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赵二俊

作品数:11 被引量:33H指数:3
供职机构:内蒙古工业大学理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金教育部“春晖计划”更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学建筑科学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇文化科学
  • 1篇建筑科学

主题

  • 5篇第一性原理
  • 2篇第一性原理计...
  • 2篇力学性质
  • 2篇复用
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  • 2篇波分复用
  • 2篇波分复用器
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机构

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作者

  • 10篇赵二俊
  • 4篇杜云刚
  • 3篇迎春
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  • 1篇李继军
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传媒

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  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇科技与创新

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
三波长光子晶体耦合波分复用器的设计与仿真被引量:3
2016年
目前,光子晶体的波导共振耦合技术被广泛应用,设定波长下的波导透射频率的高低成为影响器件功能优劣的重要因素。首先对比了改变光子晶体介质柱折射率和半径的大小与耦合点归一化频率的关系,之后利用时域有限差分法设计了一种由三种波导构成的共振耦合型光子晶体结构的波分复用器,并且在波长分别为1 490 nm与1 440 nm的光信号下的波导共振区域增加了一定数量的介质柱形成一种新的微腔耦合区域。并且通过在1 310 nm波长的输出信道末端改变介质柱的半径大小,使得1 310 nm波长的光信号的透射率提高到了95.5%。研究表明,通过增大介质柱半径的大小Rc,可以使得对应的光信号透射率的大幅改善。
朱蒙赵二俊杜云刚
关键词:光子晶体时域有限差分法波分复用器
二维光子晶体波导波分复用器的设计和优化
2015年
随着科学技术的不断发展,各种信息技术被应用于电子产品的生产中。本文作者通过建立二维光子晶体波导波分复用模型,具体探究了二维光子晶体波导波分复用器的设计和优化问题。
朱蒙赵二俊杜云刚
关键词:波分复用器
基于光电设计竞赛的专创融合教育教学研究被引量:2
2021年
分析了学科竞赛与专业课程体系融合的专创融合教学改革背景,讨论了全国大学生光电设计竞赛的现状,以及基于光电设计竞赛的专创融合教育教学需求,提出了基于光电设计竞赛的命题赛赛题、创意赛参赛项目的教学设计,其在地方院校光电类专业的实践改善了教学效果,提高了学生的创新实践能力。
杜云刚赵二俊胡秀珍
关键词:课程教学创新实践能力
铬掺杂硅团簇的结构、稳定性和光电子谱性质研究被引量:2
2020年
采用CCSD(T)/aug-cc-pVTZ-DK//MP2/6-31G(2df,p)和B3LYP/aug-cc-pVTZ基组研究了小尺寸团簇CrSin(n=3~9)及其阴离子的结构、稳定性以及光电子谱。结果表明:中性及其阴离子的基态结构是外嵌结构。由计算得出的解离能可知,在n<5时,CrSin中性结构的稳定性弱于其阴离子结构。在n≥5时,CrSin中性结构中,CrSi5和CrSi8结构的稳定性强于其相邻团簇;CrSin阴离子结构中,CrSi4和CrSi7结构的稳定性弱于其相邻团簇。计算得出的CrSin垂直电子解离能分别为:CrSi3(2.26 eV),CrSi4(3.21 eV),CrSi5(2.72 eV),CrSi6(3.54 eV),CrSi7(2.45 eV),CrSi8(2.71 eV)和CrSi9(2.95 eV)。除CrSi4以外,其他CrSin结构的垂直电子解离能数值与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.073 eV。计算得出的CrSin绝热电子亲和能分别为:CrSi3(2.07 eV),CrSi4(1.95 eV),CrSi5(2.4 eV),CrSi6(2.32 eV),CrSi7(2.38 eV),CrSi8(2.67 eV)和CrSi9(2.63 eV)。除CrSi6以外,其他CrSin结构的绝热电子亲和能与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.09 eV。此外,在PBE1PBE/6-31G(2df,p)水平下模拟了CrSin(n=3~9)阴离子基态结构的光电子光谱,并与报道的实验结果相比较,可以得出该研究得到的基态结构是可靠的。
林琳杨桔材迎春李继军赵二俊
关键词:基态结构稳定性光电子谱
一种用于光接收机的减震装置
本实用新型公开了一种用于光接收机的减震装置,包括主体组件,所述下壳体的内部两侧壁均焊接有固定块,所述固定块的内部滑动连接有光轴;所述缓冲组件包括套杆、阻尼块、橡胶弹簧、气囊、连块、导向槽、支撑块和板弹簧,所述支撑板的两侧...
