程贵钧
- 作品数：36 被引量：45H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院预先研究基金中国工程物理研究院核物理与化学研究所科技创新基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术核科学技术金属学及工艺更多>>
- 表面有阳极氧化层的钛吸氘动力学
- 2003年
- 应用反应速率分析方法,测定了钛片和表面有阳极氧化层的钛片在恒容体系和475～680℃下的吸氘反应速率常数,得到钛片和有阳极氧化层的钛片吸氘的活化能分别为112±2 kJ/mol和187±3 kJ/mol;钛表面氧化层越厚,表观活化能越大;实验证明氧化层具有阻氘性能。
- 刘文科曹小华彭述明龙兴贵杨本福李宏发颜登云王维笃程贵钧
- 关键词：钛动力学表观活化能
- 钛-氚反应特性研究 Ⅲ.热解吸动力学特性被引量：2
- 2006年
- 针对氚化钛后处理过程中的技术要求，在金属氢化物热力学及动力学参数测试系统上测定了氚化钛在恒容系统和350-550℃范同内热解吸反应的p-t曲线，并应用反应速率分析方法计算了其在不同温度下的速率常数，得到氚化钛热解吸反应的表观活化能Ea为（62．1士1．6）kJ／mol。
- 黄刚曹小华龙兴贵罗顺忠杨本福程贵钧刘文科
- 关键词：热解吸表观活化能
- 钛-氚反应特性研究Ⅱ.动力学特性
- 2005年
- 应用反应速率分析方法,通过测定钛在恒容系统内和823～1 023 K范围氚化反应的P-t曲线,计算了钛氚化反应的速率常数,得到钛氚化反应的表观活化能为(155.5±3.2)kJ/mol.通过与文献比较,钛氚化反应的表观活化能明显高于钛氢化和钛氘化的表观活化能.
- 黄刚曹小华龙兴贵罗顺忠杨本福刘文科程贵钧牟方明
- 关键词：钛动力学活化能
- 氘氚化钛膜中3He的热解吸行为研究
- 为理解加速释放前3He原子的演化行为，本文采用真空热解吸分析技术，系统地研究了电子枪方式制备时效氘氚化钦膜中3He的热解吸行为。通过分析氘氚化钦膜中四种3He的存在状态，可以针对其不同存在状态提出关于延缓3He的聚集和释...
- 程贵钧周晓松王维笃梁建华龙兴贵杨本福罗顺忠彭述明
- 文献传递
- 一种贮氚材料中氦存在状态的热分析装置
- 本发明提供了一种贮氚材料中氦存在状态的热分析装置，该方案包括有通过真空管道连接的样品室、四极质谱仪、消气剂床II、分子泵I、机械泵I，通过真空管道的合理布局设计，采用四极质谱法测量脱附的氦原子，克服了传统热分析方法直接测...
- 程贵钧杨本福彭述明龙兴贵王维笃周晓松黄刚陈淼沈春雷
- 文献传递
- 纳米晶钛膜中氦的热解吸行为研究
- 材料中氦的高浓度聚集而出现的“氦脆”现象将导致设备出现致命隐患。因而,对金属材料中氦行为的研究一直受到人们的关注。随着对纳米材料研究的不断深入,对储存氢及其同位素极其重要的钛材料在纳米晶粒状态下性能有何变化,以及能否用以...
- 程贵钧龙兴贵杨本福彭述明周晓松郝万立黄刚王维笃
- 文献传递
- 热解吸法评价铒氢化物晶体结构的热稳定性
- 介绍了铒氢化物的热力学特性研究进展,实验测定了铒三氘化物的热解析谱,建立了热解析谱峰与晶体精细结构的对应关系,发现并确认了铒氘化物中氘原子占据CaF2型面心立方结构（Fcc）八面体间隙(βOct)和四面体间隙位置(βTe...
- 王维笃彭述明梁建华周晓松程贵钧
- 关键词：金属氢化物物相晶体结构热稳定性
- 文献传递
- LaNi4.25Al0.75床氚滞留量的测量方法
- 分别采用直接测量法、同位素交换法和溶解法测量LaNi4.25Al0.75床中的氚滞留量,并评估了三种测量方法的不确定度.直接测量法测量LaNi4.25Al0.75床的氚滞留量的结果如下:LaNi4.25Al0.75床的氚...
- 刘文科龙兴贵彭述明王维笃罗顺忠曹小华程贵钧
- 关键词：溶解法
- 文献传递
- 表面有阳极氧化层的钛吸氘动力学被引量：10
- 2003年
- 应用反应速率分析方法，测定了钛片和表面有阳极氧化层的钛片在恒容体系和475～680℃下的吸氘反应速率常数，得到钛片和有阳极氧化层的钛片吸氘的活化能分别为112±2kJ／mol和187±3kJ／mol；钛表面氧化层越厚，表观活化能越大；实验证明氧化层具有阻氘性能。
- 刘文科曹小华彭述明龙兴贵杨本福李宏发颜登云王维笃程贵钧
- 关键词：钛动力学反应速率储氢材料
- 衬底材料对Ti膜形貌及结构的影响被引量：1
- 2016年
- 使用电子束蒸发法在抛光Mo、石英和单晶硅衬底上沉积Ti薄膜,并用SPM、XRD及SEM对衬底及薄膜的表面形貌和微观结构进行了分析。结果表明:Ti膜的表面形貌和微观结构受衬底材料影响较大。抛光Mo衬底上的Ti膜表面有微小起伏,断面处发现Ti膜先在衬底形核,后以柱状颗粒的形式竖直向上生长;抛光石英衬底上的Ti膜表面平整,颗粒与界面清晰可见,在界面处有一层等轴晶;粗糙度最低的单晶硅基片上沉积的Ti膜表面反而最粗糙,通过XRD分析发现有TiSi_2的峰存在。
- 付文博刘锦华梁建华杨本福周晓松程贵钧王维笃
- 关键词：衬底形核薄膜生长
