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田中宏幸

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：冲电气工业株式会社更多>>

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇导电
  • 2篇导电型
  • 2篇低浓度
  • 2篇绝缘膜
  • 2篇扩散层
  • 2篇半导体元件
  • 2篇表面电场
  • 1篇电极
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片面积
  • 1篇集成度
  • 1篇非易失性
  • 1篇非易失性存储
  • 1篇非易失性存储...
  • 1篇存储器

机构

  • 3篇冲电气工业株...

作者

  • 3篇田中宏幸

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
半导体元件及其制造方法
一种半导体元件及其制造方法，能以规定耐压获得规定ON电阻的可实用的降低表面电场型LDMOS。半导体元件具有：半导体层；形成在半导体层上的局部绝缘层；扩散第2导电型杂质而成的漏极层；在从局部绝缘层另一侧隔开的半导体层中扩散...
田中宏幸
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半导体元件的制造方法
一种半导体元件的制造方法，能以规定耐压获得规定ON电阻的可实用的降低表面电场型LDMOS。半导体元件具有：半导体层；形成在半导体层上的局部绝缘层；扩散第2导电型杂质而成的漏极层；在从局部绝缘层另一侧隔开的半导体层中扩散第...
田中宏幸
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非易失性存储器、其制造方法及该存储器的写入读出方法
本发明提供非易失性存储器、其制造方法、以及该存储器的写入读出方法。即使没有进行大幅的制造装置的更新等也能够提高存储器的集成度，缩小芯片面积，从而实现成本降低。本发明的非易失性存储器的存储单元包括上部电极、下部电极、以及状...
河津佳幸田中宏幸
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