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袁志鹏

作品数：19 被引量：19H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 18篇电子电信

主题

  • 7篇INGAP/...
  • 6篇HBT
  • 5篇电路
  • 4篇调制
  • 4篇调制器
  • 4篇异质结
  • 4篇晶体管
  • 4篇光调制
  • 4篇光调制器
  • 4篇光调制器驱动...
  • 4篇INGAP/...
  • 3篇异质结双极晶...
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇自对准
  • 3篇放大器
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇驱动电路
  • 2篇自对准工艺
  • 2篇跨阻放大器

机构

  • 19篇中国科学院微...
  • 4篇四川大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 19篇袁志鹏
  • 9篇刘训春
  • 8篇吴德馨
  • 7篇孙海锋
  • 7篇刘新宇
  • 5篇王润梅
  • 4篇石瑞英
  • 3篇孙海峰
  • 3篇白大夫
  • 3篇郑丽萍
  • 3篇和致经
  • 3篇罗明雄
  • 2篇汪宁
  • 2篇刘洪刚
  • 2篇王素琴
  • 1篇樊宇伟
  • 1篇钱永学
  • 1篇王淑琴
  • 1篇张龙海
  • 1篇狄浩成

传媒

  • 11篇Journa...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇电子学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇2005
  • 12篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2000
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能
2004年
在发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上 ,研究了发射极宽度为 2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺 ,用简单方法制备出了发射极宽度为 2 μm的 In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为 2 μm× 1 5 μm时器件的截止频率高达 81 GHz,且集电极电流密度为 7× 1 0 4 A/ cm2 时仍没有出现明显的自热效应 .它的高频和直流特性均比发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT的有了显著提高 。
石瑞英孙海峰刘训春袁志鹏罗明雄汪宁
关键词：自对准工艺
高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT
2005年
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该功率管最大输出功率为 2 3 5dBm ,最大功率附加效率达 6 0 % ,P1dB的输出功率为 2 1dBm ,对应增益为 16dB ,工作电压为 3 5V .
郑丽萍袁志鹏樊宇伟孙海锋狄浩成王素琴刘新宇吴德馨
关键词：功率附加效率INGAP/GAAS
快速计算在片螺旋电感Q值的方法
提出了一种简便、准确的计算电感Q值的方法.这种方法直接从测量的S参数计算出电感的Q值,并用这种方法和两种常用方法做了分析比较.本文提出的算法不需要使用优化算法,不需要提取等效电路参数,避免了电感等效电路模型的误差,所以更...
袁志鹏苏树兵郑丽萍刘新宇
关键词：电感Q值S参数等效电路集成电路
文献传递
10Gbps Transimpedance Amplifier for Optoelectronic Receivers Based on InGaP/GaAs HBTs
2004年
A transimpedance amplifier based on InGaP/GaAs HBTs,which is applicable for 10Gbps bit rate,is developed and realized.Compact chip layout guarantees good flat gain,linear phase,and small group delay time variation.Measured transimpedance gain is 40 dB·Ω and 3dB bandwidth is 10GHz.
袁志鹏孙海锋刘新宇吴德馨
关键词：TIAHBTINGAP
HBT功率放大器线性化器
一种HBT功率放大器线性化器，包括：一第一晶体管，该第一晶体管的基极和集电极相连，其发射极通过一电阻接地；一第二晶体管，该第二晶体管的基极和集电极相连，其发射极接第一晶体管的集电极，第二晶体管的集电极通过一电阻与控制电压...
白大夫刘训春袁志鹏
文献传递
10Gb/s光调制器InGaP/GaAs HBT驱动电路的研制被引量：2
2004年
采用自行研发的 4英寸InGaP/GaAsHBT技术 ,设计和制造了 10Gb/s光调制器驱动电路 .该驱动电路的输出电压摆幅达到 3Vpp,上升时间为 34 2ps(2 0～ 80 % ) ,下降时间为 37 8ps(2 0～ 80 % ) ,输入端的阻抗匹配良好 (S11=- 12 3dB @10GHz) ,达到 10Gb/s光通信系统 (SONETOC 192 ,SDHSTM 6 4 )的要求 .整个驱动电路采用 - 5 2V的单电源供电 ,总功耗为 1 3W ,芯片面积为 2 0 1× 1 38mm2 .
袁志鹏刘洪刚刘训春吴德馨
关键词：光发射机光调制器驱动电路INGAP/GAASHBT
2.5～10Gb/s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究被引量：2
2000年
主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电路HEMTIC设计开展研究。着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响，给出了满足电路性能要求的器件参数范围；对2.5～10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真，眼图模拟结果表明满足2.5～10Gb/s高速光纤通信系统需要。
高建军袁志鹏吴德馨
关键词：HEMT器件性能研究光纤通信
10Gb/s光调制器驱动电路和跨阻放大器电路研究
本论文开展了2.5~10Gb/s光调制器驱动电路和跨阻放大器电路的研究工作,主要在HEMT、HBT器件建模,无源器件建模,调制器驱动电路和跨阻放大器电路的设计制作、MMIC制造工艺以及微波测试等方面进行了研究.利用模拟退...
袁志鹏
关键词：光调制器驱动电路跨阻放大器
晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响
2004年
在对 In Ga P/ Ga As HBT特性的研究中发现 ,发射极长边与主对准边垂直 ([0 1 1 ]方向 )和平行 ([0 1 1 ]方向 )放置时 ,其直流电流增益和截止频率是不同的 .[0 1 1 ]方向的直流电流增益远远大于 [0 1 1 ]方向 ,而它的截止频率则略小于 [0 1 1 ]方向 .文献中认为电流增益的不同是压电效应产生的 ,但这种观点并不能很好地解释截止频率的晶向依赖性 .
石瑞英刘训春孙海峰袁志鹏
关键词：INGAP/GAAS截止频率压电效应
InGaP/GaAs HBT 10Gb/s光调制器驱动电路的研制
我们采用微电子中心自行开发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.并在高频电信号测试上取得突破,该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间达34.2ps(20~80％),下...
刘洪民袁志鹏孙海锋和致经王素琴王润梅刘新宇吴德馨
关键词：光调制器驱动电路
文献传递
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