赵湘辉
- 作品数：12 被引量：14H指数：2
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- 相关领域：理学电气工程机械工程一般工业技术更多>>
- 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法
- 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法，该方法采用硫酸锌溶液作为Zn<Sup>2+</Sup>源，以硫脲溶液作为S<Sup>2-</Sup>源，以氨水作为缓冲剂，以柠檬酸钠作为络合剂，配制化学浴反应的...
- 魏爱香刘军赵湘辉招瑜刘俊
- 文献传递
- 预制层中In/Cu原子比对CuInSe_2薄膜成分、结构和形貌的影响
- 2013年
- 采用磁控溅射技术,共溅射CuIn合金靶和纯In靶,CuIn合金靶的溅射功率不变,通过改变纯In靶的溅射功率,制备了具有不同In/Cu原子比的CuIn预制层;然后以固态硒粉为硒源,采用三步升温硒化方式对CuIn预制层进行硒化。通过EDS、XRD和SEM分析方法,研究了预制层中不同的In/Cu原子比对铜铟硒(CIS)薄膜的成分、结构和形貌的影响。结果表明:CIS薄膜主要由CuInSe2相构成,但存在少量的CuSe相,随着CuIn预制层中In/Cu原子比的逐渐增大,CuSe相所占比例减少,CIS薄膜中In/Cu和Se/(Cu+In)的比值也相应增大,CuInSe2大颗粒分布逐渐均匀,大颗粒之间的细小颗粒逐渐消失。
- 颜志强魏爱香招瑜刘军赵湘辉
- 关键词：磁控溅射技术表面形貌
- 一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法，本方法采用氯化镉或硝酸镉作为Cd<Sup>2+</Sup>离子源，以硒代硫酸钠溶液作为Se<Sup>2-</Sup>离子源，以氨水作为缓冲剂，分别以三乙醇胺、柠檬酸钠、...
- 魏爱香赵湘辉招瑜刘俊李金庭
- 文献传递
- CuInSe2薄膜硒化工艺研究
- 采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了CuIn预制层,在真空中以固态硒粉为硒源,采用三步升温硒化法对不同厚度的CuIn预制层进行硒化。通过SEM、EDS和XRD测试分析手段,研究了硒化后薄膜的形貌、成分和结构。结果表明...
- 赵湘辉招瑜魏爱香
- 关键词：薄膜太阳能电池磁控溅射
- 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法
- 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，该方法首先采用射频磁控溅射技术在清洗干净的玻璃衬底上制备金属钼背电极，以铜铟合金靶和铜镓合金靶为溅射靶材，以氩气作为溅射气体，采用射频磁控溅射技术，以双靶交替溅射的...
- 魏爱香刘军赵湘辉招瑜刘俊
- 文献传递
- CuInSe2薄膜硒化工艺研究
- 直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了CuIn预制层,在真空中以固态硒粉为硒源,采用三步升温硒化法对不同厚度的CuIn预制层进行硒化.通过SEM、EDS和XRD测试分析手段,研究了硒化后薄膜的形貌、成分和结构.结果表明:硒...
- 赵湘辉招瑜魏爱香
- 关键词：薄膜太阳能电池铜铟硒薄膜磁控溅射
- 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法
- 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，该方法首先采用射频磁控溅射技术在清洗干净的玻璃衬底上制备金属钼背电极，以铜铟合金靶和铜镓合金靶为溅射靶材，以氩气作为溅射气体，采用射频磁控溅射技术，以双靶交替溅射的...
- 魏爱香刘军赵湘辉招瑜刘俊
- 文献传递
- 铜铟镓硒薄膜太阳能电池关键材料研究
- 能源是自然界中可以为人类提供某种特定形式能量的物质资源，是所有人类活动的物质基础，是整个人类社会发展的原动力。随着人类文明的进一步发展，全球性的能源短缺正日益严重地困扰着人类社会。寻求绿色替代能源，实现可持续发展，已成为...
- 赵湘辉
- 关键词：太阳能电池形貌结构
- 文献传递
- 硒化方式对CuInSe_2薄膜结构、成分和形貌的影响被引量：4
- 2012年
- 采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试分析手段,分析CuIn预制膜和每一步硒化热处理后薄膜结构和形貌的变化。结果表明:两种方法硒化后均形成具有单一黄铜矿相结构的CuInSe2薄膜,薄膜具有(112)面择优取向,硒蒸气法形成的晶粒较大,但均匀性差。
- 赵湘辉魏爱香招瑜刘俊
- 关键词：太阳能电池磁控溅射
- CdS纳米晶颗粒薄膜的制备及其光学特性研究被引量：10
- 2011年
- 采用化学浴沉积法,以CdCl2.H2O、CS(NH2)2、NH4Cl、NH3.H2O和去离子水作为反应前驱物,在不同的氨水浓度下制备CdS纳米晶颗粒薄膜。通过扫描电镜、X射线衍射、X射线能量色散谱、紫外-可见光透射光谱、椭圆偏振光谱等方法,研究了反应前驱物中氨水浓度对CdS纳米晶颗粒薄膜的表面形貌、晶体结构、S/Cd原子比、光透过率、光学带隙、折射率、消光系数和光学吸收边等物理性能的影响。结果表明:反应前驱物中氨水浓度在0.4～1.0mol/L范围内,可以在衬底上形成均匀致密的CdS纳米晶颗粒薄膜。随着氨水浓度的增加,CdS纳米晶的平均晶粒尺寸逐渐减少,S/Cd原子比逐渐增加,由富Cd型转变为富S型,禁带宽度逐渐增加。在500～1000 nm波段内,折射率的平均值为1.75;消光系数k小于0.07。
- 赵湘辉魏爱香招瑜
- 关键词：CDS薄膜折射率消光系数光学带隙
