郁操
- 作品数：20 被引量：12H指数：3
- 供职机构：浙江正泰太阳能科技有限公司更多>>
- 发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划国家重点基础研究发展计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 硅基叠层薄膜太阳电池前后电极的选择及匹配性
- 为光伏的一个重要领域,硅基薄膜电池技术在过去5 年有了长足的发展,特别是近期硅基叠层薄膜电池的引入和产业化更是显著地提高薄膜电池转换效率.如今前沿领域的硅基薄膜电池制造商都朝着商业化量产稳定效率10％迈进.过去几年里作为...
- 牛新伟李琳琳梅小琴刘石勇陈晨冯启异杨立友郁操程冰王明华朱鑫茅建峰陈振刘胜芳王晓飞
- 关键词：非晶硅微晶硅PVDLPCVD
- 直流磁控溅射法制备新型窄带隙薄膜光伏材料β-FeSi<,2>的研究
- 低温半导体相的铁硅化合物β-FeSi2以其优越的性能在近几十年来受到了国内外相关人士的广泛关注，逐渐成为热电、光电子、微电子和光伏领域研究的热门话题。本文采用“室温直流对靶磁控溅射”+“后续气氛热退火”的两步法制备技术，...
- 郁操
- 关键词：直流磁控溅射法光电性能
- 文献传递
- 薄膜太阳能电池及其制造方法
- 本发明提供了一种薄膜太阳能电池的制造方法，该方法包括：以压花玻璃作为衬底，该压花玻璃的一面具有陷光结构；在所述压花玻璃的任一面形成前电极；形成薄膜太阳能电池的其他结构。相应地，本发明还提供了一种薄膜太阳能电池。本发明提供...
- 郁操朱鑫牛新伟周曦丁建杨立友
- 文献传递
- 太阳能电池性能的改进方法及其结构
- 本发明公开了太阳能电池性能的改进方法及其结构，具体的是公开了一种提高微晶硅单节薄膜电池以及非晶微晶叠层电池的填充因子以及改善其温度系数的方法，所述方法在微晶PIN结构中的复合P型掺杂层中，插入5nm~10nm的微晶P型S...
- 王明华姚文杰李贵君朱鑫郁操程冰牛新伟
- 文献传递
- 一种异质结电池的制备方法
- 本发明公开了一种异质结电池的制备方法，包括如下步骤：在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层，这里的n型硅片可以是单晶或是多晶硅片；在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜；在所述硅片...
- 牛新伟郁操丁澜戎俊梅刘石勇王明华胡金艳韩玮智朱永敏张华冯涛金建波仇展炜杨立友
- 文献传递
- 直流磁控溅射工艺参数对β-FeSi_2薄膜性能的影响被引量：3
- 2010年
- 采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,经过后续Ar气氛围退火,在单晶Si(111)衬底上生长β-FeSi2薄膜。研究了溅射功率、工作气压、Ar气流量、沉积时间等工艺参数对β-FeSi2薄膜结构特性及电学特性的影响,通过Raman、Hall、X射线衍射(XRD)等测试对其性能进行表征,对工艺参数进行了优化,在溅射功率为80W、工作气压为1.3Pa和Ar气流量为35SCCM时溅射沉积Fe-Si薄膜,不仅可以得到单一相的β-FeSi2,而且薄膜结晶质量较好。最终,在上述实验条件下制备得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜是n型导电的,β-FeSi2薄膜中载流子浓度约为3.3×1016cm-3,迁移率为381cm2/Vs。
- 刘芳侯国付郁操孙建杨瑞霞赵颖
- 关键词：直流磁控溅射工艺参数
- 薄膜太阳电池、组件及制造方法
- 本发明提供薄膜太阳电池、组件及制造方法。本发明的薄膜太阳电池包括：衬底；第一透明导电氧化物层，形成于所述衬底之上；至少一个NIP结，形成于所述第一透明导电氧化物层之上；第二透明导电氧化物层，形成于所述NIP结之上；其特征...
- 朱鑫牛新伟李贵君王明华郁操方晓玲程冰周曦丁建杨立友
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- 直流磁控溅射法制备新型窄带隙光伏材料β-FeSi2研究
- 本实验采用室温对靶直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火,在单晶Si(100)上生长β-FeSi薄膜。主要研究了退火时间、升温速率和退火温度等因素对材料结构和电学特性的影响,结果表明:退火温度和时间的控制...
- 郁操侯国付薛俊明孙健赵颖耿新华
- 关键词：直流磁控溅射
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- 正泰硅基叠层薄膜太阳电池研发与大规模生产新进展
- 2012年
- 介绍了正泰太阳能在硅基叠层薄膜电池上的主要技术进步,包括TCO优化、新型氧化物掺杂层的引入、弱光效应、温度系数改善等。这些技术进步使得正泰太阳能量产硅基叠层薄膜电池的稳定全面积效率达到10%。此外还讨论了组件的现场能源输出表现,从而展示硅基薄膜技术仍然是光伏产业中一个非常有竞争力的技术路线。
- 牛新伟郁操王明华朱鑫程冰戎俊梅刘石勇陈振刘胜芳李琳琳陈晨吴玲王国平冯启异杨立友
- 关键词：非晶硅微晶硅叠层电池
- 一种硅基薄膜太阳能电池
- 本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池，解决了现有技术的硅基薄膜太阳能电池结构复杂，制备工序繁杂，光电转换效率提高不明显的问题。本发明从上往下依次由透明基板、TCO薄膜、硅氧减反膜、硅基薄膜及背电极构成，其中，所述的硅氧减反...
- 李贵君郁操王明华刘胜芳邓海涛牛新伟
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