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徐小齐

作品数:4 被引量:5H指数:2
供职机构:衡阳财经工业职业技术学院信息工程学院电子信息工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇硫化
  • 3篇硫化镉
  • 3篇纳米
  • 2篇纳米CDS
  • 1篇导体
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇水热合成
  • 1篇热法
  • 1篇热合成
  • 1篇纳米材料
  • 1篇纳米晶
  • 1篇禁带
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇半导体
  • 1篇TEM表征

机构

  • 3篇南京航空航天...
  • 1篇衡阳财经工业...

作者

  • 4篇徐小齐
  • 2篇张海黔
  • 2篇胡晓丹
  • 1篇高俊珊
  • 1篇谢先辉
  • 1篇程传伟
  • 1篇杨正勇

传媒

  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇化学工业与工...
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
硫化镉纳米材料的合成方法被引量:2
2010年
硫化镉是一种非常重要的光电半导体材料,它的性能极大地依赖于其合成方法。采用不同的合成方法,所得CdS纳米材料的粒径、粒度均匀性、纯度及相结构也各不相同,进而对其属性产生较大影响。对CdS纳米材料的合成方法进行了综述,主要包括固相法、液相法和气相法。
徐小齐谢先辉杨正勇
关键词:硫化镉纳米材料
新型硫源水热合成纳米CdS
2008年
选用新型的有机硫源二硫化四甲基秋兰姆(Tetramethylthiuram disulfide),以水热法分别在苯和乙二胺溶剂中制备了不同形貌和尺寸的CdS纳米微粒。采用TEM、XRD、UV-Vis等测试手段对产物进行了表征,结果表明:在苯溶剂中得到的是近球形的CdS纳米微粒,直径在30nm左右;而在乙二胺中得到的是CdS纳米线,其表面光滑,直径均匀(40nm)。二者的UV-Vis光谱的吸收峰相对于体相CdS均发生了蓝移。
徐小齐胡晓丹张海黔高俊珊
关键词:硫化镉水热法
CdS纳米晶体的合成与表征被引量:3
2009年
以四甲基二硫化秋兰姆(TMTD)为新型有机硫源,与醋酸镉在不同的反应温度、时间下合成出纳米CdS晶体,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)等手段研究了CdS纳米晶体的结构和形成。结果表明,反应温度、时间对CdS晶体的形貌和组成有影响,随温度升高,晶体形貌从粒子聚集体过渡到花形结构,同时讨论了纳米晶体的形成机理。
胡晓丹徐小齐程传伟张海黔
关键词:硫化镉
半导体纳米CdS的制备及其性能研究
CdS作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接半导体,室温下其禁带宽度为2.42eV,具有优异的光电转换特性和发光性能。随着尺寸的减小和形貌的变化,CdS纳米结构的禁带宽度会发生明显的变化,导致其表现出不同于块状材料的、优异的光...
徐小齐
关键词:CDS纳米晶光电性能TEM表征
文献传递
共1页<1>
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