王勇
- 作品数：138 被引量：293H指数：10
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- Wiggler聚焦带状注速调管电子光学系统的设计被引量：7
- 2007年
- 带状注速调管可以在高频段实现高功率微波输出,电子光学系统是带状注速调管的关键部件。阐述了Wiggler双平面聚焦理论,设计了新型椭圆形柱面阴极和椭圆形聚焦极结构,阴极曲率半径为17 mm,长轴10 mm,短轴4 mm;聚焦极长轴28.8 mm,短轴10.4 mm。采用这种结构可以直接产生椭圆形带状电子注,且阴极发射电流密度较为均匀。设计了周期长度为8 mm,总长度为108 mm,中间带有凹槽并可以实现双平面聚焦的Wiggler结构,模拟显示电子注填充因子在75%左右,通过率达到100%。设计了新型的菱形收集极结构,电子轨迹在收集极内发散均匀。
- 王树忠王勇丁耀根阮存军
- 关键词：高功率微波带状注速调管电子光学系统电子枪
- 高峰值功率多注速调管的发展现状被引量：14
- 2007年
- 高峰值功率多注速调管是一种在单注速调管及传统多注速调管的基础上发展起来的新型微波电真空器件。本文介绍了高峰值功率多注速调管的基本特点及目前世界上高峰值功率多注速调管的发展状况,其中包括已经研制成功的10MW级多注速调管、正在研制的50 MW级多注速调管及一些处于概念设计阶段的更高功率水平的多注速调管。最后阐述了研制高峰值功率多注速调管遇到的问题及可能的解决方法,并对其发展前景进行了展望。
- 张瑞王勇
- 关键词：高功率微波多注速调管高峰值功率高次模式
- 多注速调管TM_(410)模同轴输出腔的研究被引量：2
- 2010年
- 研究了多注速调管TM410模同轴输出腔中出现的外观品质因数高,模式频率间隔小以及工作模式场分布的均匀性差等问题,提出了一种设置短路杆和金属环的输出腔结构,从而改善了TM410模输出腔上述三个方面的性能。通过分析发现,适当设置短路杆和重入环不仅可以使外观品质因数降低,还可以改善工作模式的场分布;设置重入环还可以增大工作模式和邻近模式的频率间隔。利用CST-MWS软件,对X波段具有短路杆和金属环的多注速调管TM410模同轴输出腔进行了模拟计算,其工作模式(TM410模)的外观品质因数降低了42.7%(从540.4降至309.6),TM410模与邻近模式的频率间隔均达到了1.3GHz以上,工作模式的场分布也变得均匀。
- 韩慧鹏王勇张瑞
- 关键词：多注速调管光子晶体
- 多注速调管TM_(310)模光子晶体谐振腔研究被引量：2
- 2010年
- 研究了适用于多注速调管的TM310模光子晶体谐振腔,发现在此类谐振腔的缺陷中心放置单层光子晶体结构能抑制与主模临近的杂模。进一步研究发现,为了易于工程实现,在不采用光子晶体谐振腔的前提下,在谐振腔中放置单层光子晶体结构,亦能抑制与主模临近的杂模,并能增大主模与非工作模式的频率间隔。利用HFSS软件对X波段此类谐振腔进行了模拟计算,验证了该方法的有效性。
- 韩慧鹏张雪张雪
- 关键词：多注速调管场分布外观品质因数
- 带状电子注在周期磁场中传输的稳定性
- 2010年
- 在理论分析的基础上,对带状注在周期磁场中传输的单平面聚焦稳定性进行了数值计算和PIC程序模拟,验证了带状注在周期磁场中长距离传输的稳定性条件,详细分析了聚焦磁场周期长度对束流稳定性的影响,从而表明Wiggler聚焦磁场适于直流电压较高的束流,小周期长度的聚焦结构要求精确的机械制造。为接近真实的情形,设定漂移管和电子注的横向尺寸有限,而聚焦结构无限宽。本文的理论和仿真研究为设计中采用合适的周期聚焦结构,选用合适的设计参数提供了依据。
