赵文雅
- 作品数：4 被引量：15H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备被引量：8
- 2013年
- 采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al_2O_3层、Al_2O_3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al_2O_3保护层构成。静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45μV/℃。测试温度可达到1000℃。时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势。
- 赵文雅蒋洪川陈寅之张万里刘兴钊彭少龙唐磊
- 关键词：PT热电势塞贝克系数
- 氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响
- 采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明：随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(2...
- 吴勐蒋洪川陈寅之赵文雅蒋书文刘兴钊张万里
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率载流子浓度迁移率
- 氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(222)面峰强由弱到强变化,当氧氩体积百分比达到3%,4%时,ITO薄膜的(400)面峰强超越了(222)面;随着氧氩体积百分比的增大,薄膜的电阻率显著增大,而沉积速率、载流子浓度和迁移率都降低。
- 吴勐蒋洪川陈寅之赵文雅蒋书文刘兴钊张万里
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率载流子浓度迁移率
- 制备工艺对ITO薄膜的电阻率及沉积速率的影响被引量：6
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡[ITO,In2O3:SnO2=90:10(质量比)]薄膜,详细探讨了溅射气氛氧氩体积比、溅射功率及溅射气压对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响。结果表明:溅射工艺参数对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响十分明显。随着氧氩体积比的增大,样品的电阻率显著增大,沉积速率下降;随着溅射功率的增加,ITO薄膜的电阻率先减小后略微增大,沉积速率上升;随着溅射气压升高,ITO薄膜的电阻率先减小后增大,当溅射气压增大到较大值时,ITO薄膜的电阻率又开始减小,而沉积速率则先上升后下降。
- 赵文雅蒋洪川陈寅之张万里彭少龙
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率沉积速率
