王顺祥
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金模拟集成电路重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- UV/UHV/CVD生长应变Si_(1-x)Ge_x层(英文)
- 2005年
- 应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析结果表明Si1-xGex材料结晶状况良好,二次离子质谱分析结果表明多层Si1-xGex/Si材料界面陡峭,说明该技术能够生长出高质量的应变Si1-x Gex/Si材料.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英李开成王伟朱永刚王顺祥崔晓英王喜媛
- 关键词：SI1-XGEX超高真空化学气相淀积
- SiGe HBT传输电流模型研究
- 本文考虑了基区扩展效应、准饱和效应、速度饱和效应、自热效应、厄利效应、大注入效应以及发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,在得出HBT正、反向工作电流解析模型的基础上,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义...
- 王顺祥张鹤鸣戴显英朱永刚马何平
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管PSPICE
- 文献传递
- 可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT 扩散电容模型
- 载流子在发射结和集电结的运动引起的电荷存储效应,被称为扩散电容.在PSPICE模拟软件中,模型还不是很精确,本文主要建立了可以嵌入PSPICE的SiGeHBT的扩散电容模型,使其可以更精确的模拟仿真SiGeHBT器件和电...
- 朱永刚戴显英李立宣荣喜王青崔晓英王顺祥
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管存储电荷PSPICE
- 文献传递
- SiGe HBT发射极延迟时间模型
- 2005年
- 在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考虑可动载流子的影响.本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGeHBT发射极延迟时间的影响.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英朱永刚王顺祥王伟崔晓英王青王喜媛
- 关键词：SIGEHBT势垒电容
- 应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型被引量：7
- 2005年
- 应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英王顺祥朱永刚区健锋俞智刚马何平王喜媛
- 关键词：应变硅调制掺杂阈值电压