- 韩莹阮存军王勇
- 关键词：带状电子注稳定性
- 太赫兹扩展互作用振荡器输出结构的设计与分析
- 2012年
- 扩展互作用振荡器由于具有结构紧凑、工作电压低、效率高等特点成为真空电子学太赫兹辐射源的重要研究方向,在高分辨成像雷达、保密通信等方面具有广泛的应用前景。扩展互作用振荡器输出段是该器件输出THz的关键部分,其输出特性对扩展互作用振荡器的整体性能有着至关重要的作用。本文采用仿真软件模拟计算的方法,对扩展互作用振荡器输出段的S参数进行了较为详细的研究,并且对中心轴对称直渐变过渡波导、平面对称直渐变过渡波导和阶梯过渡波导式结构的输出结构进行了比较研究,本文的结果对后续EIO的设计与研究具有一定的参考意义和指导价值。
- 刘文鑫高云云钟勇王勇刘濮鲲
- 关键词：太赫兹S参数
- 波导加载腔的场计算被引量：5
- 1998年
- 本文基于边界元法(BEM),提出了一种新的计算波导加载谐振腔的谐振频率、外Q值和场分布的数值计算方法。计算表明,用BEM来处理波导加载腔这样的开放系统,具有计算时间短、机器内存少和精度高等优点。
- 王勇
- 关键词：边界元法谐振频率场分布波导
- 双面次级电子倍增效应向单面次级电子倍增效应发展规律的研究被引量：1
- 2015年
- 次级电子倍增效应引起的输出窗失效问题往往给微波器件造成灾难性的影响,是限制微波器件功率进一步提升的瓶颈.以S波段高功率盒形窗为研究对象,针对盒形窗内无氧铜金属边界与陶瓷介质窗片相对的区域,建立了研究法向电场作用下次级电子倍增效应的Monte-Carlo模型.通过拟合这两种材料间双面次级电子倍增以及单面次级电子倍增效应的敏感曲线,对次级电子倍增发展特点进行详细分析,获得了金属与介质之间的次级电子由双面倍增向单面倍增演变的规律.
- 张雪王勇徐强
- 金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究被引量：4
- 2014年
- 高功率盒形窗内的TM11模法向电场对次级电子倍增现象具有较大的影响,特别是在介质窗片与金属波导壁相对的区域,易发生双面次级电子倍增.采用蒙特卡罗粒子模拟方法,研究了法向电场作用下氧化铝陶瓷窗片与铜波导壁之间的双面倍增敏感曲线、倍增阈值电压、粒子数量的演变过程以及粒子运动轨迹.通过对相关参数的分析,获得了金属壁与陶瓷窗片之间双面谐振倍增和非谐振倍增的规律以及双面倍增向单面倍增转变的特点.此研究可为分析窗片失效机理提供理论依据.
- 张雪王勇范俊杰朱方张瑞
- 关键词：蒙特卡罗模拟
- 高功率盒形窗内次级电子倍增效应被引量：4
- 2016年
- 以S波段高功率盒型窗为对象,采用Monte Carlo模拟方法对盒型窗内的次级电子倍增效应进行研究,探索次级电子的倍增规律。模拟得到了盒型窗内TE11模和TM11模共同作用下,两种陶瓷窗片表面次级电子倍增活跃的区域随传输功率的变化特点。在低传输功率下,次级电子仅在未镀膜窗片表面被激励,并以双面倍增的方式在金属法兰与镀膜窗片相对应的区域增长;在较高的传输功率下,窗片表面的次级电子将以单面倍增的方式活跃在窗片表面与波导口相对的区域。传输功率的升高使得镀膜窗片表面的次级电子倍增活跃区域转移到矩形波导窄边对应的区域,并加剧了未镀膜窗片表面的局部倍增效应。
- 张雪徐强王勇楚君王梦蛟段斌
- 关键词：速调管蒙特卡罗模拟
