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齐鸣

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇GAN
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇探测器
  • 1篇紫外光电探测...
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇显微镜
  • 1篇显微镜测量
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇激光器结构
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇PLASMA

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇齐鸣
  • 5篇李爱珍
  • 4篇赵智彪
  • 3篇李伟
  • 1篇陈建新
  • 1篇朱福英
  • 1篇张永刚
  • 1篇陈意桥
  • 1篇祝向荣

传媒

  • 3篇第五届全国分...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第六届全国分...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 3篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
GaN光电导型紫外光电探测器
张永刚李爱珍齐鸣李伟赵智彪
关键词：GAN光电探测器
气态源分子束外延生长InAsP/InGaAsP应变NQW 1.3μ m激光器结构
李爱珍陈意桥齐鸣陈建新
关键词：INASP/INGAASP激光器
射频等离子体分子束外延GaN的极性研究被引量：1
2002年
对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar。
赵智彪齐鸣朱福英李爱珍
关键词：分子束外延原子力显微镜氮化镓
GaN材料的RFPlasma MBE生长及掺杂研究
李伟李爱珍赵智彪齐鸣
关键词：GAN材料PLASMAMBE生长掺杂
原子力显微镜测量光辅助湿法刻蚀后的氮化镓并估算其位错密度
对采用分子束外延技术生长的氮化镓进行位错密度的分析,目前的报道并不多.本文介绍了采用光辅助湿法刻蚀氮化镓后进行原子力显微镜(AFM)的分析,可以估算氮化镓的位错密度.并采用X-ray衍射的二维三轴maping图谱(TDT...
赵智彪齐鸣李爱珍李伟祝向荣
关键词：氮化镓分子束外延位错密度湿法刻蚀
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