滕浩
- 作品数：26 被引量：33H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 掺铈铽钇石榴石透明陶瓷荧光材料及其制备方法
- 一种掺铈铽钇石榴石透明陶瓷荧光材料及其制备方法，该掺铈铽钇石榴石透明陶瓷荧光材料的组分为Tb<Sub>3-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Al<Sub>5</Sub>O<Sub>12</Sub>，(其中，0.0...
- 林辉周圣明滕浩
- 文献传递
- 用于高亮度白光发光二极管的透明陶瓷及其制备方法
- 一种用于高亮度白光发光二极管的透明陶瓷及其制备方法，其化学式可写为(Y<Sub>3-x-y-z</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Li<Sub>y</Sub>R<Sub>z</Sub>)(Al<Sub>5-n</Su...
- 滕浩周圣明林辉
- 文献传递
- 用于铝酸锂晶体材料的高精密平坦化方法
- 一种用于铝酸锂晶体材料的高精密平坦化方法，其特征在于该方法包括下列步骤：①用碱性SiO<Sub>2</Sub>抛光液进行化学机械抛光，对(100)面和(302)面的γ-LiAlO<Sub>2</Sub>晶片进行化学机械抛...
- 贾婷婷林辉滕浩周圣明
- 文献传递
- 非晶硅薄膜制备及其晶化特性研究被引量：14
- 2008年
- 用磁控溅射法在K9玻璃上沉积了非晶硅(a-Si)膜和a-Si/Al膜,并将其在流动的N2气氛下进行退火。对退火前后的样品进行Raman光谱、XRD和SEM表征和分析。Raman光谱表明随着退火温度的升高,a-Si膜的散射峰出现了明显的蓝移,但XRD结果表明薄膜仍为非晶态;而a-Si/Al膜在温度很低时就已经开始晶化。
- 罗士雨冯磊汪洪林辉滕浩黄涛华周圣明
- 关键词：磁控溅射非晶硅多晶硅
- GaInN白光LED用复合结构荧光陶瓷及其制备方法
- 一种用于GaInN白光LED的复合结构荧光陶瓷及其制备方法，该复合结构荧光陶瓷由上层透明陶瓷和下层透明陶瓷通过侧面粘合构成：上层透明陶瓷的化学组成为(Ce<Sub>x</Sub>Y<Sub>1-x</Sub>)<Sub>...
- 周圣明林辉滕浩
- 文献传递
- 用提拉法生长铝酸锂晶体的装置
- 一种用提拉法生长铝酸锂晶体的装置，包括一台提拉法生长单晶炉，其特点是该单晶炉的保温罩侧壁是完整的，不设观察窗，在与观察窗口相对的炉壁上通过支架架设一块观察镜于所述的保温罩的上方，以便通过所述的观察镜的反射实现对所述的铱坩...
- 周圣明林辉王军滕浩
- 文献传递
- Yb^3＋,Ho^3＋共掺氧化钇透明陶瓷的制备及其性能被引量：5
- 2010年
- 研究了共沉淀法制备Yb/Ho∶Y2O3纳米粉末及其透明陶瓷的烧结工艺,采用Y(NO3)3、Yb(NO3)3和Ho(NO3)3的混合溶液为母盐溶液,以氨水为沉淀剂,在不同pH值下,用共沉淀法制备得到了碱式硝酸盐前驱体沉淀。1100℃煅烧2h得到Yb/Ho∶Y2O3纳米粉末。采用0.5wt%的TEOS(正硅酸四乙酯)为添加剂,1700～1850℃真空烧结15～25h后,得到了Yb/Ho∶Y2O3透明陶瓷。
- 李文杰林辉滕浩刘娜李宇焜侯肖瑞贾婷婷周圣明
- 关键词：共沉淀法Y2O3透明陶瓷
- Nd,Ce共掺YAG透明陶瓷的制备及其光谱性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用固相反应真空烧结法首次制备出Nd3+和Ce3+的掺杂浓度分别为1.0 at%和0.3 at%,Nd、Ce共掺YAG透明陶瓷,并对样品的相结构、显微结构、光学透过率和光谱性能进行了表征。结果表明,Nd3+和Ce3+都进入了YAG晶格,样品的平均晶粒尺寸约为5μm,1.5 mm样品的光学透过率除吸收带外基本都在75 at%以上。采用467 nm的激发源对样品Ce3+的5d能级进行激发,Ce3+通过对Nd3+的能量转移,实现了Nd3+的近红外发射,主荧光发射峰位于在1064 nm处,荧光寿命为256μs。
- 滕浩李宇焜林辉李文杰侯肖瑞贾婷婷易庆周圣明
- 关键词：透明陶瓷光谱性能
- 掺锰铝酸锂晶体的生长方法
- 一种掺锰铝酸锂晶体的制备方法，包括下列步骤：(1)含锰铝酸锂原料的合成：以氧化铝、碳酸锂和二氧化锰为原料按化学配比配料，将原料充分混合均匀后压块，然后置于刚玉坩埚中预烧；(2)晶体的生长：将预烧后的原料放在铱金坩埚中，并...
- 滕浩周圣明林辉王军
- 文献传递
- LiGaO2衬底上ZnO外延膜的结构与光学特性被引量：8
- 2008年
- 采用磁控溅射法在(001)、(100)及(010)LiGaO2衬底上制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、透过光谱以及光致发光谱(PL)对薄膜的结构、形貌及光学性质进行了表征。结果表明LiGaO2衬底不同晶面上制备的ZnO薄膜具有不同的择优取向,在(001)(、100)及(010)LiGaO2上分别获得了[0001][、1100]及[1120]取向的ZnO薄膜;不同取向的ZnO薄膜表面形貌差异较大;薄膜在可见光波段具有较高的透过率;在ZnO薄膜的光致发光谱中只观察到了位于378 nm的紫外发射峰,而深能级发射几乎观察不到,(1100)取向的薄膜紫外发射峰强度最大,半高宽也最小,薄膜光致发光性质的差异主要和晶粒尺寸有关。
- 黄涛华周圣明滕浩林辉王军
- 关键词：薄膜光学半导体材料ZNO薄膜磁控溅射光致发光谱
