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李京波

作品数：47 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 9篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 13篇纳米
  • 12篇半导体
  • 9篇探测器
  • 8篇电极
  • 7篇纳米线
  • 7篇掺杂
  • 6篇单晶
  • 6篇偏振
  • 6篇偏振光
  • 5篇铁磁
  • 5篇铁磁性
  • 5篇蓝宝
  • 5篇蓝宝石
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇电池
  • 4篇铁电
  • 4篇线偏振
  • 4篇纳米材料
  • 4篇晶体

机构

  • 47篇中国科学院
  • 1篇钢铁研究总院
  • 1篇浙江师范大学
  • 1篇中南大学
  • 1篇安泰科技股份...

作者

  • 47篇李京波
  • 7篇朱峰
  • 5篇纪攀峰
  • 5篇夏建白
  • 4篇李晋闽
  • 4篇王军喜
  • 4篇王岩
  • 4篇王美丽
  • 3篇承刚
  • 3篇董珊
  • 3篇李永涛
  • 3篇孟秀清
  • 2篇李树深
  • 2篇曾一平
  • 2篇赵凯
  • 2篇王国宏
  • 2篇闫建昌
  • 2篇马平
  • 2篇刘喆
  • 2篇刘乃鑫

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇第17届全国...
  • 1篇第六届全国青...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 6篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2012
  • 7篇2011
  • 10篇2010
  • 2篇2000
  • 1篇1999
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种多层LED芯片结构及其制备方法
本发明公开了一种多层LED芯片结构及其制备方法。该结构包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上低温外延生长的GaN缓冲层；在GaN缓冲层上高温外延生长的n型GaN；在n型GaN上高温外延生长的AlGaN层；在AlGaN层上生长的...
李京波朱峰纪攀峰
文献传递
一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH<Sub>4</Sub>和/或Cp<Sub>2</Sub>Mg作为掺杂剂，使用...
纪攀峰李京波闫建昌刘乃鑫刘喆王军喜李晋闽
文献传递
基于硫化亚锡光探测器光响应的气体依赖性
鹿方园杨珏晗魏钟鸣李京波
太阳能转换材料及新型纳米材料的研究
李京波
半导体掺杂机制和纳米材料的第一性原理大规模计算
半导体光电功能材料具有重要应用前景,例如,宽禁带半导体可应用于LED和蓝光激光器；InAs/GaSb Ⅱ类超晶格可应用于高性能远红外和太赫兹探测器；半导体的量子点和量子线是摩尔定律以后下一代集成电路的组成单元；单光子发射...
李京波
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法
本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲，然后在N<Sub>2</Sub>气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮...
李京波纪攀峰朱峰
一种用于泡生法蓝宝石晶体炉的多层结构内隔热屏
本发明公开了一种用于泡生法蓝宝石晶体炉的多层结构内隔热屏，该多层结构内隔热屏整体呈圆筒形，包括自上而下依次连接的上隔热层、中隔热层和下隔热层，其中上隔热层与下隔热层位于晶体炉的低温区，中隔热层位于晶体炉的高温区。本发明由...
承刚李京波李永涛董珊
文献传递
基于二维铁电半导体的非易失存储器及其制备方法
一种基于二维铁电半导体的非易失存储器，包括：衬底，柔性材料制备而成；石墨烯层，长条状，位于所述衬底上；二维半导体材料层，位于所述衬底和一部分石墨烯层之上；铁电薄膜，位于所述二维半导体材料层上；顶电极，位于铁电薄膜上；以及...
杨淮魏钟鸣李京波
文献传递
准一维硫化锡纳米线的宽波段偏振光探测器及其制备方法
一种硫化锡单晶、其制备方法、准一维硫化锡纳米线、偏振光探测器及晶体管。该硫化锡单晶的制备方法包括：将硫粉和锡粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到所述硫化锡单晶。本发明基于准一维硫化锡...
杨淮魏钟鸣李京波邓惠雄宗易昕文宏玉
文献传递
Ⅱ型SnO2/ZnS核壳结构纳米线光学性质的研究
一维纳米结构半导体材料近年来引起了人们广泛的兴趣,这主要是由于其具有半导体和纳米结构的双重特性.SnO2作为宽带隙半导体材料在固体传感器、导电电极、染料敏化太阳能电池等领域有广泛的应用前景.迄今为止,大部分研究组将精力集...
孟秀清李京波
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