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陈继权

作品数:5 被引量:10H指数:2
供职机构:西北工业大学材料学院更多>>
发文基金:国防基础科研计划国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇碲锌镉
  • 3篇晶体
  • 3篇CDZNTE...
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇欧姆接触电极
  • 2篇接触电极
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇反应溅射
  • 2篇衬底
  • 2篇磁控反应溅射
  • 1篇电极
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇增透
  • 1篇增透膜

机构

  • 5篇西北工业大学

作者

  • 5篇陈继权
  • 4篇刘正堂
  • 4篇李阳平
  • 2篇孙金池
  • 2篇冯丽萍
  • 1篇刘文婷

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2005
  • 4篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
蓝宝石衬底上增透膜的设计与制备被引量:4
2004年
 采用彻底搜索法,在蓝宝石(α Al2O3)衬底上分别设计出了SiO2单层和SiO2/Si双层增透保护膜系。设计结果表明单层及多层增透膜系均可实现蓝宝石中红外波段(3~5μm)的增透。利用射频磁控反应溅射法制备出所设计的增透膜系。结果表明,蓝宝石衬底上镀单层及多层增透膜系后红外透过率明显提高;当蓝宝石衬底双面镀SiO2膜后,在3~5μm波段范围内,平均透过率达到96.43%,比未镀膜时的平均透过率87.01%提高了9.42%,满足了设计使用要求。
冯丽萍刘正堂李阳平陈继权
关键词:蓝宝石SIO2薄膜膜系设计射频磁控反应溅射
CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究被引量:2
2004年
高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料.制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极.关于在CdZnTe晶体表面制备接触电极用导电薄膜,大都是采用蒸发镀膜技术,膜层与CdZnTe晶体结合不很牢固.本论文主要开展了在CdZnTe晶体上欧姆接触电极的选材和制备工艺的研究.理论分析了金属与CdZnTe半导体的接触关系,根据影响因素选择Cu/Ag合金作为电极薄膜材料.利用射频磁控溅射法成功地在CdZnTe晶体上制备出Cu/Ag膜.研究发现Cu/Ag合金膜的电阻率随溅射功率的增大而增大、衬底温度的升高而降低.从理论上对这一规律进行了解释.
陈继权孙金池李阳平刘正堂
关键词:碲锌镉欧姆接触磁控溅射
CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究
高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料。制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极。关于在CdZnTe晶体表面制备接触电极用导电薄膜,大都是采用蒸发镀膜技术,膜层与C...
陈继权孙金池李阳平刘正堂
关键词:碲锌镉欧姆接触磁控溅射
文献传递
CdZnTe晶体欧姆接触薄膜电极的制备工艺与性能研究
20世纪90年代中后期,发现CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料.与传统的碘化钠闪烁体探头相比,CdZnTe探头具有很高的探测效率和能量分辨率,可广泛用于安检、工业探伤、医学诊断、天体X射线望远镜等方面.制备...
陈继权
关键词:碲锌镉欧姆接触磁控溅射
文献传递
蓝宝石衬底上制备SiO_2薄膜的研究被引量:4
2005年
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,成功地在蓝宝石基片上制备出了二氧化硅(SiO2)薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,制备的SiO2薄膜与蓝宝石衬底结合牢固;和其它镀膜技术相比,射频磁控反应溅射法可以在较低的温度下制备出SiO2薄膜;制备出的SiO2薄膜在3~5μm波段对蓝宝石衬底有明显的增透效果.
冯丽萍刘正堂刘文婷李阳平陈继权
关键词:磁控反应溅射蓝宝石二氧化硅薄膜
共1页<1>
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