鲜晓斌
- 作品数：92 被引量：223H指数：9
- 供职机构：中国工程物理研究院更多>>
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- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术化学工程核科学技术更多>>
- 铀薄膜制备工艺及其组成结构初探
- 对真空蒸发、磁控溅射沉积铀薄膜工艺进行了初步探索。用X光电子能谱仪（XPS）分析了铀薄膜中铀的化学价态,并用扫描透射电镜（STEM）分析了铀薄膜的组织和结构。结果表明:真空蒸发沉积的铀薄膜已完全氧化,薄膜呈网络状。采用磁...
- 鲜晓斌吕学超伏晓国任大鹏
- 关键词：蒸发磁控溅射微晶
- 蒸发、磁控溅射沉积真空对铀薄膜组成和结构的影响被引量：5
- 2001年
- 用 X-光电子能谱仪(XPS)、扫描透射电镜(STEM)分析了蒸发、磁控溅射沉积真空对铀薄膜组成和结构的影响。结果表明,在沉积真空2Pa 下,蒸发、磁控溅射沉积的铀薄膜已完全氧化;在沉积真空2×10^(-1)Pa 下,磁控溅射沉积的铀薄膜由金属铀和二氧化铀组成,薄膜呈微晶或无定形结构。
- 鲜晓斌吕学超伏晓国任大鹏
- 关键词：真空蒸发沉积磁控溅射沉积
- 聚氯代对二甲苯薄膜热氧老化性能研究被引量：4
- 2008年
- 分析了150℃、200℃热氧老化处理对聚氯代对二甲苯薄膜(PC膜)的结晶性能、氧化程度、表面力学、表面形貌和热稳定性的影响,并推算了PC膜的储存期公式。结果表明:压入模量一直随热氧老化时间增加,在处理前期,膜结晶度增加;在老化处理后期红外谱图上有CO峰出现,氧化程度随老化处理时间增加而增加;PC膜在不同温度使用时发生明显氧化的时间符合公式:lgτ=3850(1/T)-8.348。
- 吉祥波唐贤臣鲜晓斌徐瑞娟帅茂兵温茂萍
- 关键词：热氧老化纳米压痕
- 一种金属铀表面阻水阻氢Al/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>复合镀层及其制备方法
- 本发明公开了一种金属铀表面阻水阻氢Al/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>复合镀层及其制备方法，目的在于开发一种高致密性，尤其能有效阻挡水和氢渗透的耐蚀性镀层，以解决金属铀材料的表面腐蚀问题。该复合镀...
- 王庆富刘柯钊江帆鲜晓斌法涛汪小琳丁晶晶
- 文献传递
- 基体温度对气相沉积聚氯代对二甲苯膜结构与性能的影响
- 2009年
- 用化学气相沉积法制备的聚氯代对二甲苯膜具有优异的耐溶剂腐蚀及气体阻隔性能。文中采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了不同基体温度下制备聚氯代对二甲苯膜的微观组织结构;采用MOCON透湿仪测试了其水汽渗透率。结果表明,随基体温度升高,膜内聚合物分子链取向度先升高、后降低,且在较高温度下聚合物苯环基团更倾向于垂直基体表面。水汽在膜内渗透速率随基体温度升高先降低、后升高,且在约30℃～45℃处达到最低值。
- 陈艳平帅茂兵鲜晓斌吉祥波唐贤臣
- 关键词：微观结构渗透性
- ITER第一壁认证模块制备与性能检测
- 介绍了ITER第一壁认证模块(FWQM)制备工艺,采用了经过优化的Be/CuCrZr热等静压扩散连接技术并证明了其应用于模块制备的可行性.模块制作完成后,无损检测、界面微观分析和剪切实验等手段评估了模块上Be/CuCrZ...
- 王锡胜鲜晓斌张鹏程谌继明
- 关键词：第一壁铍CUCRZR热等静压
- 纯钒的热等静压制备及其性能研究
- 热等静压技术制备出纯钒,利用扫描电镜(SEM)、金相(OM)、透射电镜(TEM)及拉伸试验分析了纯钒的微观组织、物相组成和室温及高温力学性能.结果表明:热等静压温度在1250℃以上可以实现全致密化；随温度提高,强度先降低...
- 鲜晓斌叶林森冷邦义
- 关键词：HIPPUREVANADIUMPROPERTIES
- 热等静压纯钒性能研究
- 采用热等静压技术（HIP）制备纯钒，利用动态拉伸，扫描电镜（SEM）、金相（OM）及TGA测试分析了材料的动态损伤行为、焊接性能及高温氧化性能。结果表明：动态拉伸应变率在100s-1～1200s-1范围内，极限拉伸强度σ...
- 叶林森鲜晓斌迟永刚胡文军张友寿谢茂林
- Be/CLAM钢热等静压连接界面特性及力学性能被引量：4
- 2008年
- 以AgCu28合金作为过渡层材料,采用热等静压(HIP)方法进行Be/CLAM钢(中国低活化马氏体钢)的扩散连接。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)及剪切试验分析了接头的扩散层显微组织、元素分布和力学性能。研究表明:采用AgCu28合金作为过渡层材料,在900℃,160MPa,2h条件下能够实现Be/CLAM钢的扩散连接;AgCu28合金过渡层材料能有效地减少铍、CLAM钢母材间的元素互扩散,防止了Be-Fe等脆性金属间化合物的大量生成。接头质量较好,剪切强度达180MPa。
- 冷邦义鲜晓斌罗德礼谢茂林黄火根蓝林钢
- 关键词：CLAM钢热等静压剪切强度
- Be／CuCrZr热等静压扩散连接界面特性被引量：9
- 2008年
- 采用热等静压(HIP)技术对Be与CuCrZr合金进行扩散连接,比较了不同HIP工艺下制备的Be/CuCrZr接头性能,观察了接头区域的微观组织。结果表明:在580℃,140MPa下Be与CuCrZr直接扩散连接以及采用Ti(Be上PVD镀层)/Cu(CuCrZr上PVD镀层)作过渡层的间接扩散连接均达到了较好的连接效果。材料组合及连接工艺参数等对Be与CuCrZr合金的扩散连接存在着明显的影响。表面采用Ti镀层的间接扩散连接在580℃时可有效阻止Be与Cu形成脆性相。经过580℃,2hHIP处理后,CuCrZr硬度可恢复至初始状态的77%。
- 王锡胜张鹏程鲜晓斌谌继明申亮王庆富黄火根
- 关键词：铍CUCRZR热等静压扩散连接
