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王小军

作品数：9 被引量：7H指数：2
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自然科学总论机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 4篇应变量子阱
  • 4篇砷化镓
  • 3篇INGAAS...
  • 2篇铟镓砷
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇半导体
  • 2篇XGA
  • 2篇AS
  • 1篇导体
  • 1篇展宽
  • 1篇势垒
  • 1篇双晶
  • 1篇双晶衍射
  • 1篇双势垒
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇离子注入
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇结构参数

机构

  • 4篇中国科学院
  • 4篇厦门大学
  • 2篇国家光电子工...
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 9篇王小军
  • 3篇胡雄伟
  • 3篇黄启圣
  • 3篇吴正云
  • 3篇庄婉如
  • 3篇王启明
  • 2篇郑联喜
  • 2篇余辛
  • 2篇刘伟
  • 2篇王启明
  • 2篇黄美纯
  • 1篇王玉田
  • 1篇王飞武
  • 1篇庄岩
  • 1篇郑婉华
  • 1篇黄钟英
  • 1篇周必忠
  • 1篇王玉田

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇1998
  • 4篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱被引量：1
1997年
用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较．分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系．
吴正云王小军余辛黄启圣
关键词：应变量子阱
稀土Er离子注入GaAs:Er光学性质的研究
1993年
用离子注入法掺Er,制成发光材料GaAs:Er.探索了离子注入和退火最佳条件,通过对GaAs:Er样品的光致发光谱和吸收光谱的测量,分析、探讨发光中心Er的光激发和能量传输机制.
黄钟英王飞武王小军周必忠王南钦
关键词：光致发光谱吸收光谱
MOCVD的InGaAs／GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究被引量：1
1994年
本文中利用ＭＯＣＶＤ方法得到了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，４．３ｎｍ量子阱１０ＫＰＬＦＷＨＭ仅为３．４９ｍｅＶ．通过对样品荧光谱在变激发强度，变温时的峰位、峰形研究，我们发现，合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因，因而是ＭＯＣＶＤ生长中应该首先解决的问题，实验结果还表明，在讨论低温ＰＬ谱形时，必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程．
王小军郑联喜王启明庄婉如黄美纯郑婉华
关键词：光致发光MOCVD
用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质被引量：2
1997年
采用低温光伏谱方法，研究了应变Ｉｎ０１８Ｇａ０８２／ＧａＡｓ单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁，并与理论计算的结果进行比较，对光伏谱的谱峰跃迁能量随温度变化的分析，表明量子阱中的应变与温度基本无关．研究了光伏谱的谱峰半高宽度随温度的变化关系．讨论了声子关联。
吴正云王小军余辛黄启圣
关键词：铟镓砷砷化镓应变量子阱
高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs／GaAs超薄应变层量子阱结构参数被引量：1
1995年
应变超薄层结构的组分、厚度、应变状态的直接检测，对于器件应用具有重要的意义，本文中，利用ＭＯＣＶＤ方法得到高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱材料，采用双晶衍射方法的弱信号收集技术，结合运动学理论模拟，得出同时包含几个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阶结构的重要参数，其检测结果与光致发光（ＰＬ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）等方法的测试结果基本一致，表明Ｘ射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法．
王小军庄岩王玉田庄婉如王启明黄美纯
关键词：砷化镓量子阱结构
InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究被引量：3
1998年
实验得到不同温度下应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的光伏谱，通过理论计算与实验结果的比较，对各谱峰进行了指认．本文着重考察各样品中１１Ｈ跃迁的激子谱峰的半宽随温度及阱宽的变化，讨论谱峰展宽机制中的声子关联、混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响．
吴正云王小军黄启圣
关键词：半导体材料应变量子阱
表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变
1997年
本文报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs／GaAs应变量子阱材料．单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰．首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs／GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变．
王小军刘伟胡雄伟庄婉如王启明
关键词：砷化镓半导体物理
优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量
1997年
一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的InxGa1-xAs缓冲层的MOCVD生长．在这种InxGa1-xAs缓冲层上生长的InyGa1-yAs／AlzGa1-zAs／GaAs／AlzGa1-xAs双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质．超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰，表明超晶格界面质量很好．主要应用X射线双晶衍射方法，给出了样品中各层的应变状态．据此，合理地解释了样品的光学测试结果．
王小军郑联喜肖智博王玉田胡雄伟王启明
关键词：MOCVD生长
In_xGa_（1－x）As缓冲层上In_yGa_（1－y）As／（Al）Ga
1996年
本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格界面．据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导．
王小军刘伟胡雄伟王启明黄美纯
关键词：应变量子阱
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