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朱娜

作品数：7 被引量：4H指数：1
供职机构：中国地质大学（北京）更多>>
发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇纳米
  • 6篇聚硅氮烷
  • 6篇硅氮烷
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化硅
  • 4篇纯度
  • 2篇单晶
  • 2篇电子器件
  • 2篇同轴纳米电缆
  • 2篇前驱体粉末
  • 2篇网络
  • 2篇网络状
  • 2篇纳米电缆
  • 2篇纳米光电子器...
  • 2篇纳米阵列
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件
  • 2篇合成网络
  • 2篇分枝

机构

  • 7篇中国地质大学...

作者

  • 7篇王成彪
  • 7篇付志强
  • 7篇彭志坚
  • 7篇朱娜
  • 6篇于翔
  • 4篇刘宝林
  • 4篇岳文
  • 2篇杨甘生
  • 1篇杨义勇
  • 1篇李蔚君

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2011
  • 4篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法
本发明涉及一种氮化硅低维纳米材料阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度、高密度单晶α-氮化硅纳米线阵列。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成氮化硅纳米阵列。所述制备方法包括高含氮量聚硅...
彭志坚朱娜王成彪付志强于翔刘宝林
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高纯度高密度高产率Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆阵列的制备方法
本发明涉及一种以Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>为内核、SiO<Sub>2</Sub>为外壳的Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆阵列的...
彭志坚朱娜王成彪付志强于翔岳文
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热蒸发制备ZnO纳米材料形貌控制与生长动力学被引量：4
2009年
分别以Zn粉、ZnO/C混合粉为原料,采用物理热蒸发方法,通过调控蒸发源与沉积区的距离、蒸发温度等条件,制备得到了棒状、线状、树枝状、糖葫芦状等形状各异的ZnO纳米材料,并对ZnO纳米材料的生长机制和动力学进行了初步探讨。
王成彪彭志坚李蔚君朱娜杨义勇付志强
关键词：氧化锌纳米结构热蒸发形貌控制生长动力学
高纯高产率网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法
本发明涉及一种网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度的网络状分枝α-氮化硅纳米结构。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成网络状分枝氮化硅单晶纳米结构。含有步骤：...
彭志坚朱娜王成彪付志强于翔岳文刘宝林杨甘生
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高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法
本发明涉及一种氮化硅低维纳米材料阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度、高密度单晶α－氮化硅纳米线阵列。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成氮化硅纳米阵列。所述制备方法包括高含氮量聚硅...
彭志坚朱娜王成彪付志强于翔刘宝林
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高纯度高密度高产率Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆阵列的制备方法
本发明涉及一种高纯度、高密度、高产率的Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用热解有机前驱体在镀有金属催化剂的基片...
彭志坚朱娜王成彪付志强于翔岳文
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高纯高产率网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法
本发明涉及一种网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度的网络状分枝α－氮化硅纳米结构。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成网络状分枝氮化硅单晶纳米结构。含有步骤：...
彭志坚朱娜王成彪付志强于翔岳文刘宝林杨甘生
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