刘杰
- 作品数：12 被引量：31H指数：4
- 供职机构：南昌大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺机械工程理学更多>>
- 厚壁透明制品成型工艺优化
- 2014年
- 研究了实心超厚壁的透明制品的成型工艺技术,以塑件最大体积收缩率为优化目标,计算工艺参数为保压压力、熔体温度、总冷却时间、注射时间和模具温度,在三维流动分析的研究基础上,进行了制品缺陷的CAE分析,通过采用正交实验法,进行均值分析、极差分析及方差分析,并结合数据处理系统(DPS)数据处理技术,得出了最优工艺参数组合及各成型工艺参数对收缩变形影响的主次关系及影响程度。CAE分析与试验结果表明,塑件的体积收缩率减少4.2%左右。
- 刘杰辛勇
- 关键词：厚壁制品正交实验体积收缩率
- 轴向磁场下多晶硅定向凝固研究被引量：1
- 2018年
- 利用有限元软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行二维数值模拟,研究轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响。模拟结果显示,未加磁场时多晶硅固液界面的等温线是下凹的;当线圈中加以不同的电流进行磁场模拟时,发现轴向磁场能够有效地抑制硅熔体对流,进而影响结晶时的固液界面。随着电流的增大,熔体最大流速减小,最大洛伦兹力也增大。通过试验验证,相同的工艺条件,在磁场作用下相比于没有磁场时硅锭的界面由下凹变得平滑。
- 刘志辉罗玉峰饶森林胡云张发云张发云刘杰
- 关键词：多晶硅定向凝固数值模拟轴向磁场
- 坩埚厚度对多晶硅定向凝固的影响被引量：5
- 2017年
- 运用Comsol Multiphysics有限元软件对多晶硅的定向凝固过程进行了模拟,分析了不同坩埚厚度(15、20、25 mm)对多晶硅熔化、结晶过程及晶体热应力的影响。结果表明:当坩埚厚度为15 mm时,熔化所需要的时间最短,比坩埚厚度为20 mm和25 mm时分别少31 min和74 min;结晶初期,坩埚厚度为25 mm时的固液界面最为平坦,最有利于晶体的生长;多晶硅晶体底部边缘和顶部边缘区热应力高;坩埚厚度为15 mm时,晶体内热应力最大,且随着坩埚厚度的增大,两个区域的应力都减小。
- 刘志辉罗玉峰饶森林胡云龚洪勇刘杰
- 关键词：多晶硅温度场热应力数值模拟
- 多晶硅定向凝固过程中晶体内热应力场的数值模拟被引量：1
- 2015年
- 通过基于有限元方法的Comsol Multiphysics 4.3a软件模拟了多晶硅定向凝固过程中的热应力场,分析了炉膛内温度梯度,以及坩埚底部不同倒角半径对晶体内热应力的影响。结果表明:多晶硅晶体中存在两个高热应力区,热应力最大值出现在晶体底部边缘,其次为靠近晶体顶部边缘处。当炉腔内温度梯度从3 K/cm增加到6 K/cm时,晶体内热应力的平均值从34.18 MPa增加到了56.75 MPa,热应力的平均值增加了66.03%。随着温度梯度的增加,晶体内热应力平均值增长幅度逐渐减小。当坩埚底部倒角半径从10 mm增加到20 mm时,晶体内热应力的平均值从78.12 MPa减小到了63.25 MPa,热应力的平均值减小了19.03%。随着坩埚底部倒角半径的增加,晶体内热应力平均值减小幅度逐渐降低。
- 罗玉峰宋华伟张发云胡云彭华厦刘杰
- 关键词：多晶硅热应力温度梯度数值模拟
- 基于Pro/E的注射模二次开发被引量：7
- 2004年
