杨利斌
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：太原科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：山西省自然科学基金年山西省研究生优秀创新项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 磁控溅射Ni-Mn-Ga薄膜的性能研究
- Ni-Mn-Ga合金具有热诱导形状记忆效应和磁诱导形状记忆效应，以及大的磁致应变和高的响应频率，成为目前研究非常热的磁性形状记忆材料，使其在微机电领域有广泛的应用前景。目前，对Ni-Mn-Ga合金的研究主要集中在薄膜制备...
- 杨利斌
- 关键词：NI-MN-GA磁性能
- 文献传递
- 衬底负偏压对Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜成分及形貌的影响被引量：1
- 2011年
- 采用能谱仪（EDS）和原子力显微镜（AFM）对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni—Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发现：当衬底负偏压在5～30V范围变化时，薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势，在偏压为10V时，达到最小值52．84％（摩尔分数，下同）.Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反，且在偏压为10V时达到最大值29．85％，而Mn含量变化不大，保持在17．00％左右；薄膜呈典型岛状（Volmer-Weber）模式生长，表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而减小。
- 杨利斌柴跃生张敏刚陈峰华张凯
- 关键词：NI-MN-GA
- 沉积膜厚度对NdFeB薄膜形貌和磁性能的影响
- 2012年
- 采用直流磁控溅射法,以P型单晶硅为基体材料,通过调整溅射时间制备出不同厚度的NdFeB薄膜。然后对不同厚度的薄膜运用相关仪器进行表征,结果表明,NdFeB薄膜厚度随着溅射时间的延长呈现近似线性增加,不同溅射时间段的沉积速率近似相同。矫顽力随着薄膜的厚度和Nd含量的增加而增加,薄膜中F的含量由84.01%降至81.65%,Nd含量由10.73%升至13.10%,B含量在5.25%～5.38%范围内浮动。
- 张凯张敏刚刘文峰杨利斌
- 关键词：磁控溅射表面形貌磁性能
- Ni-Mn-Ga磁控溅射靶材合金制备及性能
- 2011年
- 根据Ni-Mn-Ga合金靶材在磁控溅射过程中各元素溅射产额和靶材成分的不同,对薄膜成分的影响进行了分析,从而制备了马氏体转变温度高于室温的Ni55Mn24.5Ga20.5靶材。针对目前没有标准的Ni-Mn-Ga马氏体PDF卡片,使用模拟结合已有文献的方法对制备的合金X射线衍射峰进行标定。由于差示扫描量热仪(DSC)不容易对薄膜进行相转变温度测定,提出了利用马氏体与母相磁性能的磁矩与温度(M-T)曲线来测定薄膜的相转变温度,并对合金进行了验证。居里温度约为450K的合金的制备,为进一步探索薄膜成分对磁性能的影响提供了实验依据。
- 陈峰华张敏刚柴跃生杨利斌熊杰
- 关键词：相变温度磁控溅射
