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王春瑞

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇正电子
  • 2篇正电子湮没
  • 2篇砷化镓
  • 2篇中子辐照
  • 2篇快中子辐照
  • 2篇GAAS
  • 1篇中子
  • 1篇裂变
  • 1篇快中子

机构

  • 2篇中国原子能科...
  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 2篇勾振辉
  • 2篇罗起
  • 2篇朱升云
  • 2篇王春瑞
  • 2篇李安利
  • 1篇范志国
  • 1篇郑胜男
  • 1篇钱嘉裕

传媒

  • 2篇核技术

年份

  • 2篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究被引量：1
1998年
采用正电子湮没寿命测量方法研究了注量为６５×１０１５／ｃｍ２和１．４×１０１４／ｃｍ２、Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变快中子辐照在掺Ｓｉ、Ｎ型单晶ＧａＡｓ中产生的缺陷。此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺陷。缺陷浓度正比于辐照注量，高温退火产生王空位缺陷及小空位团。单空位、双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０．４５０．
李安利罗起范志国郑胜男勾振辉王春瑞钱嘉裕朱升云
关键词：裂变快中子辐照正电子湮没砷化镓
5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究
1998年
采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０１１－１０１２ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照只产生单空位缺陷，而１０１３ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷；１０１８ｎ／ｃｍ２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷。产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大。
王春瑞罗起苑志国李安利勾振辉勾振辉钱嘉裕朱升云
关键词：快中子正电子湮没砷化镓
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