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杨鹏

作品数:12 被引量:4H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:河北省自然科学基金河北省科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术经济管理更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇端口
  • 4篇限幅
  • 4篇限幅器
  • 4篇芯片
  • 2篇电路
  • 2篇多晶
  • 2篇延时线
  • 2篇输出端
  • 2篇输出端口
  • 2篇输入端
  • 2篇同轴
  • 2篇同轴结构
  • 2篇驱动放大器
  • 2篇吸收式
  • 2篇限幅电路
  • 2篇磷化铟
  • 2篇炉子
  • 2篇抗饱和
  • 2篇基片
  • 2篇键合

机构

  • 12篇中国电子科技...
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 12篇杨鹏
  • 4篇邓世雄
  • 2篇孙聂枫
  • 2篇李群春
  • 2篇王乔楠
  • 2篇李宏军
  • 2篇王胜福
  • 2篇要志宏
  • 2篇杨志
  • 2篇赵瑞华
  • 2篇邓建国
  • 2篇付兴中
  • 2篇袁彪
  • 2篇苏彦文
  • 2篇申晓芳
  • 2篇马灵
  • 2篇高长征
  • 2篇李丰
  • 2篇郭英
  • 2篇刘晓红

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇光子学报
  • 1篇中国军转民

年份

  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2004
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
吸收式限幅器
本发明适用于无线电技术领域,提供了一种吸收式限幅器,包括电桥、第一限幅模块、第二限幅模块、第一负载模块和第二负载模块;所述电桥的输入端口为所述吸收式限幅器的输入端口,所述电桥的隔离端口为所述吸收式限幅器的输出端口;所述电...
邓世雄陈书宾高长征赵瑞华杨鹏邓建国袁彪董雪李群春孙计永郭英强贺高红霞周燕
文献传递
势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真
2018年
普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,以增加导通电阻为代价降低栅电极附近沟道内电场峰值。之后在漏极附近势垒层进行氢离子注入,来补偿LDD结构输出特性的损失,并进一步均匀沟道电场分布,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压特性。最终设计的AlGaN/GaN HEMT器件导通电阻为0. 766 mΩ·cm2,击穿电压为1 176 V。
杨鹏杨琦刘帅
微同轴结构的微延时线芯片的制作方法
本发明适用于射频微波技术领域,提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法,该方法包括:在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔,第二基片和第三基片制备多个第二通孔;第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹...
董春辉杨鹏杨志钱丽勋李宏军马灵申晓芳薛源付兴中王胜福李丰周名齐周少波赵立娟张学凯
文献传递
抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器
本发明适用于无线电系统技术领域,提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器,该方法包括:多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间,每级限幅电路的第二端的第一端口接地,第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载...
邓世雄陈书宾罗建要志宏刘晓红杨鹏王乔楠吴波苏彦文武康史磊贾晓亮李省王平
文献传递
一种磷化铟多晶合成的方法
一种磷化铟多晶合成的方法,属于半导体技术领域,包括:将坩埚内的铟加热形成熔体;打开冷凝器;将磷加热气化,气化的磷蒸气进入坩埚中的熔体,与铟化合反应生成磷化铟;溢出熔体的磷蒸气与冷凝器发生热交换,凝结成液滴,流入液磷输送管...
林朋杨鹏付莉杰孙聂枫史艳磊王书杰秦敬凯
微同轴结构的微延时线芯片的制作方法
本发明适用于射频微波技术领域,提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法,该方法包括:在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔,第二基片和第三基片制备多个第二通孔;第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹...
董春晖杨鹏杨志钱丽勋李宏军马灵申晓芳薛源付兴中王胜福李丰周名齐周少波赵立娟张学凯
文献传递
锁相环频率快速切换电路、锁相环及控制方法
本发明提供一种锁相环频率快速切换电路、锁相环及控制方法。该电路包括电荷泵、环路滤波器、压控振荡器、开关模块、电平转换模块和控制器;开关模块和电荷泵均受控于控制器;电荷泵的输出端与环路滤波器连接;开关模块的第一端与环路滤波...
曹振坤王达高晓强潘海波郭文胜杨鹏张加程王增双刘兰坤耿栋谢甲林张存亮孙高勇朗永泽
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列被引量:4
2004年
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙杨鹏徐会武安振峰
关键词:金属有机化合物气相淀积半导体激光器阵列分别限制结构单量子阱
吸收式限幅器
本实用新型适用于无线电技术领域,提供了一种吸收式限幅器,包括电桥、第一限幅模块、第二限幅模块、第一负载模块和第二负载模块;所述电桥的输入端口为所述吸收式限幅器的输入端口,所述电桥的隔离端口为所述吸收式限幅器的输出端口;所...
邓世雄陈书宾高长征赵瑞华杨鹏邓建国袁彪董雪李群春孙计永郭英强贺高红霞周燕
文献传递
关于军用元器件报审价工作的探讨
2023年
军用元器件是武器装备系统的重要组成部分,随着技术飞速发展,装备性能不断升级,其在装备中的成本占比不断攀升,军用元器件企业面临延伸议价审价的频次呈明显上升趋势。本文以现行法规为军品报审价工作的出发点和落脚点,结合自身军品报审价工作经验,分析了军用元器件企业在报审价工作中面临的共性问题,并提出了完善、细化的建议。为了更好的应对军品报审价工作,对军用元器件企业如何做好价格管理工作,提出了几点建议。部分观点还有待于实践验证,权当抛砖引玉,后续与各方共同努力,致力于健全完善更为科学合理的军品价格管理工作。
林朋杨鹏
关键词:电子元器件
共2页<12>
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