您的位置: 专家智库 > >

郭佳林

作品数:9 被引量:8H指数:2
供职机构:北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇纳米线
  • 5篇光致
  • 5篇光致发光
  • 5篇发光
  • 4篇气相
  • 4篇气相沉积
  • 4篇ZNO纳米
  • 4篇ZNO纳米线
  • 4篇掺杂
  • 3篇性能研究
  • 3篇催化
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇室温铁磁性
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇热蒸发
  • 2篇加热温度

机构

  • 9篇北京科技大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 9篇常永勤
  • 9篇郭佳林
  • 7篇龙毅
  • 5篇陆映东
  • 5篇王明文
  • 4篇多永正
  • 2篇强文江
  • 1篇张敬民
  • 1篇张寅虎
  • 1篇李学达
  • 1篇林杰
  • 1篇孔广志
  • 1篇王彪
  • 1篇王永威

传媒

  • 4篇功能材料
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇2009第八...

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
SN掺杂ZNO纳米线的制备及其发光性能研究
采用热蒸发法制备了SN掺杂ZNO纳米线,其中SN的掺杂含量约为2.4 AT.[%]。X 射 线衍射(XRD)结果表明SN掺杂ZNO纳米线为单相纤锌矿结构。纳米线的室温光致发光(PL) 光谱分别在409.2 NM和498....
郭佳林常永勤陆映东李学达龙毅王明文
关键词:光致发光热蒸发
文献传递网络资源链接
气相沉积法制备Co掺杂ZnO纳米线的磁学性能研究
2007年
研究了气相沉积方法制备的Co掺杂ZnO纳米线的结构及其磁学性能。结果表明,Co离子代替Zn离子的位置进入ZnO晶格,样品的磁性能对实验条件的依赖性比较大,通入适量空气的条件下制备的样品具有室温铁磁性。
多永正常永勤郭佳林龙毅强文江
关键词:气相沉积室温铁磁性
Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备及其光致发光性能研究被引量:1
2011年
采用化学气相沉积的方法,以Sn粉为催化剂制备出大长径比的Ga掺杂ZnO纳米线。采用扫描电子显微镜观察制备的产物,发现样品为直径约25~90nm的纳米线。通过比较不同Ga掺杂含量样品的室温光致发光谱,发现一定掺杂含量的Ga可以提高ZnO纳米线的紫外发光强度,同时,Ga的掺杂也会引起ZnO紫外发光峰的蓝移。随着Ga含量的增加,蓝移程度越来越小,甚至发生红移。Sn的引入只对Ga掺杂ZnO纳米线的蓝绿光有贡献。
陆映东常永勤张敬民王明文郭佳林王永威龙毅
关键词:光致发光化学气相沉积
一种气相沉积制备锡掺杂氧化锌纳米线的方法
本发明提供了一种简单的合成Sn掺杂ZnO纳米线的方法-气相沉积方法,这种方法不需要球磨设备。使用的氩气流量较小,加热温度偏低,加热时间较短,大大节约了生产成本。另外,制备过程中也不需要加入异质催化剂,因而可以完全避免杂质...
常永勤郭佳林多永正
文献传递
气相沉积法制备Co掺杂ZnO纳米线的磁学性能研究
研究了气相沉积方法制备的 Co 掺杂 ZnO 纳米线的结构及其磁学性能.结果表明,Co 离子代替 Zn 离子的位置进入 ZnO 晶格,样品的磁性能对实验条件的依赖性比较大,通入适量空气的条件下制备的样品具有室温铁磁性.
多永正常永勤郭佳林龙毅强文江
关键词:气相沉积室温铁磁性
文献传递
常压条件下制备SnO_2纳米线及其光学性能研究被引量:3
2009年
在常压条件下采用气相沉积方法制备出SnO2纳米线,X射线衍射和Raman光谱结果均表明制备出来的产物为金红石结构。在样品的光致发光谱中观察到缺陷发光峰。研究还发现蒸发源及其放置时间在SnO2纳米线的形成过程中起重要的作用。
陆映东常永勤孔广志王明文郭佳林龙毅张寅虎林杰
关键词:SNO2纳米线常压气相沉积光致发光
一种气相沉积制备锡掺杂氧化锌纳米线的方法
本发明提供了一种简单的合成Sn掺杂ZnO纳米线的方法-气相沉积方法,这种方法不需要球磨设备。使用的氩气流量较小,加热温度偏低,加热时间较短,大大节约了生产成本。另外,制备过程中也不需要加入异质催化剂,因而可以完全避免杂质...
常永勤郭佳林多永正
文献传递
Sn掺杂ZnO纳米带的制备及其光致发光性能研究被引量:4
2009年
采用热蒸发法制备了单晶Sn掺杂ZnO纳米带,其中Sn的掺杂含量约为5%(原子分数)。X射线衍射(XRD)结果表明Sn掺杂ZnO纳米带为单相纤锌矿结构。X射线光电子能谱(XPS)表明样品中Sn的价态为4+。样品的室温光致发光谱(PL)在445.8nm处存在较强的蓝光发射峰,对其发光机制进行了分析。
郭佳林常永勤王明文陆映东龙毅
关键词:光致发光热蒸发
Sn掺杂ZnO半导体纳米线的制备、表征及光学性能
2011年
采用化学气相沉积法获得了Sn掺杂含量约为2.4%(原子分数)的Sn掺杂ZnO半导体纳米线。X射线衍射结果表明,Sn的掺杂并没有改变ZnO的纤锌矿结构。掺杂纳米线的室温光致发光光谱在409.2nm和498.0nm处出现了蓝绿光发光峰。探讨了其发光机制,认为前者可能来源于从导带到Zn空位形成的浅受主能级的跃迁以及从氧空位形成的浅施主能级到价带的跃迁;而后者来源于从氧空位形成的浅施主能级到锌空位浅受主能级的跃迁。
郭佳林常永勤王明文陆映东王彪龙毅
关键词:ZNO纳米线光致发光发光机制CVD
共1页<1>
聚类工具0