张静玉
- 作品数：5 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：上海市科委科技攻关项目中国科学院知识创新工程国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 组合法优化Ti掺杂Zn-Al合金薄膜的耐腐蚀性能(英文)被引量：3
- 2009年
- 应用组合技术,通过离子束溅射法制备了Zn-Al-Ti合金薄膜材料芯片(其中wAl∶wZn=55%∶45%(w,质量分数)),表征了热处理后薄膜的耐腐蚀性能,研究了Ti掺杂量对薄膜耐腐蚀性能的影响.在Ar+5%(φ,体积分数)H2混合气氛中,经200℃扩散1h,再经370℃热处理2h后可以得到高质量的合金薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对热处理后的典型样品进行相结构和形貌表征.使用电化学方法测试样品的耐腐蚀性能.结果表明,Ti适量掺杂样品的腐蚀速率明显下降,其中Ti掺杂量为6.0%(w)的Zn-Al-Ti合金薄膜(94.0%(w)Zn-Al,其中wAl∶wZn=55%∶45%)具有最优异的耐腐蚀性能,其原因在于,Ti适量掺入后晶粒明显细化,表面更为致密,且钝化作用增强.
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- 关键词：耐腐蚀
- 氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用被引量：2
- 2009年
- 采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.
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- 关键词：欧姆接触SIC互扩散
- 组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响被引量：1
- 2010年
- 采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10nm增加到160nm,肖特基接触的电流-电压(I-V)曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ФB的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测试表明,Ni膜厚为30至70nm范围时能稳定得到性质较好的欧姆接触.证实了之前认为Ni/SiC高温退火后富碳层存在一个合适范围以形成良好欧姆接触的结论.
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- 关键词：碳化硅肖特基接触欧姆接触
- Ti对Zn-Al合金薄膜耐腐蚀性能的影响被引量：7
- 2009年
- 应用组合材料芯片技术,以离子束溅射法在低碳钢基片上制备了不同Ti掺杂量的Zn-Al-Ti薄膜(Al和Zn质量分数分别为55%和45%)样品阵列.沉积得到的多层薄膜经低温扩散和高温晶化形成合金薄膜.以电化学方法测定合金薄膜在浓度(质量分数)为3.5%的中性NaCl水溶液中的耐蚀性能,并进一步研究了优选出的组分的耐蚀性.结果表明,Ti的适量掺杂可使合金薄膜的耐蚀性能明显提高.其中,Ti的质量分数在6%左右时耐蚀性能最佳.采用XRD及SEM对6%Ti的合金薄膜的相结构和表面形貌进行了表征,并与未掺杂Ti的薄膜进行了比较.此外,分析了Zn-Al-6%Ti合金薄膜的腐蚀机理,为进一步优化薄膜体系提供了依据.
- 张静玉刘庆峰刘茜
- 关键词：耐腐蚀
- 耐蚀锌基合金镀层的研究现状和趋势被引量：3
- 2009年
- 本文围绕提高金属镀层的耐蚀性能,综述了目前热点研究的耐蚀性能优异的Zn基合金镀层及其国际最新研究进展和发展趋势。内容包括:组分的优选,制备工艺的优化,新型制备方法的尝试及对镀层耐蚀机理的分析。此外还介绍了本课题组近几年来使用组合材料芯片技术快速制备和筛选Zn基耐蚀合金镀层所取得的成果。本文还展望了Zn基耐蚀合金镀层的未来研究发展方向。
- 张静玉刘庆峰刘茜
- 关键词：锌基合金镀层耐蚀性能
