戴国才
- 作品数：13 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 硅离子簇的理论研究被引量：1
- 1995年
- 本文采用ＭＮＤＯ方法研究了Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋和Ｓｉｎ２＋（ｎ＝２—６）簇的原子结构，得到了一系列稳定的簇结构，并确定出每一类簇所对应的最佳稳定结构．从中发现，无论Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋还是Ｓｉｎ２＋簇，都存在共同的“幻数’，即４，５，６，然而，Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋和Ｓｉｎ２＋对应的稳定结构一般是各不相同的．本文的结构说明，以往人们单纯从中性Ｓｉｎ簇的研究去推断并解释Ｓｉｎ离子族的结构和性质是不恰当的，荷电将改变原子簇的构型．文中还指出了几个以前没有发现的稳定构型．
- 楚天舒张瑞勤戴国才
- 关键词：原子结构半导体性质
- a-Si:H中无序对悬挂键电子状态的影响
- 1990年
- 实验测得的α-Si:H 中悬挂键能级相对于迁移边 E_C 的位置很不一致,分散于0.9—1.3eV 之间,本文用量子化学 EHT 方法对这一重要实验问题进行了计算。首先对 EHT 方法所用参数进行了优化选择处理,并对各种不同组态环境下的悬挂键能级进行了计算。结果表明,α-Si:H 中的悬挂键能级位置随环境原子排列的无序度不同而明显变化,由此推论:α-Si:H 中的悬挂键因能级位置相对于费米能级不同可以有三种荷电状态 T_3^+、T_3^-和 T_3~°,它们在空间上是相互分离的。据此,许多与悬挂键有关而长期存在的问题可以得到解释。
- 韩圣浩张瑞勤段会川戴国才
- 关键词：电子状态半导体
- 一种隔热窗
- 一种隔热窗，在窗的玻璃内侧贴上一种由塑膜、铝膜、塑膜三层组成的隔热膜，能有效的阻止阳光中紫外线辐射，反射阳光中的热能。
- 戴国才
- 文献传递
- Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质
- 1990年
- 本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。
- 曹宝成刘明戴国才
- 关键词：HGCDTE非晶薄膜光电性质
- Al／a－Si:H（Y）Schottky势垒二极管的电特性
- 稀土元素钇（Y）制备的室温电阻率约为7Ω·cm的n型非晶硅，即a－Si:H（Y）薄膜上，蒸发一层面积为3mm[*2*]的金属铝（Al）膜，从而形成一种Al／a－Si:H（Y）结构。测量该结构的电流—电压特性，结...
- 程兴奎余亦瞬戴国才
- 关键词：载流子(半导体)伏-安特性钇
- 非晶硅短程序与电子结构关系的量子化学研究
- 1988年
- 本支通过对Si_(29)无规网络原子簇模型的CNDO计算,探讨了非晶硅(a-Si)结构短程序对其电子态密度(DOS)分布的影响。结果表明,在与实验原子径向分布函数(RDF)基本相同的条件下,a-Si模型中的键角和二面角是影响电子态密度分布的主要参数。
- 张瑞勤戴国才关大任蔡政亭
- 关键词：径向分布函数电子态密度
- a-Si:H掺杂机理的研究
- 1989年
- 本文利用CNDO/2量子化学理论方法,对P和B原子在四面体配位的Si)(46)和Sl_(46)H_(60)H_4~*原子集团中置换S_1原子前后的原子集团能量和能态分布变化进行了计算.计算结果表明:1)在Si_(46)H_(60)H_4~*原子集团中用P(或B)置换引Si原子后在能隙中明显地出现施主(或受主)态子带,同样在Si_(46)中进行置换前后没有这一特性;2)在Si_(46)原子集团中引入P(或B)置换S1原子所需要的能量明显小于在Si_(46)H_(60)H_4~*原子集团中进行相应置换所需要的能量.因此,纯的a-si材料不显示有效的掺杂特性,而a-Si:H具有明显的四面体代位式掺杂效应.此结论可解释大量实验结果.
- 戴国才张瑞勤关大任蔡政亭
- 关键词：半导体材料
- 锡薄膜的非金属导电特性
- 1992年
- 采用真空蒸发技术制备锡薄膜。随着薄膜生长速率的降低,锡膜由金属转变为半导体,呈现出非金属导电特性。
- 马瑾戴国才
- 关键词：导电率定域化
- Si(113)表面电子结构的研究
- 1989年
- 采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.
- 张瑞勤王家俭戴国才吴汲安张敬平邢益荣
- 关键词：硅电子结构
- a-Si:H薄膜的磁场诱导红外光谱变化的研究
- 1990年
- 本文研究了在磁场作用下a—Si:H薄膜的红外光谱的变化,发现了2000cm^(-1)硅氢振动模向2100cm^(-1)硅氢振动模的直接转变,并且在这种变化中键合氢的含量不变。提出了Si—H……Si弱耦合模型。
- 王晓临罗文秀李建华戴国才
- 关键词：非晶硅薄膜红外光谱磁效应
