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张燕生

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇改性
  • 2篇材料改性
  • 1篇电子束
  • 1篇电子束刻蚀
  • 1篇真空封装
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘衬底
  • 1篇刻蚀
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇封装
  • 1篇感器
  • 1篇SOI
  • 1篇超导
  • 1篇超导膜
  • 1篇衬底
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 3篇中国科学院电...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 3篇林世昌
  • 3篇张燕生
  • 1篇范炳林

传媒

  • 2篇电子科学学刊
  • 1篇仪表技术与传...

年份

  • 2篇1995
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
精密传感器的电子束真空封装和半穿透焊接技术
1994年
真空电子束焊接具有许多特点,用于精密传感器的封装焊接和特殊焊接是非常合适的,本文专题介绍真空封装和半穿透焊接技术。
林世昌张燕生范炳林
关键词：传感器电子束真空封装
扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究
1995年
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了200×25μm^2的单晶区。
林世昌张燕生张国炳王阳元
关键词：材料改性绝缘衬底
电子束刻蚀超导膜的实验研究
1995年
本文论述了扫描电子束对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导膜进行干法刻蚀的实验研究;试验了电子束工艺参数对刻蚀效果的影响;初步讨论了超导膜改性的机制。扫描电子束能使被刻蚀的超导膜局部改性为非超导膜,将为干法制备超导器件提供一个有效的方法。
林世昌张燕生柴璋李碧钦
关键词：超导膜刻蚀材料改性
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共1页<1>
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