龙文华
- 作品数:8 被引量:6H指数:2
- 供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金:教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及制作方法
- 本发明涉及一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及其制备方法。针对微观下静电驱动力小的问题,采用硅梁和二氧化硅膜作为共同支撑部件,共同支撑中间可动部件。既增加了支撑强度又提高了静电力驱动下的位移;针对用梁支撑的可动结构...
- 龙文华杨建义李广波贾科淼王跃林
- 文献传递
- 玻璃基硅光波导的研制被引量:1
- 2005年
- 采用硅-玻璃键合和选择性腐蚀技术研制出了玻璃上硅(SOG)光波导材料。所研制出的光波导材料表面质量主要取决于所用绝缘体上硅(SO I)材料。当所用SO I材料为基于SIMOX技术的材料时,表面RM S粗糙度为3nm左右,自相关长度为100nm左右。采用SOG材料所制作出的脊型光波导的传输损耗与相应的SO I材料上制作出的光波导相当。这种光波导材料既具有SO I材料的众多优点,还可以在器件制作中同时实施硅的下界面处理,同时它采用玻璃作为波导的下限制层,得到较厚的下限制层。
- 李广波龙文华贾科淼江晓清王明华王跃林杨建义
- 关键词:集成光学硅键合
- SiO_2 8×8阵列波导光栅的研制被引量:1
- 2006年
- 在Si基Si O2材料上设计并制作了中心波长为1.55μm、通道间隔为0.8nm的8×8阵列波导光栅(AWG)。详细介绍了器件的设计、制作和测试,并对测试结果及工艺误差进行了深入的分析讨论。封装后的测试结果显示,器件的3dB带宽为0.22nm;中央通道输入时,最小和最大插入损耗分别为4.01dB和6.32dB;边缘通道输入时,最小和最大插入损耗分别为6.24dB和9.02dB;对比不同通道输入时输出通道的中心波长,其偏移量低于0.039nm;器件的通道间串扰小于-25dB;偏振依赖损耗(PDL)小于0.3dB。
- 李广波龙文华贾科淼唐衍哲吴亚明杨建义王跃林
- 关键词:光波分复用集成光学
- 1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制被引量:2
- 2005年
- 采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.
- 龙文华李广波贾科淼屈红昌唐衍哲吴亚明杨建义王跃林
- 关键词:阵列波导光栅硅基二氧化硅集成光学
- 基于MEMS技术的Fabry-Perot腔长可调滤波器研究
- 法布里-珀罗(Fabry-Perot)效应利用多光束干涉效应能够产生精细条纹,具有极高的色分辨本领,利用F-P效应制作的各种滤波器也成为现代光通信和传感器领域中的重要器件。利用MEMS (Micro Electro-Me...
- 龙文华
- 关键词:法布里-珀罗滤波器微机电系统金属薄膜
- 文献传递
- 一种制备玻璃基硅光波导材料的方法
- 本发明涉及一种玻璃基硅光波导材料的制备方法。该材料是以玻璃为衬底,硅为导波层。其制备方法为:将绝缘体上的硅材料(SOI)的顶层硅和玻璃片的抛光面常规清洗、烘干后进行键合,键合后利用自停止效应去除SOI硅片的底层硅。该材料...
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- 文献传递
- 一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及制作方法
- 本发明涉及一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及其制备方法。针对微观下静电驱动力小的问题,采用硅梁和二氧化硅膜作为共同支撑部件,共同支撑中间可动部件。既增加了支撑强度又提高了静电力驱动下的位移;针对用梁支撑的可动结构...
- 龙文华杨建义李广波贾科淼王跃林
- 文献传递
- 一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及制作方法
- 龙文华杨建义李广波贾科淼王跃林
- 本发明涉及一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及其制备方法。针对微观下静电驱动力小的问题,采用硅梁和二氧化硅膜作为共同支撑部件,共同支撑中间可动部件。既增加了支撑强度又提高了静电力驱动下的位移;针对用梁支撑的可动结构...
- 关键词:
- 关键词:硅可移动微结构二氧化硅