郑旭强
- 作品数：13 被引量：33H指数：3
- 供职机构：中南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省国际科技合作项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 磁控溅射SiC薄膜及其光电特性研究
- 本文用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜,并对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度与透射光谱.用J.C.Manifacier提出并由R.Swanepoel加以修正和完善的包络线法对薄膜透射光谱进行...
- 周继承郑旭强
- 关键词：SIC薄膜射频磁控溅射表面形貌光学特性光电特性
- 文献传递
- 用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺
- 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具...
- 周继承石之杰郑旭强刘福黄迪辉
- 文献传递
- SiC薄膜材料与器件最新研究进展被引量：15
- 2007年
- SiC单晶因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料。综述了SiC材料及器件的研究现状、关键技术和发展趋势;分析了我国的研究现状和存在的差距。
- 周继承郑旭强刘福
- 关键词：SIC材料SIC器件
- SiCN扩散阻挡层薄膜的制备及特性研究被引量：2
- 2009年
- 采用磁控溅射法在单晶硅衬底上制备了SiCN及Cu/SiCN薄膜,并对试样进行了退火处理。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、四探针测试仪(FPP)研究了SiCN薄膜的表面形貌、物相结构及在Cu/SiCN/Si结构中SiCN薄膜对铜与硅的阻挡性能。结果表明,沉积态SiCN薄膜为无定型的非晶结构,晶化温度在1000℃以上;SiCN薄膜作为Cu的扩散阻挡层有较好的热稳定性及阻挡性,阻挡失效温度在600℃左右。
- 周继承石之杰郑旭强
- 关键词：铜互连磁控溅射
- 用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺
- 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具...
- 周继承石之杰郑旭强刘福黄迪辉
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- 硅基硅碳氧薄膜发光材料的制备与特性研究
- 随着芯片尺寸和线宽的缩小，电子漂移速度越来越成为芯片提速的瓶颈，用速度最快的光信号代替原来的电信号进行信息的传输和处理是突破这一瓶颈的有效途径。硅基发光材料由于其制造与超大规模集成电路硅平面工艺的兼容性成为发光器件的最佳...
- 郑旭强
- 关键词：荧光特性发光机理发光材料
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- 一种基于电平位移电路的低电压全摆幅CMOS运放被引量：2
- 2010年
- 为解决阈值电压对电源电压和输入信号的受限问题,提出一种实用的电平位移电路,为运放的输入级提供良好的电平位移。采用互补金属氧化物半导体(CMOS)0.5μm工艺设计的低电压全摆幅CMOS运算放大器,中间级采用适合低电压工作的低压宽摆幅共源共栅结构,输出级采用传统的Class A类得到轨至轨的输出。采用Hspice软件对所设计的电路进行仿真。研究结果表明:当电源电压降至或者小于NMOS与PMOS的阈值电压之和时,在任何共模输入电压下,该运放都能正常工作,实现输入级的全摆幅和恒跨导;在1.3 V单电源供电情形下直流开环增益达106.5 dB,单位增益带宽为2.3 MHz,功耗178.8μW。电路结构简单紧凑,具有实用的电平位移功能,适合于低电压应用。
- 潘学文周继承郑旭强
- 关键词：CMOS运放全摆幅仿真
- 磁控溅射SiC薄膜及其电学特性研究
- 本文用磁控溅射法(RMS)制备了SiC微晶薄膜,并对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度、方块电阻和电阻-温度曲线.结果表明:薄膜表面平整光滑;退火处理前后薄膜样品的lnR随1/kT的变化曲线...
- 周继承郑旭强
- 关键词：表面形貌电阻率磁控溅射
- 文献传递
- 磁控溅射SiC薄膜及其电学特性研究
- 2006年
- 用磁控溅射法(RMS)制备了SiC微晶薄膜,并对其进行了退火处理。用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度、方块电阻和电阻-温度曲线.结果表明:薄膜表面平整光滑;退火处理前后薄膜样品的lnR随1/kT的变化曲线均满足表达式,电子激活能的变化范围为0.0142eV^0.0185eV,且随退火温度的升高而增大;分析确定其导电机理为定域态间近程跳跃电导.退火前后薄膜电阻率的范围为2.4×10-3~4.4×10-3Ω·cm,且随退火温度的升高而增大,与电子激活能的变化趋势一致,这进一步验证了本文提出的薄膜导电机理和激活能随退火温度的变化趋势.
- 周继承郑旭强
- 关键词：表面形貌电阻率
- 溅射工艺对SiCN扩散阻挡层薄膜的影响
- 本文采用射频磁控反应溅射法制备了SiCN薄膜,利用台阶仪、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)表征了薄膜的形貌结构。研究了工艺参数如射频功率、N2/Ar工作气流量比以及快速热处理对薄膜沉积速率、表面形貌、物相结构...
- 石之杰周继承郑旭强
- 关键词：半导体技术磁控溅射扩散阻挡层
- 文献传递