- 在VisualC ++6.0环境下,采用动态链接库DLL的方式 ,利用Pro/Toolkit开发具有Pro/E风格图形用户界面的注射产品设计系统。对在Pro/E环境下进行注射模二次开发进行了较深入的研究。
- 刘杰辛勇
- 关键词：PRO/EPRO/TOOLKIT注射模二次开发
- 快速L1范数最小化算法的性能分析和比较被引量：3
- 2011年
- 随着新兴压缩传感（Compressive Sensing，cs）理论的出现，使用L1范数最小化（L1-min）算法进行信号处理和优化成为近几年的热门课题．由于传统的求解方法对于大规模数据的处理效率很低，例如内点法，越来越多的快速L1－min算法被提出，这些算法在速度和处理效果上都各有优势．该文首先介绍了L1-min算法以及影响算法效率的主要因素，然后通过实验数据对五种快速L1－min算法在处理大规模数据时的性能进行分析和客观评价。
- 刘杰李昆仑
- 关键词：L1范数同伦算法梯度投影
- 加热器位置对多晶硅定向凝固热场的影响被引量：2
- 2016年
- 运用有限元软件COMSOL Multiphysics 4.3a对多晶硅定向凝固过程进行了全局瞬态模拟,在多晶硅铸锭炉顶部加热器与侧部加热器的垂直距离分别为60、150、300 mm时,分析了其对多晶硅熔化以及结晶初期的影响。结果表明:距离为60 mm时硅料熔化所需时间最长,而距离为150、300 mm时硅料熔化时间与其相比分别少34、60 min;对于结晶初期的固液界面,距离为60 mm时固液界面接近于平面,有利于多晶硅晶体生长,而距离为150、300 mm时固液界面均呈现明显的凸形,并且后者比前者凸起的程度更大,会降低多晶硅锭的质量。
- 罗玉峰刘杰张发云胡云宋华伟
- 关键词：多晶硅定向凝固数值模拟
- 一平移三转动并联机构型综合及分类被引量：5
- 2016年
- 应用基于方位特征集的并联机构拓扑结构设计理论与方法,对一平移三转动(1T-3R)输出的并联机构进行了型综合;在阐述基于方位特征集的并联机构型综合一般过程和步骤的基础上,给出了一平移三转动输出并联机构拓扑结构设计的具体方法;基于该方法得到了39种一平移三转动输出并联机构,包括以前设计出的机型和部分新机型,并对它们进行了分析和分类。
- 谢冬福罗玉峰石志新何新勇刘杰
- 关键词：型综合并联机器人
- 轴向磁场对多晶硅定向凝固过程中热流场的影响
- 2015年
- 采用Comsol 4.3a软件建立了轴向磁场作用下多晶硅定向凝固的二维轴对称模型,通过有限元方法将硅熔体中的电磁场、温度场和流速场进行了耦合数值计算。结果表明:当磁场线圈中心面位于熔体中心面下方60 mm处时,其磁场线高密度集中在熔体中心面下方强浮力对流区域,且均匀分布。此时硅熔体的最大流速为41μm/s,相比磁场线圈位于熔体中心面上方60 mm处的流速场减小了41.43%。随着磁场强度的增加,硅熔体中等温线越来越稀疏。与未施加磁场相比,轴向温度梯度减小了15 K/cm,硅熔体中的晶体生长速率增加。硅熔体温度梯度与晶体生长速率之比GL/Vs值变小会使得其结晶前沿界面产生组分过冷,导致细晶的生成,这方面有待于进一步的研究。
- 宋华伟罗玉峰张发云胡云彭华厦刘杰
- 关键词：多晶硅磁场温度场流速场
- 基于Pro/E的注塑模CAD系统的研究开发被引量：9
- 2004年
- 论述了利用Pro/E的二次开发接口Pro/Toolkit,在VisualC ++编程环境下采用动态连接库DLL的方式 ,开发集成数据库的注塑模CAD系统的技术方法。研究开发了具有Pro/E风格的图形用户界面的注塑产品设计系统。
- 辛勇刘杰
- 关键词：PRO/EPRO/TOOLKIT注塑模二次开发
