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许淼

作品数：68 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 67篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 38篇半导体
  • 26篇半导体器件
  • 23篇FINFET
  • 21篇穿通
  • 20篇鳍片
  • 19篇沟道
  • 18篇掺杂
  • 17篇栅极
  • 14篇阈值电压
  • 14篇衬底
  • 12篇介质层
  • 12篇背栅
  • 10篇源区
  • 10篇埋层
  • 10篇MOSFET
  • 9篇堆叠
  • 9篇掺杂剂
  • 8篇漏电
  • 8篇漏电流
  • 8篇晶体管

机构

  • 68篇中国科学院微...

作者

  • 68篇许淼
  • 66篇朱慧珑
  • 39篇梁擎擎
  • 27篇尹海洲
  • 11篇马小龙
  • 10篇殷华湘
  • 8篇朱正勇
  • 4篇徐秋霞
  • 2篇王桂磊
  • 2篇赵利川
  • 2篇周华杰
  • 2篇李春龙
  • 2篇钟汇才
  • 2篇罗军
  • 2篇赵恒亮
  • 2篇赵治国
  • 2篇张永奎
  • 2篇杨红
  • 1篇李俊锋

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 6篇2019
  • 7篇2018
  • 8篇2017
  • 13篇2016
  • 14篇2015
  • 12篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
共 68 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
鳍结构制造方法
本发明公开了一种鳍结构制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成初始鳍；在衬底上形成电介质层，以覆盖初始鳍；通过溅射，对电介质层平坦化处理；进一步电介质层进行回蚀，以露出初始鳍的一部分，该露出部分用作鳍。
朱慧珑许淼罗军李春龙王桂磊
文献传递
用于后栅工艺的SOI-FinFET选择性沟道缩小技术
2015年
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区寄生电阻增大,驱动电流减小。提出了一种用于FinFET后栅工艺的选择性沟道缩小技术,即在去除多晶硅假栅后,对沟道区露出的Fin进行氢气(含氯基)热退火处理,在减小沟道区Fin的宽度、使沟道区Fin表面光滑的同时,保持源漏扩展区Fin的宽度不变。这种自对准的沟道缩小方法简单有效地解决了亚阈值特性和源漏扩展区寄生电阻对Fin宽要求不一致的问题,并改善了器件的拐角效应。这项工艺集成技术应用于栅长为25 nm^0.5μm的SOI-FinFET器件结构中,并测试得到了良好的器件电学特性。
李俊锋马小龙王防防许淼
关键词：SOI衬底亚阈值特性
全包围栅场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了一种全包围栅场效应晶体管的制造方法，包括：提供SOI衬底，顶层硅中形成有鳍；在鳍上形成伪栅器件，并覆盖伪栅极两侧形成层间介质层；去除伪栅极，以形成开口；去除开口下部分厚度的埋氧层，以释放开口中的鳍；在开口中形...
徐唯佳马小龙殷华湘许淼朱慧珑
文献传递
半导体设置及其制造方法
本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例半导体设置可以包括：衬底；以及在衬底上形成的第一单元半导体器件和第二单元半导体器件。第一单元半导体器件可以包括第一栅堆叠，第二单元半导体器件可以包括第二栅堆叠。第一栅堆叠可以...
朱慧珑赵治国张永奎马小龙许淼殷华湘杨红
文献传递
MOSFET及其制造方法
本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括SOI晶片，所述SOI晶片包括底部的半导体衬底、第一氧化物埋层和第一半导体层；源区和漏区，形成在第一半导体层中；沟道区，形成在第一半导体层中，沟道区夹在源...
朱慧珑许淼梁擎擎
文献传递
半导体器件制造方法
半导体器件制造方法。本发明提供了一种FinFET制造方法，其中，形成隔离绝缘层之后的第一次平坦化工艺并不暴露出鳍片结构，而是在随后的HKMG和接触层形成的过程之中，分别对隔离绝缘层进行回刻蚀，以暴露出FinFET的沟道区...
徐唯佳殷华湘马小龙许淼
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FinFET及其制造方法
本申请公开了一种FinFET及其制造方法，该FinFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的应力作用层；应力作用层上的半导体鳍片，该半导体鳍片包括沿着其长度方向延伸的两个侧壁；半导体鳍片的侧壁上的栅极介质层；栅极介质层上的栅...
朱慧珑许淼
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FinFET及其制造方法
公开了一种FinFET及其制造方法。该制造FinFET的方法包括：在半导体衬底的内部形成掺杂穿通阻止层；利用半导体衬底位于掺杂穿通阻止层上方的部分形成半导体鳍片；形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极电介质和栅极导...
朱慧珑许淼梁擎擎尹海洲
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个鳍片，其中鳍片沿第一方向延伸并且具有类菱形截面；在每个鳍片上形成栅极堆叠结构，栅极堆叠结构横跨多个鳍片并且沿第二方向延伸；其中，每个鳍片中位于栅极堆叠结构下方的部...
马小龙殷华湘许淼朱慧珑
文献传递
MOSFET及其制造方法
本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括SOI晶片，所述SOI晶片包括底部半导体衬底、第一氧化物埋层和第一半导体层；源区和漏区，形成在SOI晶片上方的第二半导体层中，第二半导体层与SOI晶片之间...
朱慧珑许淼梁擎擎
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