马正洪
- 作品数：9 被引量：7H指数：2
- 供职机构：昆明理工大学更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术更多>>
- Ag+、Li+与Al3+共掺杂ZnO薄膜的制备及性能研究
- ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,晶体结构具有六角纤锌矿型,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜的高电阻率与单一的C轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数,可用...
- 马正洪
- 关键词：溶胶-凝胶掺杂C轴取向
- 文献传递
- 一种铸坯中心偏析的控制方法
- 本发明属于冶金技术领域，具体涉及一种铸坯中心偏析的控制方法，尤其适用于海洋耐蚀钢筋铸坯中心偏析的控制。该控制方法包括连铸中的二冷过程和轻压下过程，其中二冷过程采用弱冷，比水量为0.4L/kg‑1.2L/kg；轻压下过程的...
- 阴树标黄吉祥李霈汝娟坚马正洪周梦莎苏其响曹建春路洁帅康新杨银辉周晓龙张兴志曹宇曦熊涛马燕闫素
- 一种Na-Mg弱掺杂p型ZnO薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种Na-Mg弱掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，先称取适量的前躯体锌盐，然后量取相应体积的有机溶剂，把锌盐溶解在有机溶剂中，加入与锌离子等摩尔量的二乙醇胺作为稳定剂，采用水浴加热并不断搅拌，最后加入掺杂源镁盐和钠...
- 谭红琳马正洪艾国齐
- 文献传递
- Ag<sup>+</sup>、Li<sup>+</sup>与Al<sup>3+</sup>共掺杂ZnO薄膜的制备及性能研究
- ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,晶体结构具有六角纤锌矿型,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜的高电阻率与单一的C轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数,可用...
- 马正洪
- 关键词：溶胶-凝胶掺杂C轴取向
- 一种Ag-Al共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种Ag-Al共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，先称取适量的前躯体锌盐，然后量取相应体积的有机溶剂，把锌盐溶解在有机溶剂中，加入与锌离子等摩尔量的二乙醇胺作为稳定剂，采用水浴加热并不断搅拌，最后加入掺杂源硝酸铝和...
- 谭红琳马正洪艾国齐
- 文献传递
- 一种Na-Mg弱掺杂p型ZnO薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种Na-Mg弱掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，先称取适量的前躯体锌盐，然后量取相应体积的有机溶剂，把锌盐溶解在有机溶剂中，加入与锌离子等摩尔量的二乙醇胺作为稳定剂，采用水浴加热并不断搅拌，最后加入掺杂源镁盐和钠...
- 谭红琳马正洪艾国齐
- 文献传递
- Na、Mg共掺杂ZnO薄膜的结构及性能研究被引量：4
- 2011年
- 在玻璃衬底上,采用溶胶-凝胶法制备Na、Mg共掺杂的ZnO薄膜,Mg含量不变,改变Na的掺杂含量,研究掺杂浓度、退火温度及镀膜层数对薄膜结构和光学性能的影响。结果表明:薄膜形貌在550℃退火时较好;Na离子含量会影响薄膜(002)晶面的生长;镀膜层数增加,薄膜有明显红移现象并且透光率会降低。
- 艾国齐谭红琳马正洪
- 关键词：溶胶-凝胶法ZNO薄膜光学性能
- Ag-Al共掺杂ZnO薄膜的结构及其光学性能的研究被引量：4
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃基片上制备了Ag+、A13+共掺ZnO薄膜,通过XRD、紫外分光光度计和金相显微镜等设备,研究了掺杂Ag和Al对半导体ZnO薄膜组织结构和光学性能的影响。结果表明,掺杂Ag和Al对ZnO薄膜结构和光学性能的影响因浓度不同而有差异。Ag+、A13+掺杂浓度为1%时,摩尔比为4∶1;固定Ag+浓度为1.5%,A13+浓度为0.5%;Ag+、A13+浓度为3%,摩尔比为4∶1,提拉次数15次时,ZnO薄膜的结构、透光率最好。
- 马正洪谭红琳艾国齐
- 关键词：溶胶-凝胶晶体结构透光率
- 一种铸坯中心偏析的控制方法
- 本发明属于冶金技术领域，具体涉及一种铸坯中心偏析的控制方法，尤其适用于海洋耐蚀钢筋铸坯中心偏析的控制。该控制方法包括连铸中的二冷过程和轻压下过程，其中二冷过程采用弱冷，比水量为0.4L/kg‑1.2L/kg；轻压下过程的...
- 阴树标黄吉祥李霈汝娟坚马正洪周梦莎苏其响曹建春路洁帅康新杨银辉周晓龙张兴志曹宇曦熊涛马燕闫素
