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林丽霞

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇单晶硅
  • 3篇直拉单晶硅
  • 3篇掺锗
  • 2篇电路
  • 2篇内吸杂
  • 2篇吸杂
  • 2篇集成电路
  • 2篇铜
  • 2篇掺磷
  • 1篇电路制造
  • 1篇氧沉淀
  • 1篇退火
  • 1篇集成电路制造
  • 1篇硅片
  • 1篇超大规模集成
  • 1篇超大规模集成...
  • 1篇大规模集成电...

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇林丽霞
  • 2篇陈加和
  • 2篇杨德仁
  • 2篇马向阳
  • 1篇王维燕

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
直拉单晶硅的内吸杂效应及铜沉淀行为
超大规模集成电路(Integrated Circuit,IC)的发展对硅单晶材料提出了越来越严格的要求,随着集成电路特征线宽的减小,利用硅片的内吸杂来减少乃至消除集成电路制造过程中不可避免的金属沾污带来的危害成为一个重要...
林丽霞
关键词：直拉单晶硅氧沉淀内吸杂掺锗超大规模集成电路
掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺
本发明公开的掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺，是将初始氧浓度为0.5×10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-3</Sup>-5×10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-3</Sup>，锗浓度为0....
杨德仁林丽霞陈加和马向阳
文献传递
掺锗对重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响
本文通过硅片择优腐蚀技术和半导体光学显微镜研究了受铜沾污的掺锗（掺锗浓度为1×1019cm-3）重掺磷硅片在高温退火（800-1000℃）条件下的铜沉淀行为。研究发现，经800℃退火后，近表面区域富集着大量的点状腐蚀坑，...
林丽霞陈加和王维燕马向阳杨德仁
关键词：直拉单晶硅
文献传递
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