迎春杜云刚赵二俊
文献传递
Cu掺杂ZnO稀磁半导体磁电性能影响的模拟计算被引量:3
2015年
在Cu重掺杂量摩尔数为0.02778—0.16667的范围内,对Zn O掺杂体系磁电性能影响的第一性原理研究鲜见报道.采用基于自旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法,用第一性原理计算了两种不同Cu单掺杂量Zn1-x CuxO(x=0.02778,0.03125)超胞的能带结构分布和态密度分布.结果表明,掺杂体系是半金属化的稀磁半导体;Cu掺杂量越增加、相对自由空穴浓度越增加、空穴有效质量越减小、电子迁移率越减小、电子电导率越增加.此结果利用电离能和Bohr半径进一步获得了证明,计算结果与实验结果相符合.在限定的掺杂量0.02778—0.0625的条件下,Cu单掺杂量越增加、掺杂体系的体积越减小、总能量越升高、稳定性越下降、形成能越升高、掺杂越难.在相同掺杂量、不同有序占位Cu双掺ZnO体系的条件下,双掺杂Cu-Cu间距越增加,掺杂体系磁矩先增加后减小;当沿偏a轴或b轴方向Cu—O—Cu相近邻成键时,掺杂体系会引起磁性猝灭;当沿偏c轴方向Cu—O—Cu相近邻成键时,掺杂体系居里温度能够达到室温以上的要求.在限定的掺杂量0.0625—0.16667的条件下,沿偏c轴方向Cu—O—Cu相近邻成键时,Cu双掺杂量越增加,掺杂体系总磁矩先增加后减小.计算结果与实验结果变化趋势相符合.
侯清玉许镇潮乌云赵二俊
关键词:电子结构第一性原理
高压下ZrB_3与NbB_3力学性质的第一性原理研究被引量:6
2017年
此文用密度泛函理论的赝势平面波方法的第一性原理研究了过渡金属化合物ZrB_3与NbB_3(m-AlB_2、OsB_3和MoB_3结构)在高压下的力学性质和电子结构特点,获得了在常压下,m-AlB_2是最稳定的结构,当压强升高到40GPa时发生相变,高压下最稳定是OsB_3结构.m-AlB_2-NbB_3具有最大的剪切模量204GPa,最高的德拜温度921K和最大的硬度值27.3GPa,属于潜在的超不可压缩材料.MoB_3-NbB_3、OsB_3-NbB_3和m-AlB_2-ZrB_3的硬度值分别达到了24.9GPa、22.6GPa和19.8GPa.它们的电子态主要是由M-4d态和B-2p态杂化叠加形成的,在费米能级处取值均不为零,故这些化合物都具有金属性等有益结果.
敖特根迎春赵二俊侯清玉
关键词:过渡金属化合物力学性质第一性原理
Co掺杂β-Ga_(2)O_(3)的电学性质和电荷转变能级的第一性原理计算被引量:1
2023年
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Co掺杂β-Ga_(2)O_(3)体系的电学性质和转变能级.研究发现,Co原子代替Ga原子后会导致电子结构发生显著变化.利用杂化泛函(HSE06)计算了体系的能带结构,发现随着Co掺杂浓度增加,β-Ga_(2)O_(3)禁带宽度逐渐减小,增加化合物对光的吸收,增强它们的光学性能和载流子输运能力.在β-Ga_(2)O_(3)体系的四面体格位掺入Co原子,将引入了4.00μ的磁矩,磁矩主要来源于Co原子.通过对电子局域函数的分析,可知,Ga,Co和O原子之间是共价键和离子键共同结合.在富镓的条件下,1×3×2超胞模型下,Co掺杂会形成浅受主杂质能级.
孟婷赵二俊刘雨欣
关键词:第一性原理
5d过渡金属二硼化物的结构和热、力学性质的第一性原理计算被引量:13
2013年
利用基于密度泛函理论的第一性原理系统地研究了5d过渡金属二硼化物TMB2(TM=Hf—Au)的结构、热学、力学和电学性质.我们考虑了三种结构,分别为AlB2,ReB2和WB2结构.计算得到的晶格常数与先前的理论和实验研究符合得很好.通过计算生成焓预测了化合物的热力学稳定性;从HfB2到AuB2,生成焓的整体趋势是逐渐增加的.在所考虑的结构中,对HfB2和TaB2,AlB2结构是最稳定的;对WB2,ReB2,OsB2,IrB2和AuB2,ReB2结构是最稳定的;对PtB2,WB2结构是最稳定的.在所考虑的化合物中,ReB2结构的ReB2具有最大的剪切模量(295GPa),是最硬的化合物,与先前的理论和实验结果相符.计算得到的总态密度显示所有结构都具有金属特性.讨论了系列化合物的变化趋势.
赵立凯赵二俊武志坚
关键词:热力学性质第一性原理
(Al,Ga,In)和2N择优位向重共掺对ZnO导电性能影响的研究被引量:2
2014年
目前,虽然Zn1-xT Mx O1-y Ny(TM=Al,Ga,In)p型掺杂的理论计算研究已有报道,但是,掺杂均是随机的,没有考虑ZnO的非对称性进行择优位向掺杂.因此,本研究采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,构建TM:N=1:2比例择优位向共掺,共设六种不同的Zn1-xT Mx O1-y Ny(TM=Al,Ga,In.x=0.03125,y=0.0625)超胞模型,并分别进行几何结构优化、态密度分布和能带结构分布的计算.结果表明,重掺杂条件下,择优位向共掺后,同类择优位向共掺的体系中,TM-N沿c轴方向成键体系的电导率大于垂直于c轴方向成键体系的电导率.不同类TM-N沿c轴方向成键共掺的体系中,In-N沿c轴方向成键共掺时ZnO的电导率最强,电离能最小,Bohr半径最大,In-N沿c轴方向成键共掺对ZnO p型导电更有利.因此,TM:N=1:2比例择优位向共掺,对设计和制备导电性能更强的ZnO功能材料具有一定的理论指导作用.
侯清玉刘全龙赵春旺赵二俊
关键词:导电性能第一性原理
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