胡宽
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
- 发文基金：武汉市科技攻关计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
- 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,...
- 胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
- 关键词：薄膜腔声谐振器谐振频率
- 文献传递
- AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明，谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好，谐振频率达1．759GHz，机电耦合系数3．75％，品质因数79．5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能，明确了结构因素对器件频率特性的影响，分析了其中的机制。
- 胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
- 关键词：薄膜腔声谐振器频率特性
- AlN薄膜体声波谐振器性能分析被引量：1
- 2007年
- 采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型AlN薄膜体声波谐振器。研究了压电层、上电极及支撑层厚度对谐振器性能的影响。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有(002)择优取向,器件频率特性良好。当上电极、压电层、底电极和支持层的厚度分别为110,2600,110,200nm时,谐振频率为1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。结合Mason等效电路模型模拟分析与实验结果,分析了各层厚度对频率特性的影响机理。
- 胡光顾豪爽张凯胡宽吴小鹏
- 关键词：电子技术薄膜体声波谐振器氮化铝
- Mo电极上磁控反应溅射AlN薄膜被引量：4
- 2009年
- 采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响。用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长。氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜。经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备。
- 熊娟顾豪爽胡宽吴小鹏
- 关键词：ALN薄膜射频磁控反应溅射
- Pt电极的磁增强反应离子刻蚀的研究被引量：1
- 2008年
- 以SF6/O2作为刻蚀气体,用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术,对磁控溅射法制备的Pt电极进行了刻蚀。结果表明:Pt的刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率以及刻蚀功率都有一定关系。在相同功率下,R[O2∶(SF6+O2)]=2/6,刻蚀速率达到极大值,功率为120W时,刻蚀速率极大值为12.4nm/min。AFM分析表明,薄膜表面的粗糙度随刻蚀功率增加而变大,均方根粗糙度从120W时的0.164nm增加到160W时的0.285nm。经优化工艺参数刻蚀后的Pt电极图形结构平整,边缘整齐。
- 吴小鹏陈侃松顾豪爽胡宽熊娟
- 关键词：电子技术PT电极刻蚀速率表面形貌
- 固态封装型的体声波谐振器的制备与性能分析被引量：2
- 2009年
- 以Ti/Mo为布喇格反射层,在Mo底电极上沉积了高c轴择优取向的AlN薄膜,并采用微机电系统(MEMS)工艺制备了固态封装型体声波谐振器。用原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)测试了布喇格反射层的粗糙度和截面,用微波探针台和网络分析仪测试了以优化工艺参数条件制备的谐振器(FBAR)的频率特性,得到谐振器的谐振频率为2.51GHz,有效机电耦合系数为3.89%,串并联品质因数为134.2和97.8。
- 熊娟顾豪爽胡宽吴小鹏吴雯
- 关键词：体声波谐振器表面粗糙度
- Mo电极上磁控反应溅射AlN薄膜
- 采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响。用XRD分析了薄膜的择优取向，用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征...
- 熊娟顾豪爽胡宽吴小鹏
- 关键词：氮化铝薄膜钼电极
- A1N薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
- 采用体硅微细加工工艺制备了基于 AlN 压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响．以 X 射线衍射仪、扫描电镜表征了 AlN 压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性．测...
- 胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
- 关键词：薄膜腔声谐振器频率特性
- 文献传递
- Mo电极形貌对AlN薄膜择优取向生长的影响
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法在不同形貌的Mo电极上制备了(002)择优取向的AlN薄膜。采用XRD、FESEM表征了Mo电极及AlN薄膜的结构、表面形貌及择优取向。结果表明,Mo电极的形貌影响AlN薄膜的择优取向生长,在较高溅射气压下沉积的Mo电极晶粒细小、分布均匀,有助于AlN薄膜(002)择优取向生长。
- 熊娟顾豪爽胡宽
- 关键词：磁控溅射ALN薄膜
- AlN薄膜体声波梯形滤波器的制备与性能分析被引量：1
- 2009年
- 用Mason一维等效电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器的传输特性。讨论了谐振器级联数对滤波器插入损耗和带外抑制的影响。以AlN薄膜为压电材料,采用微机电系统(MEMS)工艺流程制备了3级梯形结构的滤波器,用扫描电镜照片(SEM)和网络分析仪表征了器件的结构和传输响应特性,测试结果表明,所制备的滤波器结构完整,图形整齐,并得到滤波器的带宽为180MHz,带外衰减为-10.12dB,插入损耗为-5.15dB。
- 熊娟顾豪爽胡宽吴小鹏吴雯
- 关键词：滤波器薄膜体声波谐振器ALN
