邹宇
- 作品数：22 被引量：40H指数：5
- 供职机构：北京应用物理与计算数学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学核科学技术机械工程电子电信更多>>
- Al^(q+)(q=0—12)的光电离截面和Bethe系数被引量：6
- 2001年
- 使用Hartree Fock加相对论修正 (HFR)近似计算Alq+ (q =0— 12 )的光电离截面和Bethe系数 ,其中Bethe系数将光电离截面与电子碰撞电离截面联系起来 ,并且决定电子碰撞电离截面的高能行为 .分析了光电离截面和Bethe系数随电离度 q的变化规律 ,还与其他数据进行比较 。
- 方泉玉李萍刘勇邹宇邱玉波
- 关键词：光电离截面电子碰撞电离
- 电子与类锂离子组态能级之间的碰撞激发强度被引量：3
- 1994年
- 采用我们的扭曲波方法和程序ＭＣＤＷ（九），计算了类锂Ｃ，Ｎｅ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｇｅ离子（ｎ≤７）组态能级之间激发的碰撞强度，并与Ｓａｍｐｓｏｎ等人的完全相对论理论值进行了比较，同时分析了碰撞强度随Ｚ￣＊（有效核电荷）和主量子数ｎ的变化规律。
- 方泉玉沈智军蔡蔚李萍邹宇徐元光陈国新
- 关键词：类锂离子组态能级
- U^(91+)离子碰撞强度和速率系数的相对论理论计算
- 2000年
- 介绍了用相对论多通道理论结合量子亏损理论计算电子碰撞激发过程的方法。用此方法计算了U91+ 离子电子碰撞激发的碰撞强度和有效碰撞强度及速率系数。与R矩阵方法的计算结果比较表明 :在激发能量阈值附近还有一组共振结构 ;目前的方法对共振结构的描述更精细完整。根据碰撞强度 ,通过对电子速度的麦克斯韦分布积分得到了有效碰撞强度与温度的关系。可以看出 ,碰撞强度在能量阈值附近的共振峰使低温 1s 2s跃迁有效碰撞强度增大近 2 0 %。
- 鲁晓军邹宇邱玉波方泉玉
- 关键词：类氢离子速率系数相对论理论
- 类铜离子的电子碰撞参数及其规律被引量：2
- 1997年
- 用准相对论扭曲波方法系统地计算了Ｂａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ａｕ、Ｐｂ类铜离子组态能级之间的电子碰撞激发强度Ω（ｎｌ－ｎｌ），３≤ｎ≤７，４≤ｎ≤７，同时给出了高能极限的碰撞强度和外推到阈值的碰撞强度，用最小二乘样条方法拟合了全能域碰撞强度及热平均速率系数。对于一个激发过程，用１０个参数可以得到碰撞电子在任意能量下的碰撞强度以及任意温度下的速率系数。
- 蔡蔚方泉玉邹宇李萍
- 关键词：速率系数电子碰撞
- 双电子复合过程的多通道理论
- 提出了一种关于双电子复合过程的多通道理论，它是一种相对论性非微扰理论方法，能够用于任何高原子序离子的双电子复合计算。以C<'4+>离子的双电子复合截面为例，计算结果与实验相比误差在10℅以内。同时，发现在283eV附近的...
- 徐雅琼刘勇邹宇
- 关键词：量子亏损理论速率系数
- 文献传递
- C<'3+>双电子复合中的相对论效应
- 实验发现C<'3+>的双电子复合在ls<'2>2s<'2>S阈值以上0.1-0.3eV能域显示很强的相对论效应。在先前相对论多体微扰理论的计算和实验之间存在约30℅的差异没有得到很好的解释。研究人员用相对论多通道理论得到...
- 刘勇邹宇方泉玉李萍
- 关键词：双电子复合相对论效应
- 文献传递
- 类镍离子的电子碰撞强度和速率系数被引量：4
- 1996年
- 用准相对论扭曲波方法系统的计算了Ｐｂ，Ａｕ，Ｂａ，Ｍｏ，Ｇｅ类镍离子组态能级之间的电子碰撞激发强度Ω（ｎｌ－ｎ′ｌ′），３≤ｎ≤７，４≤ｎ′≤７，同时给出了高能极限的碰撞强度和外推到阈值的碰撞强度。用最小二乘样条方法拟合了全能域碰撞强度及热平均速率系数。对于一个激发过程。
- 方泉玉蔡蔚沈智军邹宇李萍徐元光
- 关键词：速率系数类镍离子
- 作为两个独立过程的双电子复合理论被引量：7
- 1997年
- 在非稳态、高温高密度的等离子体环境下，双电子复合应作为完全独立的共振俘获和辐射衰变两个过程来处理．建议一种半经验公式计算共振俘获速率系数的方法，并对该公式进行了初步评估．给出了将该公式应用于平均原子模型求解速率方程的方法．
- 王建国邹宇常铁强
- 关键词：等离子体双电子复合非稳态高温
- Al^(q+)(q=0～12)的电子碰撞电离截面和速率系数被引量：3
- 2001年
- 使用扭曲波玻恩交换 ( DWBE)近似计算 Alq+ ( q=0～ 1 2 )的电子碰撞电离截面和速率系数 ,其中电离截面的高能行为由 Bethe系数决定。分析了计算数据随电离度的变化规律 ,并且与可得到的实验的和其他计算的数据进行了比较 。
- 方泉玉李萍刘勇邹宇邱玉波
- 关键词：电子碰撞电离速率系数
- Al^(10+)的电子碰撞电离及有关过程被引量：3
- 1995年
- 用扭曲波方法计算Al^(10+)基态在Is^22s的Is,2s电子和第一激发态Is^2 2p的2p电子的电离截面以及基态的总电离截面(包括内壳层激发自电离).入射电子能量(?)(即(?)以2s电离能I_(2s)为单位)为1.05,1.125,l.25,1.5,2.25,4……同时计算出了电离阈值以下的激发截面(乘以所谓态密度),实现了在电离阈值处与阈值以上电离能量微分截面光滑联接;计算了光电离截面积分值,实现了在入射电子能量趋于无穷时与电子碰撞电离截面衔接.计算结果与其他方法进行了比较.
- 方泉玉李萍蔡蔚沈智军徐元光邹宇陈国新
- 关键词：电子碰撞电离截面
