孙毅
- 作品数：20 被引量：38H指数：3
- 供职机构：昌吉学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金新疆维吾尔自治区教育厅教研基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学生物学更多>>
- 烧结温度对La_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3陶瓷热电性能的影响被引量：1
- 2012年
- 利用传统固相反应方法,分别在1440°C,1460°C,1480°C和1500°C烧结条件下,制备了钙钛矿结构的La_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3陶瓷样品.样品的粉末X射线衍射结果显示,不同烧结温度的La_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3陶瓷样品均为单相的正交结构.从样品的扫描电子显微照片来看,随着烧结温度的增加,平均晶粒尺寸逐渐增大.在室温至800°C的测试温区,测试了样品的电阻率和Seebeck系数,系统地研究了不同烧结温度对样品热电性能的影响.结果表明,样品的电阻率在测试温区内随着测试温度的升高先略微降低,然后逐渐升高;总体来看,样品的电阻率随烧结温度的升高先增大后降低.在测试温区内,Seebeck系数均为负值,表明样品的载流子为电子;随着测试温度的升高,Seebeck系数绝对值均有所增大;随烧结温度升高,Seebeck系数绝对值逐渐增大后显著降低.1480°C制备的样品因其相对较低的电阻率和相对较高的Seebeck系数绝对值,在165°C时得到最大的功率因子21μW·K^(-2).cm^(-1).
- 孙毅王春雷王洪超苏文斌刘剑彭华梅良模
- 关键词：热电性能烧结温度
- 亚稳相DKDP晶体生长动力学的全息研究被引量：5
- 1995年
- 用全息相衬干涉显微术和激光衍射术研究了亚稳相ＤＫＤＰ晶体生长速率和边界层的质量输运过程，并与稳定相进行了比较。层内的质量输运过程是扩散和对流两种作用的耦合效应，层内浓度分布是位置的指数函数。亚稳相晶体（１０１）面生长活化能比稳定相低的多。在相同的条件下，其生长速率比稳定相快３～１０倍。欲快速生长优质ＤＫＤＰ大晶体，应控制稳定的边界层内质量输运过程，并采用亚稳相生长方法。
- 于锡玲孙毅
- 关键词：晶体生长亚稳相动力学磷酸二氘钾
- 无位错二溴三丙烯基硫脲合汞(ATMB)晶体生长机制
- 1997年
- 无位错二溴三丙烯基硫脲合汞（ＡＴＭＢ）晶体生长机制于锡玲孙毅侯文博程振翔张树君（山东大学晶体材料国家重点实验室，济南２５０１００）ＧｒｏｗｔｈＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＤｉｓｌｏｃａｔｉｏｎＦｒｅｅＡＴＭＢＣｒｓｙｔａｌｓＹｕＸｉｌｉｎｇＳｕｎＹｉＨｏ...
- 于锡玲孙毅侯文博程振翔张树君
- 关键词：金属配合物晶体生长
- 双掺杂锰酸钙基热电陶瓷的制备及电学性能研究被引量：2
- 2011年
- 利用传统固相反应法成功制备出Nb掺杂量x不同的Ca0.9Yb0.1Mn1-xNbxO3热电陶瓷.X射线衍射分析和扫描电子显微镜分析表明:样品均形成了单一的钙钛矿正交结构,空间群为Pnma.晶格常数a和晶胞体积随着Nb掺杂量x的增加而增大,陶瓷样品具有很好的结晶度和很高的致密性,相对密度达到97%左右.在300—1100K温区,测试得到了样品的电阻率和Seebeck系数,发现在低温区样品表现为半导行为,而在高温区表现为金属导电行为.随着Nb掺杂量x的增加,半导-金属导电行为的转变温度向高温区移动.电阻率随着掺杂量的增加而增大,仅在高温区x=0.03样品的电阻率略比未掺杂Nb样品的低.这是由于Nb的掺杂不仅引入载流子,同时还引起MnO6八面体的扭曲,造成载流子的局域化所致.在整个测试温区内,样品的Seebeck系数全为负值,表明电子是主要载流子.样品的Seebeck系数的绝对值随温度的升高近似呈线性增加,但是随Nb掺杂量x的增加依次减小.计算表明,未掺杂Nb的样品在温度为497K时最大功率因子达到297μW/K2m,并且在整个测试温区表现了良好的温度稳定性.
