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高大伟

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 4篇版图
  • 3篇电路版图
  • 3篇电平位移
  • 3篇双脉冲
  • 3篇脉冲
  • 3篇高压脉冲
  • 3篇二极管
  • 3篇触发器
  • 2篇超薄
  • 1篇多晶
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇联合仿真
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇集成电路
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇仿真
  • 1篇版图设计
  • 1篇半导体
  • 1篇RESURF

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇高大伟
  • 5篇方健
  • 4篇罗杰
  • 3篇王泽华
  • 3篇管超
  • 3篇杨毓俊
  • 3篇吴琼乐
  • 3篇陈吕赟
  • 3篇柏文斌
  • 1篇姚婧
  • 1篇华晨辉

传媒

  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2011
  • 1篇2009
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
700V高压LDMOS的比较研究及优化
本文对耐压要求为700V的LDMOS进行了研究。通过分析影响LDMOS参数的各种因素，以BCD工艺为基础，借助模拟软件Tsuprem4及MEDICI对Double-Resurf和多晶场板结构的LDMOS进行了工艺器件联合...
罗杰方健高大伟姚婧
关键词：联合仿真金属氧化物半导体
文献传递
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷，本发明提出了一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤...
方健柏文斌管超吴琼乐王泽华高大伟陈吕赟杨毓俊罗杰
文献传递
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷，本发明提出了一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤...
方健柏文斌管超吴琼乐王泽华高大伟陈吕赟杨毓俊罗杰
一种基于超薄外延工艺的新型LDMOS设计
依托于国家科技重大项目“汽车电子&新型节能芯片工艺研发及产品公共服务平台建设”，本文设计了一种基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS，器件实现是基于一条应用于700V功率器件的高压BCD工艺平台，该平台...
高大伟
关键词：集成电路版图设计
文献传递
基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计
2011年
文中针对高压节能应用领域,开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺,实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4.5μm,漂移区长度缩减至70μm,使得芯片面积和制造成本大幅减小。并通过仿真设计,优化了器件结构的表面电场分布,使反向击穿电压达到700V的同时,使器件导通电阻降为33Ω·mm2。流片结果表明,功率管可以达到设计要求。
高大伟方健华晨辉
一种电平位移电路
本实用新型公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷，本实用新型提出了一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高...
方健柏文斌管超吴琼乐王泽华高大伟陈吕赟杨毓俊罗杰
文献传递
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