蔡伟
- 作品数：11 被引量：23H指数：3
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- 一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源被引量：5
- 2008年
- 提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃-125℃范围内的温度系数为12.9×10^-6/℃,频率为10 Hz时的电源抑制比为67.2 dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中.
- 曹寒梅杨银堂蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：带隙电压基准源
- 采用补偿方式提高性能的采样保持电路
- 采用补偿方式提高性能的采样保持电路，由采样单元与补偿单元组成，其中补偿单元包括补偿电源、补偿电容、控制开关、控制时钟等。补偿时通过设定、改变补偿电源或补偿电容的相应值即可改变误差补偿电压，容易控制补偿范围和补偿步长精度，...
- 蔡伟王宗民杨松张铁良虞坚郭永恒
- 文献传递
- 一种基于横向PNP管的低失调CMOS带隙基准源被引量：1
- 2007年
- 基于横向寄生PNP管，提出了一种新颖结构的低失调CMOS带腺基准源。该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响．提高带腺抗工艺失调的能力。仿真结果表明，基准电压为1．2280V，在—40℃～125℃．典型偏差小于2．7mV，温度系数为13．9ppm／℃。该带腺具有较好的工艺稳定性，在各工艺角情况下，失调电压小于±25．3mV．比传统带腺相对精度提高了3．3倍。最后，基于0．35μm CMOS工艺实现了该电压基准源。
- 蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：带隙基准失调电压电流失配
- 适用于高速信号传输的低失真及宽带模拟开关被引量：1
- 2008年
- 提出了一种应用于高速信号传输系统的低失真、宽带自举模拟开关电路．所提出开关的栅源过驱动电压由NMOS和PMOS开启电压之和决定，并能够实现轨到轨（rai-to-rail）输入范围内开关的栅源电压与阈值电压之差（KGST）保持恒定，而且基本消除了体效应的影响．采用TSMC0．18μmCMOS工艺，HSPICE仿真结果表明，输入信号在0～1．8V之间变化时，开关的KGST基本保持恒定，其-3dB带宽大于10GHz；当输入信号的频率为1．5GHz，满摆幅电压为0．8V时，输出信号几乎能够无衰减的跟随输入信号，其无杂散动态范围为65．4dB．
- 曹寒梅蔡伟杨银堂陆铁军王宗民
- 关键词：低失真轨到轨自举
- 采用补偿方式提高性能的采样保持电路
- 采用补偿方式提高性能的采样保持电路，由采样单元与补偿单元组成，其中补偿单元包括补偿电源、补偿电容、控制开关、控制时钟等。补偿时通过设定、改变补偿电源或补偿电容的相应值即可改变误差补偿电压，容易控制补偿范围和补偿步长精度，...
- 蔡伟王宗民杨松张铁良虞坚郭永恒
- 快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计(英文)被引量：3
- 2008年
- 基于交叉耦合NMOS单元,提出了一种低压、快速稳定的CMOS电荷泵电路。一个二极管连接的NMOS管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性。PMOS串联开关用于将信号传输到下一级。仿真结果表明,4级电荷泵的最大输出电压为7.41V,建立时间为0.85μs。
- 曹寒梅杨银堂陆铁军王宗民蔡伟
- 关键词：电荷泵CMOS
- 一种宽频输入的高速低功耗模数转换器
- 本发明一种宽频输入的高速低功耗模数转换器，该模数转换器将输入频率监测模块、功耗控制模块和受控模数转换器模块集成于一体，其中输入频率监测模块包括输入信号预处理电路、监测时钟生成电路和频率计数电路，功耗控制模块包括功耗控制逻...
- 蔡伟王宗民张铁良杨松何斌李崎嶂李国峰虞坚李浩
- 文献传递
- 低功耗无损电流检测技术的分析与设计被引量：5
- 2008年
- 通过分析DC-DC电流模开关电源的结构,提出了一种新颖的低功耗无损电流检测技术,降低了开关电源的静态功耗。该技术实现了"虚拟"的无损电流检测电阻和一个低功耗高灵敏度的电流检测放大器。通过降低电流检测电路的功耗,优化了电流模开关电源控制环路的功耗,从而实现了静态功耗的最小化。基于无损电流检测技术设计,开关电源的静态功耗为61.22mW,为典型情况的57.5%。
- 刘布民蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：电流模开关电源寄生电阻
- 应用于高速信号传输系统的多路选择器(英文)被引量：3
- 2008年
- 提出了一种能够传输高速信号的多路选择器,并为其设计了一种低失真、宽带模拟开关.所提出开关的栅源过驱动电压由nMOS和pMOS的开启电压之和决定,并能够确保输入变化时,开关的栅源电压与阈值电压之差（VGST）保持恒定,从而基本消除了体效应的影响.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,HSPICE仿真结果表明,输入信号在0.3～1.7V之间变化时,开关的VGST基本保持恒定,其-3dB带宽大于10GHz,当输入频率为1GHz时,其无杂散动态范围为67.11dB;开关的开启时间为2.98ns ,关断时间为1.35ns,确保了多路选择器的break-before-make特性.该结构可应用于高速信号传输系统中.
- 曹寒梅杨银堂蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：低失真多路选择器模拟开关
- 基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源被引量：5
- 2008年
- 该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15～70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz^1MHz频带内的总的输出噪声电压为148.7μV/sqrt(Hz)。
- 曹寒梅杨银堂蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：带隙电压基准源温度稳定性
