谢晓峰
- 作品数：14 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 一种仅存TE0n模式的强场模式滤波器
- 本发明公开了一种仅存TE0n模式的强场模式滤波器，包括起连接作用的输入法兰和输出法兰，两个法兰之间连接一个桶形的杂模吸收件，沿着杂模吸收件的外壁的轴向上设置有散热组件，散热组件的两端连接到两个法兰，所述散热组件包括设置在...
- 薛长江罗章杰赵柳吴尚昀陈代兵谢晓峰
- 一种基于IGBT软开关的双模式工作调制器及使用方法
- 本发明公开了一种基于IGBT软开关的双模式工作调制器及使用方法，该调制器包括：开关模块Ⅰ、开关模块Ⅱ、电流隔离模块、驱动模块Ⅰ、驱动模块Ⅱ、高压直流电源、负载和控保单元；其中开关模块Ⅰ包括多个依次串联的SiC MOSFE...
- 康壮谢晓峰袁海涛赵海
- 一种波导环形电桥
- 本发明涉及一种波导环形电桥，包括四个长方体状的波导和一个中空的柱体结构，柱体结构作为波导环，四个波导以柱体结构为中心，形成发散状的电桥，其中两个波导作为输入波导端口，另外两个波导作为输出波导端口，作为输入波导端口的波导与...
- 谢晓峰肖仕伟郑贵强吴尚昀
- 文献传递
- 多倍频程GaN分布式功率放大器的设计与实现
- 2013年
- 分布式放大器结构是一种能够实现极宽带宽的放大电路结构。不过由于晶体管自身功率密度的限制,分布式放大器大多用于小信号放大器的设计中。第3代宽禁带半导体GaN具有击穿场强高、输出功率密度大的优点,随着GaN晶体管的发展成熟,将其应用于分布式放大器结构中能够实现宽带功率放大器。本文采用4个GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)分立器件进行分布式功率放大器设计,并以混合集成电路工艺加工,实现了0.3～2.5GHz的多倍频程宽带功率放大器。最终得到的测量结果显示,功率放大器在0.3～2.5GHz的频带内,饱和输出功率大于39dBm,线性增益大于8dB,最大PAE大于15%。
- 谢晓峰肖仕伟沈川吴尚昀
- 关键词：GAN分布式放大器宽带功率放大器
- 基于GaN的多倍频程宽带功率放大电路设计被引量：3
- 2013年
- 随着第三代半导体GaN技术的发展成熟,GaN功率器件在各种电子系统中逐渐得到了广泛应用。由于GaN的功率器件具有击穿场强高和功率密度大的特点,因此很适合应用于功率放大技术中。结合商用GaN高电子迁移率晶体管的自身特性,基于GaN高电子迁移率晶体管的大信号模型,采用电抗匹配的方式,通过ADS软件进行仿真优化,设计并制作了0.5～4 GHz的宽带GaN功率放大器。最终测试结果表明,功率放大器在0.5～4 GHz的频带内,线性增益大于8.5 dB,增益平坦度为±1.3 dB。功率放大器饱和输出功率大于7 W,各个频点的最大功率附加效率大于22%,其中在1～3.75 GHz内饱和输出功率大于10 W,最大功率附加效率均大于40%。
- 谢晓峰肖仕伟郑贵强
- 关键词：氮化镓第三代半导体微波放大器
- 一种仅存TE0n模式的强场模式滤波器
- 本发明公开了一种仅存TE0n模式的强场模式滤波器，包括起连接作用的输入法兰和输出法兰，两个法兰之间连接一个桶形的杂模吸收件，沿着杂模吸收件的外壁的轴向上设置有散热组件，散热组件的两端连接到两个法兰，所述散热组件包括设置在...
- 薛长江罗章杰赵柳吴尚昀陈代兵谢晓峰
- 文献传递
- 1～2GHz宽带GaN功率放大器的设计与实现被引量：9
- 2013年
- 针对GaN HEMT的自身特性,采用电抗匹配放大器结构,基于ADS谐波平衡仿真软件,设计了一个1～2GHz宽带功率放大器。设计采用Cree公司提供的CGH400系列GaNHEMT大信号模型,并用混合集成电路工艺实现了功率放大器。测试结果显示,功率放大器在1～2GHz频带内,饱和输出功率大于40.2dBm,小信号增益大于14dB,最大PAE大于70%。
- 谢晓峰肖仕伟沈川
- 关键词：氮化镓功率放大器宽带
- 大功率定向耦合器设计
- 在大功率微波系统中,为了提高功率容量多采用过模圆波导作为主波导传输大功率信号,通过耦合器提取小信号实现在线功率测量.利用小孔耦合理论,设计了基于切比雪夫阵列小孔的TEO01-TE□10定向耦合器,运用CST软件对耦合器结...
- 赵海赵柳刘洋谢晓峰
- 关键词：优化设计拓扑结构
- 2-10GHz高效功率放大技术研究
- 课题开展了2-10GHz超宽带高效功率放大技术的研究。文中首先对超宽带放大技术进行研究，分别采用电抗匹配放大技术、RLC匹配放大技术、分布式放大技术，结合GaN HEMT，设计实现了三个多倍频程超宽带功率放大电路，带宽分...
- 谢晓峰
- 关键词：系统设计带宽性能
- 一种孔轴轴线空间对齐装置及方法
- 本发明公开了一种孔轴轴线空间对齐装置及方法，所述装置及方法利用高精度非接触式位移传感器对待对齐轴和孔的端面相对位置与轴线相对位置进行测量，分步实现轴和孔端面的平行及轴和孔轴线的空间对齐，该方法采用非接触式测量方法，测量方...
- 井庆祝刘祥于洋郑贵强谢晓峰闫锋
