施建中
- 作品数：3 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Au/In等温凝固焊接失效模式研究被引量：8
- 2001年
- 研究了 Au/In等温凝固芯片焊接的失效模式 ,对每种失效模式的失效原因进行了讨论 ,并提 出了相应的解决途径。结果表明 :镀铟层过厚 ,会使焊层中产生 Ni9In4相和大量空洞 ,导致焊层出现 早期失效 ;焊接过程中芯片与衬底平行度不好 ,会使加载压力在焊区分布不均 ,并导致焊区局部区 域发生 Au/In不浸润 ;焊接温度过高 ,则焊层内会出现较大的热应力 ,可导致芯片或焊层开裂 ;在 300oC高温下 ,由于过渡层 Ni与 Au/In相的反应 ,焊区内出现大量空洞 ,导致焊层剪切强度下降。 对 Au/In体系在未来高温电子器件芯片焊接中的应用 ,尚需寻找合适的过渡层材料。
- 王铁兵施建中谢晓明
- 关键词：芯片焊接等温凝固失效模式
- Au/In等温凝固芯片焊接工艺研究被引量：14
- 1999年
- 本文研究了Ａｕ／Ｉｎ 等温凝固芯片焊接工艺。对机械振动、压力、Ａｕ ，Ｉｎ 镀层厚度、衬底的表面平整度等因素对焊层的剪切强度、结构和热疲劳可靠性的影响进行了分析和优化。在２５０ ℃－ ３００ ℃之间，实现了较大尺寸芯片（３ ×３ｍｍ２） 在较低成本下的快速焊接。焊层在承受－ ５５ ℃－１２５ ℃３２００ 周冷热循环后无明显退化。
- 王铁兵施建中谢晓明
- 关键词：芯片焊接等温凝固电子器件
- Au/In合金在陶瓷封装装片中的应用被引量：5
- 2000年
- 本文用等温凝固技术研究了Au -In合金在陶瓷封装装片中的应用。结果表明 ,通过一种多层结构设计和机械振动的作用 ,硅芯片可在250oC～300oC、2.1N/mm2 的静态加载压力和流量为0.5l/min的氮气环境下焊接到氧化铝衬底上 ,绝大多数样品的剪切强度符合MILSTD883D美国军方标准 ,焊层具有良好的可靠性 ,在 -55oC～ +125oC之间1750周热循环试验后 ,剪切强度仅有微量下降。同时 ,用金相方法对热循环试验前后的焊层微结构进行了分析。
- 施建中王铁兵谢晓明
- 关键词：等温凝固集成电路
