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罗一生

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:工业与信息化部工业与信息化部电子信息产业发展基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇热释电
  • 2篇射频溅射
  • 2篇丝网印刷
  • 2篇探测率
  • 2篇筒式
  • 2篇热释电系数
  • 2篇溅射
  • 2篇厚膜
  • 2篇PZT
  • 2篇BST
  • 1篇多孔

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇罗一生
  • 3篇张万里
  • 2篇刘祚麟
  • 2篇马建福
  • 2篇赵强
  • 1篇吴传贵
  • 1篇罗文博
  • 1篇彭强祥

传媒

  • 2篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
丝网印刷制备大面积多孔PZT热释电厚膜与器件
2011年
采用丝网印刷法在氧化铝基片上制备了大面积多孔PbZr0.3Ti0.7O3热释电厚膜与单元红外探测器。通过掺入Li2CO3与Bi2O3作为助烧剂,实现了厚膜在850℃下的低温烧结。通过保持合适的孔隙率,将厚膜的相对介电常数降低至原值的1/5以提高材料优值与探测率。厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为94与0.017。测试了厚膜相对介电常数与损耗随温度的变化规律,测得其居里温度为425℃。通过动态法测试得到厚膜的热释电系数为0.9×10-8 Ccm-2K-1。使用由斩波器调制的黑体辐射,测得单元器件在8.5~2 217 Hz的电压响应与噪声,计算出器件的探测率为3.4×107~1.7×108cmHz1/2W-1。
吴传贵罗一生彭强祥罗文博张万里
关键词:丝网印刷厚膜PZT热释电
倒筒式射频溅射自偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响
采用倒筒式射频溅射方法,在 Pt/Ti/SiO/Si 基片上制备了 BaSrTiO(简称 BST)薄膜。研究了自偏压对 BST 薄膜结构及电学性能的影响。在较高自偏压下制备的 BST 薄膜具有高度的(100) 择优取向,...
赵强罗一生刘祚麟马建福张万里
关键词:BST射频溅射热释电系数探测率
文献传递
丝网印刷法制备热释电厚膜
锆钛酸铅(PbZrTiO3,简称PZT)材料具有优异的铁电、压电、热释电性能,被广泛用于制造各种传感器、换能器与驱动器。为了满足大功率激光器和灵巧弹药等对红外探测器频率响应高、敏感元面积大的使用要求,本论文开展了PZT厚...
罗一生
关键词:丝网印刷厚膜PZT热释电
文献传递
倒筒式射频溅射频偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响
2007年
采用倒筒式射频溅射方法,在Pt、Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C.cM-2.K-7.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.
赵强罗一生刘祚麟马建福张万里
关键词:BST射频溅射热释电系数探测率
共1页<1>
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