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李明亮

作品数：47 被引量：8H指数：2
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏高校优势学科建设工程资助项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 28篇触发
  • 22篇可控硅
  • 18篇电源
  • 18篇电源线
  • 16篇互补型
  • 15篇双极型
  • 12篇微米工艺
  • 10篇晶体管
  • 10篇可控硅器件
  • 10篇硅器件
  • 9篇电路
  • 9篇多晶
  • 9篇多晶硅
  • 9篇多晶硅栅
  • 9篇鲁棒
  • 9篇静电放电
  • 9篇硅栅
  • 7篇集成电路
  • 6篇双向可控硅
  • 6篇场效应

机构

  • 47篇浙江大学
  • 1篇江南大学
  • 1篇教育部

作者

  • 47篇李明亮
  • 46篇董树荣
  • 46篇韩雁
  • 44篇宋波
  • 39篇苗萌
  • 39篇马飞
  • 15篇黄大海
  • 11篇吴健
  • 11篇郑剑锋
  • 5篇杜晓阳
  • 5篇霍明旭
  • 2篇梁海莲
  • 1篇郭清
  • 1篇郭维
  • 1篇顾晓峰

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 2篇2013
  • 8篇2012
  • 20篇2011
  • 17篇2010
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种NMOS管辅助触发的可控硅电路
本发明公开了一种NMOS管辅助触发的可控硅电路，用于核心电路的ESD防护，包括内嵌NMOS管的可控硅以及由NMOS管和PMOS管组成的反相器；反相器的输入端接核心电路的VDD电源线。在ESD情况下，由于本发明电路内嵌的N...
宋波韩雁董树荣马飞黄大海李明亮苗萌
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一种用于射频集成电路静电放电防护的双向可控硅
本发明公开了一种用于射频集成电路静电放电防护的双向可控硅，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有P阱以及位于P阱两侧的第一N阱和第二N阱；第一N阱上方从外到内依次设有通过浅壕沟隔离的第一N+注入区、第一P+注入区和第三N+注...
马飞韩雁董树荣宋波苗萌李明亮吴健郑剑锋
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耦合电容辅助触发的互补型SCR结构
本发明公开了一种耦合电容辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD...
李明亮董树荣韩雁宋波苗萌马飞
齐纳二极管辅助触发的互补型SCR结构
本发明公开了一种齐纳二极管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ES...
李明亮董树荣韩雁宋波苗萌马飞
二极管串辅助触发的互补型SCR结构
本发明公开了一种二极管串辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD...
李明亮董树荣韩雁宋波苗萌马飞
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集成电路ESD全芯片防护电路
本发明公开了一种集成电路的片上ESD全芯片防护电路，它包括电源箝位单元(14)、RealVDD外部电源总线(30)和Real VSS外部电源总线(31)分别与核心电路(15)的芯片引脚焊盘直接相连接，VirtualVDD...
李明亮董树荣杜晓阳韩雁霍明旭黄大海宋波
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一种PMOS场效应晶体管辅助触发的双向可控硅
本发明公开了一种PMOS场效应晶体管辅助触发的双向可控硅，包括P型衬底，P型衬底上设有深N阱，深N阱内设有N阱以及位于N阱两侧的第一P阱和第二P阱；第一P阱上设有通过第一浅壕沟隔离的第一N+注入区和第一P+注入区，第一P...
马飞韩雁董树荣宋波苗萌李明亮吴健郑剑锋
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集成电路典型工艺下I/O电路及片上ESD防护设计研究
本文主要是从I/O电路、ESD防护方案设计以及ESD全芯片防护设计三个方面深入研究了典型工艺下的I/O电路设计以及ESD防护设计。论文在理解业界通用I/O电路设计标准以及二极管、MOSFET、SCR等基本ESD防护单元工...
李明亮
关键词：集成电路电容耦合CMOS工艺芯片设计
一种内嵌PMOS辅助触发可控硅结构
本发明公开了一种内嵌PMOS辅助触发可控硅器件，包括P型衬底及其上方的置P阱和N阱，P阱和N阱交界处上方横跨有PMOS的栅氧以及位于栅氧上方的多晶硅栅，N阱上依次设有第一浅壕沟隔离，第一N+注入区、第二浅壕沟隔离和第一P...
马飞韩雁董树荣黄大海宋波李明亮苗萌
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一种可控硅器件
本发明公开了一种可控硅器件，包括P型衬底，在P型衬底上设置连接阳极的第一N阱与电位浮空的第二N阱，在所述的两个N阱与P型衬底之间跨接了一个第三N+注入区。利用第一N阱与P型衬底之间跨接第三N+注入区，实现了触发电压值降低...
苗萌董树荣李明亮吴健韩雁马飞宋波郑剑锋
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