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石超

作品数：31 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇中文专利

领域

  • 9篇一般工业技术

主题

  • 29篇碳纳米管
  • 29篇纳米
  • 29篇纳米管
  • 19篇单壁
  • 19篇单壁碳纳米管
  • 13篇生长促进剂
  • 12篇催化
  • 12篇催化剂
  • 6篇阳极氧化铝
  • 5篇气相沉积
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 5篇纯度
  • 4篇大直径
  • 4篇载气
  • 4篇生长温度
  • 4篇结晶度
  • 4篇金属性
  • 3篇双壁碳纳米管
  • 3篇碳纳米管复合

机构

  • 31篇中国科学院金...

作者

  • 31篇侯鹏翔
  • 31篇成会明
  • 31篇刘畅
  • 31篇石超
  • 2篇宋曼
  • 2篇丛洪涛
  • 2篇李鑫
  • 2篇李金成
  • 2篇孙东明
  • 2篇张莉莉
  • 2篇郭舒予
  • 1篇孙振华
  • 1篇李峰
  • 1篇胡广剑

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 6篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2011
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮在碳网格上的少量掺杂生长金属性单壁碳纳米管的方法
本发明涉及金属性单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种氮在碳网格上的少量掺杂生长高质量、金属性单壁碳纳米管的方法。以有机气态烃为碳源气体，以氢气为载气，以二茂铁为催化剂前驱体，以硫粉为生长促进剂，以三聚氰胺或...
侯鹏翔宋曼刘畅成会明石超
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一种直径可控、高纯度单壁碳纳米管的宏量制备方法
本发明涉及碳纳米管的结构控制制备领域，具体为一种直径可控、高纯度单壁碳纳米管的宏量制备方法。采用浮动催化剂化学气相沉积法，以氢气为载气，过渡金属为催化剂，硫为生长促进剂，通过调变反应体系热力学和动力学条件，实现了直径连续...
刘畅石超侯鹏翔成会明
一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法
本发明涉及单壁碳纳米管网络形貌可控制备领域，具体为一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法。选择铝酸镁尖晶石MgAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>衬底的(100)、(110)和(111...
刘畅李鑫张峰侯鹏翔张莉莉石超成会明
一种孔径和厚度可控、通孔阳极氧化铝膜的制备方法
本发明涉及阳极氧化铝膜的制备技术，具体为一种制备小孔径、超薄、孔径和厚度可控的通孔阳极氧化铝膜的方法。以高纯铝为阳极，在硫酸的电解液中施加一定的恒压直流电源进行阳极氧化，选择适当的阴阳极间电压、电解液浓度、电解液温度及阳...
侯鹏翔石超刘畅成会明
一种高纯度、高结晶性双壁碳纳米管的宏量制备方法
本发明涉及碳纳米管结构控制制备领域，具体为一种高纯度、高结晶性双壁碳纳米管的宏量制备方法。采用浮动催化剂化学气相沉积法，通过在反应体系中通入适量氮气促进催化剂形核、调节催化剂数量和尺寸、制备粒径均匀催化剂，结合生长动力学...
侯鹏翔石超刘畅成会明
一种浮动催化剂化学气相沉积法制备多壁碳纳米管膜的方法及装置
本发明涉及碳纳米管膜的制备与收集技术，具体为一种浮动催化剂化学气相沉积法制备多壁碳纳米管膜的方法及装置。将催化剂前驱体、生长促进剂、液相有机物在常温下混合均匀后，置于催化剂注入装置内，由电子蠕动泵注入垂直或水平管式炉中的...
侯鹏翔刘畅成会明石超孙东明吴安萍
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浮动催化剂法选择性生长金属性富集单壁碳纳米管的方法
本发明涉及金属性富集单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种浮动催化剂法选择性生长金属性富集单壁碳纳米管的方法，在直径调控基础上、氢气原位弱刻蚀直接生长金属性富集单壁碳纳米管。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生...
侯鹏翔李文山刘畅成会明石超
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浮动催化剂化学气相沉积法制备多壁碳纳米管膜的装置
本实用新型涉及碳纳米管膜的制备与收集技术，具体为一种浮动催化剂化学气相沉积法制备多壁碳纳米管膜的装置。该装置包括：催化剂注入装置、浮动催化剂化学气相沉积反应腔、电刷吹气装置、成膜机，浮动催化剂化学气相沉积反应腔穿设于管式...
侯鹏翔刘畅成会明石超孙东明吴安萍
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纳米颗粒镶嵌于碳纳米管管壁的纳米复合材料及制备方法
本发明涉及新型碳纳米管复合结构设计与制备技术，具体为一种纳米颗粒镶嵌于碳纳米管管壁的纳米颗粒/碳纳米管复合材料的设计与可控制备方法。纳米颗粒镶嵌于碳纳米管外壁这一复合材料的外径在10～200nm范围内可控、颗粒大小在1～...
石超李金成侯鹏翔刘畅成会明
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氮在碳网格上的少量掺杂生长金属性单壁碳纳米管的方法
本发明涉及金属性单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种氮在碳网格上的少量掺杂生长高质量、金属性单壁碳纳米管的方法。以有机气态烃为碳源气体，以氢气为载气，以二茂铁为催化剂前驱体，以硫粉为生长促进剂，以三聚氰胺或...
侯鹏翔宋曼刘畅成会明石超
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