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陈辉辉

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：东华大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇反应釜
  • 2篇导向剂
  • 2篇电子器件
  • 2篇多孔硅
  • 2篇形貌
  • 2篇水合
  • 2篇水合肼
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇铜基
  • 2篇热法
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子器件
  • 2篇硒化锌
  • 2篇锌盐
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米线
  • 2篇高压反应釜
  • 2篇SUB

机构

  • 6篇东华大学

作者

  • 6篇陈辉辉
  • 5篇邹儒佳
  • 5篇张震宇
  • 5篇王娜
  • 5篇胡俊青
  • 5篇余利
  • 3篇陈海华
  • 2篇马冠香

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种控制合成硒化锌多形貌纳米材料的方法
本发明涉及一种控制合成硒化锌多形貌纳米材料的方法，包括：取SeO<Sub>2</Sub>粉或Se粉和NaOH，加入H<Sub>2</Sub>O磁力搅拌或超声振荡，SeO<Sub>2</Sub>粉溶解生成溶液后，加入水合肼...
胡俊青王娜陈辉辉邹儒佳张震宇余利马冠香
文献传递
低掺杂硅纳米线的制备及性能研究
多孔硅由于新奇的发光性能及其在光电器件方面的应用，引起了纳米科技界的极大兴趣，其主要是通过化学刻蚀的制备方法获得。随着半导体纳米科技的发展，单晶多孔硅纳米线已经通过化学刻蚀制备出来，并且具有优良的光电性能，可用于光催化基...
陈辉辉
关键词：光致发光电学性能
一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu<Sub>2-x</Sub>Se阵列的方法
本发明涉及一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu<Sub>2-x</Sub>Se阵列的方法，包括：(1)将铜基底表面打磨后放入浓盐酸中浸泡，洗涤，烘干后备用；(2)将硒粉超声溶解在氢氧化钠或氢氧化钾溶液中；(3)将铜基底与...
胡俊青陈海华陈辉辉王娜邹儒佳余利张震宇
文献传递
一种低掺杂多孔硅纳米线阵列的制备方法
本发明涉及一种低掺杂多孔硅纳米线阵列的制备方法，包括：(1)将低掺杂的单晶硅片依次经过丙酮、酒精、去离子水超声清洗5～30分钟，然后浸入氧化剂溶液5～20分钟；(2)将硅片用5wt％～20wt％的氢氟酸溶液腐蚀1-10分...
胡俊青陈辉辉陈海华王娜邹儒佳张震宇余利
文献传递
一种控制合成硒化锌多形貌纳米材料的方法
本发明涉及一种控制合成硒化锌多形貌纳米材料的方法，包括：取SeO<Sub>2</Sub>粉或Se粉和NaOH，加入H<Sub>2</Sub>O磁力搅拌或超声振荡，SeO<Sub>2</Sub>粉溶解生成溶液后，加入水合肼...
胡俊青王娜陈辉辉邹儒佳张震宇余利马冠香
一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu<Sub>2-x</Sub>Se阵列的方法
本发明涉及一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu<Sub>2-x</Sub>Se阵列的方法，包括：(1)将铜基底表面打磨后放入浓盐酸中浸泡，洗涤，烘干后备用；(2)将硒粉超声溶解在氢氧化钠或氢氧化钾溶液中；(3)将铜基底与...
胡俊青陈海华陈辉辉王娜邹儒佳余利张震宇
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