李延辉
- 作品数：38 被引量：60H指数：5
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 一种离子漂移计及离子漂移分析方法
- 本发明涉及一种离子漂移计及离子漂移分析方法，在机壳内设置有空心圆柱型内壁套筒，内壁套筒沿周向方向均分为四个象限块，内壁套筒内设置有多层栅网结构和一块圆形的收集极板。相对于传统离子漂移计增大了收集极板的面积，只需要一路运算...
- 张清和刘振平孙祺邢赞扬李延辉郭新王艳玲苗晓晴
- 静电场处理酵母菌生物学效应的初步研究
- 2008年
- 用静电场(0、20、40、60、80、100、120s)处理的酵母菌经培养后,取一部分用同样的方法继续处理,连续进行了4轮,然后测定所有的后代,研究处理后的生物学效应。结果显示,在静电场中处理80s内,可促进酵母细胞的生长和繁殖,细胞内可溶性糖、蛋白质、核酸等的含量也有不同程度地增加;若处理时间超过100s,则可抑制细胞的繁殖。在用同样的方法多轮处理后,酵母细胞逐渐适应了这种环境。
- 张建民张倩李延辉王相伟
- 关键词：静电场酵母菌生物学效应
- 一种多模式朗缪尔探针三合一探测系统及探测方法
- 本发明公开的一种多模式朗缪尔探针三合一探测系统及方法，包括四根朗缪尔探针、模式切换系统、采集电路和数据采集及控制系统，能够切换单探针、双探针和三探针各自单独探测模式、单探针和三探针同时探测、单探针和单探针高时空分辨率模式...
- 李延辉谢新尧张清和时绮晗李建泉郭新王进刘振平邢赞扬
- 一种能够模拟电离层等离子体环境的试验装置
- 本发明涉及一种能够模拟电离层等离子体环境的试验装置，包括仓筒，仓筒内部固定有加速栅网，加速栅网上方设置有等离子体源，加速栅网与第一电源的正极连接，第一电源的负极与第二电源的正极连接，第二电源的正、负极分别与等离子体源连接...
- 杜清府王传安郭怀龙王进张清和李延辉郭新邢赞扬孙琪
- 用于标定区域等离子体分布的多通道朗缪尔探针诊断系统
- 本公开提供了一种用于标定区域等离子体分布的多通道朗缪尔探针诊断系统，包括：多个朗缪尔探针、多通道电流采集电路和处理器，各个朗缪尔探针的探测端设置在待测区域的不同位置，朗缪尔探针与电流采集电路连接，处理器与电流采集电路连接...
- 杜清府王进纪仕鑫郭怀龙张清和邢赞扬李延辉李建泉郭新
- 文献传递
- 溅射功率对氮化锌薄膜特性的影响被引量：2
- 2013年
- 在玻璃衬底上通过磁控反应溅射法,利用纯金属Zn靶,在N2-Ar等离子体氛围中制备出氮化锌薄膜。X射线衍射谱表明氮化锌具有(4 0 0)择优取向,反方铁锰矿结构。研究了溅射功率对氮化锌薄膜结构、电学及光学性质的影响。
- 杨田林贾绍辉刘先平宋淑梅李延辉辛艳青王雪霞
- 关键词：结构特性电学特性光学特性
- GZO/Ag/GZO多层薄膜制备、结构与光电特性的研究被引量：4
- 2009年
- 采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的GZO/Ag/GZO(ZnO掺杂Ga2O3简称GZO)多层薄膜。X射线衍射谱表明GZO/Ag/GZO多层薄膜是多晶膜,GZO层具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向;Ag层是立方结构,具有(111)取向。在GZO层厚度一定的情况下,研究了Ag层厚度的变化对多层膜结构以及光电特性的影响。研究发现,当Ag层厚度为10nm时,3层膜的电阻率为9×10-5Ω.cm,在可见光范围内平均透过率达到89.7%,薄膜对应的品质因子数值为3.4×10-2Ω-1。
- 杨田林张之圣宋淑梅辛艳青姜丽莉李延辉韩圣浩
- 关键词：多层膜透明导电膜
- 一种高空间分辨率的阻滞势电位分析仪及方法
- 本发明公开的一种高空间分辨率的阻滞势电位分析仪及方法，包括机壳和设置在机壳内的多个分支传感器和电路板，每个分支传感器均包括传感器外壳和在传感器外壳内依次设置的地电位层、阻滞层、抑制层、收集层，电路板上设置控制模块和与分支...
- 张清和刘振平孙祺邢赞扬李延辉郭新王艳玲夏凯苗晓晴
- 伸缩式冷热探针组件、等离子体诊断系统及诊断方法
- 本发明公开了一种伸缩式冷热探针组件、等离子体诊断系统及诊断方法，包括：共轴安装的冷探针组件和热探针组件；所述冷探针组件包括绝缘套管和设置在绝缘套管末端的球形探针；所述球形探针上设有设定大小的狭缝；热探针组件设置于所述绝缘...
- 李建泉张清和邢赞扬李延辉郭新杜清府
- 文献传递
- 射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响被引量：1
- 2015年
- 在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律。结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84%,载流子霍尔迁移率高达24 cm2·V-1·s-1。随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 e V逐渐增加到3.76 e V。研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率。随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律。当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1·s-1。
- 童杨王昆仑刘媛媛李延辉宋淑梅杨田林
- 关键词：光学带隙光电特性射频功率
