选择以及彼此之间...
顾德恩王志辉郭瑞程旭侯剑章袁凯李伟蒋亚东
一种基于表面等离子体共振的高度灵敏折射率传感器
本发明公开了一种基于表面等离子体共振的高度灵敏折射率传感器,属于传感技术领域,解决对环境折射率进行探测的灵敏度低的问题。本发明的一种基于表面等离子体共振的高度灵敏折射率传感器,所述折射率传感器由多个折射率传感器单元组成,...
顾德恩侯剑章王志辉郭瑞孙站红蒋亚东
适于氧化钒或掺杂氧化钒薄膜的电极材料及其制备方法
本发明公开了一种与氧化钒或掺杂氧化钒热敏薄膜接触的电极材料及其复合膜系结构制备方法,采用金属钒纳米层修饰的金属钛薄膜作为与氧化钒或者掺杂氧化钒热敏薄膜的引出电极,该电极可以采用上电极或下电极方式与氧化钒或掺杂氧化钒薄膜形...
顾德恩郭瑞王涛蒋亚东袁凯
文献传递
一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法
一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法,本发明的高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料是以稀土元素钇作为掺杂剂制备,包括基片层和掺钇氧化钒薄膜层,掺钇氧化钒薄膜层包括钒、氧、钇三种元素,钇的原子百分比为1%-8%,钒...
顾德恩孙站红郭瑞王涛蒋亚东王洪卢斐
一种红外超材料吸波体
本发明提供了一种红外超材料吸波体,包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元,每个吸波体单元包括基底、位于基底正上方的金属层、位于金属层正上方的介质层和位于介质层正上方的十字圆环结构,十字圆环结构水平贴附于介质层表面,十字圆环结...
顾德恩侯剑章郭瑞王志辉王涛袁凯蒋亚东
文献传递
Ti、Y掺杂对氧化钒薄膜结构与性能的影响
由于二氧化钒在室温附近(~68℃)半导体-金属相变带来的光电性能突变,使其在许多领域如光电开关、智能窗、光学存储等都有极大的应用潜力。但二氧化钒多晶薄膜普遍存在相变滞洄宽度大等问题,这将限制其在灵敏度要求高的温度响应特性...
郭瑞
关键词:氧化钒电阻温度系数微结构相变特性多晶薄膜
文献传递
共2页<12>
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