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管坤

作品数:6 被引量:5H指数:2
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇隧穿
  • 3篇共振隧穿
  • 3篇共振隧穿二极...
  • 3篇二极管
  • 2篇电阻
  • 2篇射频识别
  • 2篇I-V特性
  • 2篇标签
  • 1篇低功耗
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇优化设计
  • 1篇有源RFID
  • 1篇直流
  • 1篇砷化镓
  • 1篇数字电路
  • 1篇数字电路设计
  • 1篇切换
  • 1篇自动切换
  • 1篇温度变化

机构

  • 6篇天津大学
  • 1篇复旦大学

作者

  • 6篇管坤
  • 5篇毛陆虹
  • 5篇张世林
  • 4篇谢生
  • 3篇王伊钿
  • 3篇郭维廉
  • 1篇赵帆
  • 1篇张莉莉

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2014
  • 5篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
集成温度传感器的无源UHF RFID标签设计与验证被引量:3
2013年
针对超高频EPC C1 Gen-2协议,设计了一款集成温度传感器的无源RFID标签。系统整体构架包括射频模拟前端、数字逻辑控制电路、温度传感电路和EEPROM存储器4部分。通过复用模拟前端电路产生的电流作为温度转换模块的偏置电流,采用时域数字量化法设计出极低功耗的温度传感电路。基于SMIC0.18μm2P4MCMOST艺库的仿真结果表明,所设计温度传感器的功耗仅为100nw。集成温度传感器的RFID标签电路仿真及FPGA验证结果表明,所设计传感标签芯片的测温范围在-20℃-80℃,有效分辨率为0.4℃。
战金雷谢生管坤毛陆虹张世林
关键词:射频识别CMOS低功耗温度传感器
基于EPC C1G2协议的温度标签数字电路设计
物联网被誉为继计算机、互联网之后的第三次信息浪潮,是一种智能、先进、互连的通信网络。射频识别(RFID)作为物联网的核心技术之一,是一类非接触式双向数据通信技术。此外,传感器的出现使人们的生活方式更加智能化,并在日常生活...
管坤
关键词:物联网数字电路射频识别优化设计
文献传递
RTD串联电阻和峰值电压随温度变化的测量与分析
2014年
对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的I-V特性随温度(T)的变化进行了系统测量,并基于此I-V特性,采用第一正阻区斜率法和第二正阻区I-V特性法测量了RTD的直流串联电阻(Rs)。分析、比较了两种方法各自的特点,发现Rs随T的降低开始阶段增大,随着T进一步降低趋于一定值或略有升高后趋于一定值。结合峰值电流(Ip)和有效起始电压(Vi)随T的变化规律解释了峰值电压(Vp)随T的降低移向高电压的现象。
郭维廉郭琦鹏谢生管坤赵帆张世林王伊钿毛陆虹
关键词:共振隧穿二极管串联电阻
共振隧穿二极管的直流变温特性被引量:2
2013年
优化设计了GaAs/InGaAs/A1As双势垒异质结构,采用台面工艺实现了RTD的器件制备,在3~350K温度范围内对器件的直流特性进行了测试分析。实验结果表明,受热电子发射电流的影响,当测试温度T〉77K时,GaAs基RTD的直流特性参数随温度变化显著;而当T%77K后,器件直流特性趋于饱和。基于实验数据外推的最高工作温度和极限负阻温度分别为370K和475K。
管坤谢生郭维廉毛陆虹张世林王伊钿
关键词:共振隧穿二极管量子效应砷化镓负微分电阻温度特性
共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立被引量:1
2013年
首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型,利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管(RTD)I-V特性数据拟合,建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上,针对150~350K温度范围内RTD I-V特性数据,利用Matlab软件拟合得到不同温度下的拟合参数,通过分析拟合参数与温度的关系,初步建立了RTD的I-V特性变温模型。
张莉莉张世林郭维廉毛陆虹王伊钿管坤
关键词:共振隧穿二极管
一种用于半有源RFID传感标签的自动切换供电系统
本发明公开了一种用于半有源RFID传感标签的自动切换供电系统,包括天线、标签模块、传感器,其特征在于,所述标签模块还包括:用于将所述标签模块的射频信号进行收集、存储、调制、解调的射频模拟单元,用于将所述射频模拟单元的基带...
谢生管坤毛陆虹战金雷张世林
文献传递
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