- 王洪超王春雷苏文斌刘剑孙毅彭华张家良赵明磊李吉超尹娜梅良模
- 关键词：电阻率SEEBECK系数
- 铋基半导体光催化材料的研究进展被引量：2
- 2013年
- 光催化技术可以光解水制氢和降解有机和部分无机污染物等,在环境和能源领域受到越来越广泛的重视,而光催化材料则是该技术的关键.在目前已研发的各种光催化材料中,铋基半导体光催化材料具有可见光响应且有良好的光催化活性.本文综述了国内外对铋基光催化材料及其应用研究新进展,并展望了铋基半导体光催化材料的发展前景.
- 赖康荣孙毅崔秀花陈惠敏
- 关键词：带隙可见光光催化剂
- 高-低温溶液晶体生长溶质边界层的全息研究被引量：6
- 1994年
- 用全息相衬干涉显微术研究了高温溶液生长KTP晶体和低温溶液生长KDP晶体的溶质边界层。实验表明,无论是在高温溶液还是在低温溶液中生长晶体,边界层内的质量输运过程是对流和扩散两种作用的耦合效应。体过饱和度对边界层厚度的影响按过饱和度的高低可分为两个区域。层内溶质浓度分布是位置的指数函数。
- 于夕玲刘有臣岳学锋孙毅徐现刚
- 关键词：边界层KTPKDP晶体生长
- 少数民族学生“数学物理方法”课程教学探讨——以昌吉学院为例被引量：2
- 2014年
- "数学物理方法"是物理学、应用物理学本科专业以及部分理工科专业学生的重要的基础课程及专业必修课程,学生要有良好的数学功底和深广的物理背景才能真正学好这门课程。少数民族学生在学习本课程中困难更多,本文针对民族班的"数学物理方法"教学的现状,结合教学实际,对本课程在教学内容、教学方法方面提出了一些改革的措施和建议,以提高民族学生的"数学物理方法"的教学质量。
- 赖康荣孙毅
- 关键词：少数民族学生数学物理方法教学方法教学质量
- 溶剂热再结晶合成由纳米颗粒自组装成的一维CdS纳米棒被引量：2
- 2012年
- 采用两种不同的溶剂热路径合成出了不同形貌和尺寸的CdS纳米晶,一种是以无水乙二胺(en)为溶剂,CdCl_2·2.5H_2O和硫脲(H_2NCSH_2N)为镉源和硫源,在不同反应温度(160℃—220℃下制备出了CdS纳米晶,讨论温度对CdS纳米晶生长的影响;另一种是以en为溶剂,将在160℃下合成的产物在200℃下原位再结晶生长2—8 h,分析原位生长时间对CdS纳米晶生长的影响.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子电镜(SEM)和透射电子电镜(TEM)等表征产物的物相、形貌和微结构,分析可知:两种路线合成的产物均为六方相CdS;当温度为160℃时,产物形貌为纳米颗粒状,当温度高于160℃时,产物为CdS纳米棒状;同时,在200℃下原位再结晶生长不同时间后发现产物形貌由纳米颗粒转变为纳米棒,通过场发射扫描电镜(HRTEM)分析可知:纳米棒是由零维纳米颗粒自组装而成.最后,讨论了影响产物CdS纳米晶形貌转变的因素和纳米棒的生长机理.
- 张保花郭福强孙毅王俊珺李艳青智丽丽
- 关键词：CDS纳米晶溶剂热再结晶自组装
- 多价电子原子的朗德g因子的计算被引量：1
- 2010年
- 原子磁矩决定原子的磁性,求出原子磁矩的关键是朗德g因子的计算。在量子力学中,原子磁矩的计算是比较复杂的。本文提出一种简单的、利用原子矢量模型计算多价电子原子朗德g因子的方法。
- 安玲孙毅
- 关键词：朗德G因子
- ATMB晶体生长形貌和机制的实时显微研究
- 1998年
- 用相差显微镜和诺曼斯基干涉术买时研究了ATMB晶体生长表面形貌和台阶运动的演变过程.将计算机图象自动处理系统引入晶体生长台阶的研究中,提高了实时处理的速度和精度.测量了ATMB晶体(1012)面生长台阶列的高度和台阶推移速率V.研究了晶面法向速率与过饱和度的关系以及不同过饱和度下晶体生长机制的转变情况,得出了ATMB晶体是二维成核层状生长机制.
- 孙毅于锡玲侯文博张树君
- 关键词：形貌晶体生长
