杜轶
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 软化学法制备高度取向ZnO亚微米棒阵列的生长温度研究
- Zn0晶体的主要生长方法有助溶剂法、水热合成法、气相法。近年来，由于制备技术的提高，呈现出如金属有机物化学气相沉积((MOCVD)、分子束外延(MBE)、激光脉冲沉积(PLD)等先进技术。但由于高昂的成本以及高温、高压、...
- 俞有幸郝维昌杜轶王春忠王天民
- 关键词：氧化锌晶体软化学法生长温度
- 软化学法制备高度取向ZnO亚微米棒阵列的生长温度研究
- ZnO 是一种直接带隙的半导体材料,室温下的禁带宽度为3．37eV,激子束缚能为60meV。由于在短波长半导体发光二极管、激光器、紫外探测等光电性能及气敏1,2]、压电3]等方面的潜在用途而受到广泛研究,特别是作为一种重...
- 俞有幸郝维昌杜轶王春忠王天民
- 氧化锌纳米棒有序阵列的制备及表征被引量：2
- 2007年
- 氧化锌是一种重要的化合物半导体,其低维结构在微电子器件领域具有潜在的应用前景。在温和的条件下利用软化学方法在沉积了单层ZnO颗粒膜的玻璃衬底上制备了直径为70～300nm,长约1μm的氧化锌纳米棒有序阵列,讨论了颗粒膜对阵列生长的作用以及水浴温度对晶体结构和形貌的影响。结果表明,产物为纤锌矿结构;ZnO颗粒膜为阵列的生长提供了分布均匀且固定的形核中心,对阵列的有序生长起诱导作用;随着反应温度的升高,阵列直径变小且排列更加有序,但过高的温度会抑制ZnO晶体内部的c轴择优取向作用。研究了ZnO阵列的光致发光特性,初步讨论了其发光机理。
- 俞有幸郝维昌杜轶王春忠王天民
- 关键词：氧化锌有序阵列光致发光
