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GEANT4在中子辐射效应中的应用: 中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的GEANT4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应，非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应。电离...; 金晓明王园明杨善潮马强刘岩林东生陈伟; 文献传递网络资源链接

纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究被引量：1: 2015年; 器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随着质子能量的增加,单粒子多位翻转百分比和多样性增加,质子单粒子多位翻转角度效应与质子能量相关.采用一种快速计算质子核反应引起单粒子多位翻转的截面积分算法,以Geant4中Binary Cascade模型作为中高能质子核反应事件发生器,从次级粒子的能量和角度分布出发,揭示了质子与材料核反应产生的次级粒子中,LET(linear energy transfer)最大,射程最长的粒子优先前向发射是引起单粒子多位翻转角度相关性的根本原因.质子能量、临界电荷的大小是影响纳米SRAM器件质子多位翻转角度相关性的关键因素.质子能量越小,多位翻转截面角度增强效应越大;临界电荷的增加将增强质子多位翻转角度效应.; 罗尹虹张凤祁郭红霞郭晓强赵雯丁李利王园明; 关键词：质子

亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究被引量：13: 2010年; 利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35～0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线。与μm级特征尺寸的器件相比,随特征尺寸的减小,单粒子翻转更加严重。测量到了令人关注的单粒子多位翻转(MBU)效应,对翻转位数进行了统计分析。MBU对目前卫星系统采用的EDAC技术提出了挑战。; 郭红霞罗尹虹姚志斌张凤祁张科营何宝平王园明; 关键词：静态随机存储器重离子加速器

质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算被引量：4: 2010年; 研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面。计算结果在趋势上与双参数公式所预言的相符合,并可得到很高能量质子引起的极限截面;在较低能段的数据与文献的理论和实验值相符。; 王园明陈伟郭红霞何宝平罗尹虹姚志斌张凤祁张科营赵雯; 关键词：质子

直接数字式频率合成器单粒子效应实验研究被引量：2: 2016年; 在直接数字式频率合成器(DDS)单粒子效应失效现象的基础上,研制了具备寄存器读写、功耗电流测试和输出效应波形捕获功能的DDS辐射效应在线测试系统,开展了DDS单粒子效应实验研究。结果表明,单粒子效应会导致DDS输出波形扰动,波形功能中断,功耗电流陡然增大。分析认为:DDS内部PLL模块发生单粒子瞬态和单粒子翻转,是引发波形扰动的主要原因;内置DAC的主要功能寄存器翻转引发了输出波形功能中断;电流增大是单粒子闭锁引起的。本项研究为国产DDS器件的加固和考核提供了一定的参考。; 王园明阮林波罗尹虹郭红霞王忠明姚志斌张凤祁王燕萍; 关键词：直接数字式频率合成器单粒子效应

一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法: 本发明涉及一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法，包括被测处理器、被测处理器I/O管脚配置系统、中心控制系统等。被测处理器I/O管脚配置系统是中心控制系统与不同处理器之间的接口，它是由现场可编程门阵列（FPGA）...; 张科营罗尹虹郭红霞姚志斌郭晓强张凤祁王园明王忠明闫逸华丁李丽赵雯王燕萍; 文献传递

Geant4在中子辐射效应中的应用: 中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应。电离...; 金晓明王园明杨善潮马强刘岩林东生陈伟; 文献传递

GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究被引量：4: 2011年; 建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律。结果表明,阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感参数,讨论了器件性能退化的各种辐射损伤机制。; 王燕萍罗尹虹张科营王园明; 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管中子辐照

Flash型FPGA的单粒子效应测试系统研制被引量：2: 2015年; 研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲宽度测试等功能。本文介绍了该系统的测试原理和软硬件实现方法。; 王忠明闫逸华陈荣梅王园明赵雯张凤祁郭晓强郭红霞; 关键词：单粒子效应

一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法: 本发明涉及一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法，包括被测处理器、被测处理器I/O管脚配置系统、中心控制系统等。被测处理器I/O管脚配置系统是中心控制系统与不同处理器之间的接口，它是由现场可编程门阵列（FPGA）...; 张科营罗尹虹郭红霞姚志斌郭晓强张凤祁王园明王忠明闫逸华丁李丽赵雯王燕萍

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王园明