赵军平
- 作品数：5 被引量：41H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
- 发文基金：国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：核科学技术电气工程电子电信更多>>
- MHz重复频率脉冲功率技术被引量：9
- 2010年
- 采用串联单传输线、并联Blumlein脉冲形成线和高重复频率固体开关等技术路线开展了MHz重复频率脉冲功率技术研究。利用串联单传输线获得了幅度约200 kV,时间间隔约500 ns的双脉冲。利用并联使用的Blumlein系统和特殊设计的汇流/隔离网络获得了幅度约275 kV,时间间隔约500 ns的三脉冲。利用并联MOSFET和感应叠加原理研制了6 kV/2.5 MHz固体调制器。结果表明:3种方式均可以猝发MHz的方式输出高品质的高压脉冲串,可根据实际的需求选择合适技术路线。
- 李劲李欣刘小平张良赵军平黄子平戴光森石金水章林文邓建军
- 关键词：脉冲功率高压硅堆脉冲形成线MOSFET高重复频率
- 基于MOSFET的高重复频率固体开关技术研究
- 高重复频率的脉冲功率源技术是脉冲功率技术发展的方向之一,高重复频率脉冲功率源技术的关键技术是高重复频率的开关技术.适合运行在MHz重复频率下的电子器件主要有MOSFET、IGBT和PCSS,其中MOSFET和IGBT是电...
- 赵军平
- 关键词：MOSFET重复频率固体开关
- 文献传递
- 基于MOSFET的固体开关技术实验研究
- 2004年
- 采用两只DEI公司的1kV、24A MOSFET器件及安捷伦公司的高带宽光纤收发对HFBR-1119T和HFBR-2119T，研究固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串、并联使用等关键技术。单器件开关获得了1kV、60A、2MHz的重复频率脉冲输出。两器件并联获得了1kV、130A、2MHz的输出。两器件串联开关获得了1．5kV、80A的单脉冲输出。
- 赵军平章林文李劲
- 关键词：MOSFET固体开关重复频率电路设计脉冲功率技术
- MHz重复频率脉冲功率技术
- 采用串联单传输线、并联Blumlein脉冲形成线和高重复频率固体开关等技术路线开展了MHz重复频率脉冲功率技术研究.利用串联单传输线获得了幅度约200 kV,时间间隔约500 ns的双脉冲.利用并联使用的Blumlein...
- 李劲邓建军李欣刘小平张良赵军平黄子平戴光森石金水章林文
- 关键词：脉冲功率高压硅堆脉冲形成线MOSFET高重复频率
- 文献传递
- 基于MOSFET的固体开关技术实验研究被引量：31
- 2004年
- 采用两只1kVMOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对,研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术。单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出。两器件并联开关获得了130A,2MHz的输出。两器件串联开关获得了1 6kV,2MHz重复频率脉冲串输出。
- 赵军平章林文李劲
- 关键词：FDTDMOSFET固体开关
