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麻昊志

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学深圳研究生院更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇数据保持
  • 6篇数据存储
  • 4篇数据块
  • 4篇解码
  • 4篇纠错
  • 4篇纠错能力
  • 4篇浮栅
  • 4篇NAND_F...
  • 4篇ECC
  • 2篇读写
  • 2篇信号
  • 2篇信号质量
  • 2篇应变片
  • 2篇预加重
  • 2篇原始信息
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇数据读取
  • 2篇数据可靠性
  • 2篇数据通讯

机构

  • 17篇清华大学
  • 2篇福建省莆田市...

作者

  • 17篇麻昊志
  • 15篇潘立阳
  • 1篇高忠义

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 6篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
适用于称重测力传感器的应变片贴片装置
本发明公开了一种适用于称重测力传感器的应变片贴片装置，所述称重测力传感器上设有孔洞，所述贴片装置用于将所述应变片装配在所述孔洞内，所述贴片装置包括：承载块，所述承载块上设有至少一个应变片载体，所述应变片预设在所述应变片载...
麻昊志陈立诚
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用于数据存储的ECC解码控制方法
本发明公开了一种用于数据存储的ECC解码控制方法。本发明为ECC编码方法重构出纠错能力不同的至少两个校验矩阵；相应地，每当读取编码数据时，本发明都依据存储时间来选择具有适当纠错能力的校验矩阵进行解码。如此一来，对于存储时...
潘立阳麻昊志宋昌来
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用于数据存储的访问控制方法
本发明公开了一种用于数据存储的访问控制方法。本发明在封装体、或存储单元、或BANK中划分出数据存储区和冗余存储区，因此，数据的原始信息和冗余位就能够以分布式的存储方式分别存放在对应的数据存储区和冗余存储区、而无需集中存储...
潘立阳麻昊志邹宏飞
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NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法
本发明公开了一种NAND？Flash存储系统保存期间数据分步加重方法，该加重方法包括以下步骤：在NAND？Flash存储器写入数据之后，判断写入数据所在数据块是否被写满，以及判断数据块是否属于高磨损块；如果数据块被写满且...
潘立阳麻昊志高忠义
具有垂直晶体管的存储器阵列结构及其形成方法
本发明提供一种具有垂直晶体管的4F2存储器阵列结构及其形成方法，该阵列结构包括：衬底；位于衬底上的多个存储单元，每个存储单元包括垂直晶体管，垂直晶体管的栅极位于沿第一方向延伸且与垂直晶体管的半导体柱相邻的第一沟槽内；多条...
潘立阳麻昊志
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NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法
本发明公开了一种NAND？Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法，该方法包括以下步骤：在NAND？Flash存储器写入数据之后，判断写入数据所在数据块是否被写满；如果数据块已经被写满，查询该数据块的磨损程度信息；根据...
潘立阳麻昊志高忠义
适用于称重测力传感器的应变片贴片装置
本发明公开了一种适用于称重测力传感器的应变片贴片装置，所述称重测力传感器上设有孔洞，所述贴片装置用于将所述应变片装配在所述孔洞内，所述贴片装置包括：承载块，所述承载块上设有至少一个应变片载体，所述应变片预设在所述应变片载...
麻昊志陈立诚
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NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法
本发明公开了一种NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法，该方法包括以下步骤：在NAND Flash存储器写入数据之后，判断写入数据所在数据块是否被写满；如果数据块已经被写满，查询该数据块的磨损程度信息；根据...
潘立阳麻昊志高忠义
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NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法
本发明公开了一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其中，NAND FLASH存储器为SLC NAND FLASH存储器，该方法包括：S1，判断NAND FLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时...
潘立阳麻昊志高忠义
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用于数据存储的ECC解码控制方法
本发明公开了一种用于数据存储的ECC解码控制方法。本发明为ECC编码方法重构出纠错能力不同的至少两个校验矩阵；相应地，每当读取编码数据时，本发明都依据存储时间来选择具有适当纠错能力的校验矩阵进行解码。如此一来，对于存储时...
潘立阳麻昊志宋昌来
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