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一维纳米结构太阳电池及其研究进展被引量：1: 2013年; 一维纳米材料是一种新型的光伏材料,具有显著的二维量子限制效应、良好的光吸收特性和光学减反射特性,在改善太阳电池的光伏性能方面具有潜在应用.介绍了纳米线和纳米管等一维纳米结构的光吸收特性,重点评述了Si纳米线、GaAs纳米线和碳纳米管等一维纳米材料在太阳电池应用上的研究进展,同时指出了一维纳米结构太阳电池研究中存在的一些问题,并提出了其今后的发展方向,如优化工艺和电池组态形式、改善界面特性以及深入揭示一维纳米结构太阳电池的载流子输运机制等.; 彭英才蒋冰陈乙豪沈波马蕾; 关键词：一维纳米结构光吸收特性

高效率量子点中间带太阳电池的构建与实现: 2012年; 中间带太阳电池是为了充分利用太阳光谱中的红外光子能量而提出的一种高效率新概念太阳电池。介绍了中间带太阳电池的能量上转换原理、量子点中间带的物理优势、量子点中间带太阳电池的结构组态和理论转换效率。评述了它的近期研究进展,并提出了发展这种新概念太阳电池的若干技术对策,其中包括补偿量子点的积累应变、优化量子点的生长参数和选择新的量子点结构。最后指出,由于应变的补偿,有序量子点层的形成以及新量子点结构的采用使太阳电池的光伏性能得以有效改善。可以预期,具有高转换效率的量子点中间带太阳电池的构建与实现将会对未来的光伏技术与产业带来革命性的影响。; 彭英才王峰江子荣马蕾蒋冰陈乙豪

表面等离子增强太阳电池及其研究进展被引量：1: 2013年; 利用各种金属纳米微粒在薄膜太阳电池表面产生的等离子光散射与光俘获效应,可以有效增加太阳电池对入射光子能量的吸收,由此达到提高太阳电池转换效率的目的。首先,介绍了发生在薄膜太阳电池表面的等离子增强效应和表面等离子增强太阳电池的结构类型。然后,评述了一些典型表面等离子增强太阳电池在光伏特性方面的研究进展,如Si基薄膜表面等离子增强太阳电池、量子阱表面等离子增强太阳电池和有机薄膜表面等离子增强太阳电池。最后,指出了今后发展表面等离子增强太阳电池的一些物理思考与技术对策,如表面等离子增强效应物理机制的解释、金属纳米微粒的性质与等离子增强效应之间内在联系的阐明、新型金属纳米微粒材料的选择以及优化金属纳米结构的设计等。; 彭英才马蕾沈波蒋冰陈乙豪; 关键词：光散射

衬底温度对nc-Si:H薄膜微结构和氢键合特征的影响被引量：1: 2013年; 采用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以H2和SiH4作为反应气体源,在不同的衬底温度下沉积了nc-Si∶H薄膜。采用Raman散射、X射线衍射、红外吸收等技术分析了薄膜的微结构和氢键合特征。结果表明,随衬底温度的升高,nc-Si∶H薄膜的沉积速率不断增大,晶化率和晶粒尺寸增加,纳米硅颗粒呈现出Si(111)晶面的择优生长趋势。键合特性显示,薄膜中的氢含量随衬底温度升高而逐渐减小,薄膜均匀性先增大后减小。; 陈乙豪蒋冰马蕾李钗彭英才; 关键词：衬底温度

表面陷光技术及其在太阳电池中的应用: 2014年; 采用各种表面陷光技术可以增强太阳电池表面的光吸收,由此能够提高太阳电池的能量转换效率.本文评述了采用表面织构、表面等离子增强效应、光子晶体、透明导电氧化物薄膜等表面陷光结构的光学特性,及其在改善太阳电池光伏性能方面的研究进展.指出了各自潜在的优势和存在的问题,并提出了未来研究的若干技术对策.; 彭英才陈乙豪蒋冰沈波马蕾; 关键词：太阳电池表面织构光子晶体透明导电氧化物

nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性被引量：1: 2014年; 利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900—1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品.Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化.透射电子显微镜照片显示出α-Si:H层中形成的Si纳米晶粒的纵向尺寸被α-SiC:H层所限制,而与α-Si:H层的厚度相当,晶粒的择优取向是?111?晶向.傅里叶变换红外吸收谱则清楚地显示出,高温退火导致多层膜中的H原子大量逸出,以及α-SiC:H层中有更多的Si-C形成.对nc-Si:H/α-SiC:H多层膜吸收系数的测量证明,多层膜的吸收主要由nc-Si:H层支配,随着Si晶粒尺寸减小,多层膜的光学带隙增大,吸收系数降低.而当nc-Si:H层厚度不变时,α-SiC:H层厚度变化则不会引起多层膜吸收系数以及光学带隙的改变.; 马蕾蒋冰陈乙豪沈波彭英才; 关键词：H 量子限制效应

a-Si:H/(nc-Si:H/)//a-SiC:H多层薄膜的制备与光电特性研究: 本课题采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术，以SiH4、CH4和H2为反应气体，在单晶硅和石英衬底上制备a-Si:H//a-SiC:H多层薄膜，并采用高温热退火工艺获得nc-Si:H//a-SiC:H...; 蒋冰; 关键词：PECVD 光学特性电学特性; 文献传递

a-Si∶H/a-SiC∶H多层薄膜的光、电特性研究: 2016年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH_4、CH_4和H_2为反应气体,在单晶硅和石英衬底上制备a-Si∶H/a-SiC∶H多层薄膜。利用透射电子显微镜(TEM)对样品的微结构进行了表征,同时对其电子输运性质和光吸收特性进行了实验研究。结果表明,本实验条件下制备的多层薄膜样品为非晶态多层薄膜结构,并且样品具有良好的周期性结构和陡峭的界面特性。室温条件下,样品在垂直方向上呈现出多势垒顺序共振隧穿特性。由于量子限制效应,当a-Si∶H势阱层厚度<8nm,随着势阱层厚度减小,样品的光学带隙增大,光吸收系数减小。; 蒋冰丁宁陈乙豪马蕾; 关键词：PECVD 电子输运性质光吸收特性

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蒋冰